Location via proxy:   [ UP ]  
[Report a bug]   [Manage cookies]                

Micro - Info (Expo.)

Descargar como docx, pdf o txt
Descargar como docx, pdf o txt
Está en la página 1de 4

DRAM (RAM DINÁMICA)

La memoria dinámica fue desarrollada en los laboratorios de IBM pasando por un proceso
evolutivo que la llevó de usar 6 transistores a sólo un condensador y un transistor, como la
memoria DRAM que conocemos hoy. La invención de esta última la hizo Robert Dennard quien
obtuvo una patente norteamericana en 1968 por una memoria fabricada con un solo transistor de
efecto de campo y un condensador.

 DRAM son las siglas de la voz inglesa Dynamic Random Access Memory, que significa
memoria dinámica de acceso aleatorio (RAM dinámica), para denominar a un tipo de
tecnología de memoria RAM basada en condensadores, los cuales pierden su carga
progresivamente, necesitando de un circuito dinámico de refresco que, cada cierto
período, revisa dicha carga y la repone en un ciclo de refresco.

 Se caracterizan por ser memorias de lectura/escritura y contienen un conjunto de


variables de dirección que permiten seleccionar cualquier dirección de memoria de forma
directa e independiente de la posición en la que se encuentre.

FUNCIONAMIENTO:

La operación de la celda es similar a la de un interruptor, cuando el estado en la fila se encuentra


en alto, el transistor entra en saturación y el dato presente en el bus interno de la memoria
(columna) se almacena en el condensador, durante una operación de escritura y se extrae en una
operación de lectura.

En el interior de cada chip de RAM dinámica se encuentra un bit de información que está
compuesto de dos partes: de un solo transistor y un único dispositivo para la acumulación y
posesión de carga eléctrica, conocido como un condensador.
Son, por supuesto, transistores y capacitores extremadamente pequeños por lo que millones de
ellos pueden caber en un solo chip de memoria. El capacitador mantiene el bit de información (un
0 o un 1). El transistor actúa como un conmutador que permite a los circuitos del chip leer el
capacitador o cambiar su estado.

Podemos ver un capacitador, como un cubo que es capaz de almacenar electrones. Para
almacenar un 1 en memoria, el cubo es llenado con electrones. Para almacenar ceros, el cubo es
vaciado. El problema con el cubo del capacitador es que tiene una fuga. En cuestión de
milisegundos un cubo entero se vacía. Por ello, para que la memoria dinámica funcione, la CPU o
el controlador de memoria tienen que entrar en escena y recargar todos los capacitadores que
contienen unos antes de que se descarguen (vacíen). Para hacer esto, el controlador lee la
memoria y la vuelve a escribir. Esta operación de refresco ocurre automáticamente miles de veces
por segundo. La operación de refresco es de donde la RAM dinámica coge su nombre. Este tipo de
RAM memory tiene que ser dinámicamente refrescado todo el tiempo o si no olvida que es lo que
contiene. El inconveniente de este continuado refresco, es que consume tiempo y ralentiza la
memoria.
Las celdas de memoria RAM dinámica descargan cada pocas milésimas de segundo, o
milisegundos, por lo que deben ser leídas y actualizadas varias veces si sus contenidos se van a
mantener por mucho tiempo.

Las celdas en cualquier sistema de memoria, se organizan en la forma de matrices de dos


dimensiones, a las cuales se accede por medio de las filas y las columnas. En la DRAM estas
estructuras contienen millones de celdas y se fabrican sobre la superficie de la pastilla de silicio
formando áreas que son visibles a simple vista.
Las posiciones de memoria o celdas almacenan cada una un bit. Para acceder a ellas se han ideado
varios métodos y protocolos cada uno mejorado con el objetivo de acceder a las celdas requeridas
de la manera más eficiente posible.

 La memoria RAM dinámica es el tipo de memoria más común utilizado hoy en día. Se usa
principalmente como módulos de memoria principal RAM de ordenadores y otros
dispositivos.
 Estas memorias son volátiles, es decir, que se pierde la información cuando no hay energía
 Se utiliza como memoria de trabajo de computadoras y otros dispositivos para el sistema
operativo, los programas y la mayor parte del software. En la RAM se cargan todas las
instrucciones que ejecuta la unidad central de procesamiento (procesador) y otras
unidades del computador, además de contener los datos que manipulan los distintos
programas.

VENTAJAS:

 La memoria RAM estática es rápida y cara, y la memoria RAM dinámica es más barata. Por
ello, la RAM estática se usa para crear la caché de alta velocidad en la CPU, mientras que la
RAM dinámica forma el extendido espacio del sistema RAM.

 La RAM dinámica es más económica de instalar y como resultado, es el tipo más común de
memoria en una computadora. La memoria principal de una computadora es
normalmente RAM dinámica.

 Los integrados son de tipo DRAM, memoria denominada "dinámica", las celdas de
memoria son muy sencillas (un transistor y un condensador), permitiendo la fabricación de
memorias con gran capacidad (algunos cientos de Megabytes) a un costo relativamente
bajo.

 Las memorias RAM permiten acceder a una posición aleatoria de la memoria para leer o
escribir en ella sin necesidad de acceder previamente a todas las anteriores. Es decir, se
puede indexar directamente la fila y la columna en la que está almacenada la información
a la que se desea acceder ya que los datos se almacenan en estas memorias en forma de
matriz.
DESVENTAJAS:

 La velocidad de acceso es baja con tiempos de acceso típicos por encima de 30


nanosegundos, pero es muy densa, con un solo transistor y un condensador para cada bit.
 En este tipo de memorias hay que recargar la información almacenada en las celdas para
retenerla, por lo cual estas celdas requieren de circuitería adicional para cumplir esta
función (Refresco)

Funcionamiento de la memoria de acceso aleatorio


La memoria de acceso aleatorio consta de cientos de miles de pequeños capacitadores que
almacenan cargas. Al cargarse, el estado lógico del capacitador es igual a 1; en el caso
contrario, es igual a 0, lo que implica que cada capacitador representa un bit de memoria.

Teniendo en cuenta que se descargan, los capacitadores deben cargarse constantemente (el
término exacto es actualizar) a intervalos regulares, lo que se denomina ciclo de actualización.
Las memorias DRAM, por ejemplo, requieren ciclos de actualización de unos 15 nanosegundos
(ns).

Cada capacitador está acoplado a un transistor (tipo MOS), lo cual posibilita la "recuperación" o
modificación del estado del capacitador. Estos transistores están dispuestos en forma de tabla
(matriz), de modo que se accede a la caja de memoria (también llamada punto de memoria)
mediante una línea y una columna.
Cada punto de memoria se caracteriza así por una dirección que corresponde a su vez a un
número de fila y a un número de columna. Este acceso no es instantáneo; el período de tiempo
que lleva se denomina tiempo de latencia. En consecuencia, el tiempo necesario para acceder
a la información en la memoria es igual al tiempo del ciclo más el tiempo de latencia.

De este modo, en el caso de la memoria DRAM, por ejemplo, el tiempo de acceso es de 60


nanosegundos (35 ns del tiempo del ciclo más 25 ns del tiempo de latencia). En el ordenador,
el tiempo del ciclo corresponde al opuesto de la frecuencia de reloj; por ejemplo, en un
ordenador con una frecuencia de 200 MHz, el tiempo del ciclo es de 5 ns (1/200*10 6).

En consecuencia, en un ordenador con alta frecuencia, que utiliza memorias con un tiempo de
acceso mucho más prolongado que el tiempo del ciclo del procesador, se deben
producir estados de espera para que se permita el acceso a la memoria. En el caso de un
ordenador con una frecuencia de 200 MHz que utiliza memorias DRAM (y con un tiempo de
acceso de 60 ns), se generan 11 estados de espera para un ciclo de transferencia. El
rendimiento del ordenador disminuye a medida que aumenta el número de estados de espera,
por lo que es recomendable implementar el uso de memorias más rápidas.

También podría gustarte