Ram

La Memoria Ram
INDICE
Introducción ------------------------------------------ Pag. 2
La Memoria Ram ------------------------------------ Pag. 2
Evolución de las Memorias RAM ----------------- Pag. 4
¿Cómo Funcionan las RAM? ---------------------- Pag. 5
Fabricación de un Módulo de Memoria----------- Pag. 7.
Funcionamiento de la Memoria -------------------- Pag 10
Detección y Corrección de Errores ---------------- Pag 11
Tipos de Módulos ------------------------------------ Pag 13
Tecnologías de Memorias. -------------------------- Pag 17
Principales Fabricantes de Memoria--------------- Pag 21
Glosario ----------------------------------------------- Pag 21
Bibliografía ------------------------------------------- Pag 23
José Estévez Fernández.

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La Memoria Ram
INTRODUCCIÓN
La memoria RAM es uno de los componentes más importantes que podemos

encontrar dentro de un ordenador, no sólo por su función, sino porque es uno de los
componentes que más afecta al rendimiento de un equipo informático. De nada sirve
disponer un procesador de última generación si contamos con una memoria RAM
prehistórica, en cambio si disponemos de un procesador limitado tecnológicamente y le
acoplamos una memoria RAM de gran capacidad, éste verá su rendimiento mejorado.
La gran mayoría de la memoria de un ordenador es de tipo RAM.
A continuación conoceremos este pequeño pero gran componente, para

comprender verdaderamente donde radica su importancia.
LA MEMORIA RAM
Random Acces Memory (Memoria de Acceso Aleatorio). Se utiliza como

memoria de trabajo para el sistema operativo, los programas y la mayoría del software.
Es allí donde se cargan todas las instrucciones que ejecutan el procesador y otras
unidades de cómputo. Se denominan "de acceso aleatorio" porque se puede leer o
escribir en una posición de memoria con un tiempo de espera igual para cualquier
posición, no siendo necesario seguir un orden para acceder a la información de la
manera más rápida posible. Es un tipo de memoria volátil, lo que significa que pierde su
contenido al quitar la alimentación.
Está organizada como una matriz de N registros de m bits, con lo que se pueden
almacenar N palabras de m bits. A cada uno de los N x M bits de que consta la memoria
se le llama celda de almacenamiento. A cada palabra almacenada en M se le asigna una
dirección única. Dándole a M la dirección adecuada, se puede extraer o leer de M
cualquier palabra que se desee, independientemente de su posición física dentro de M.
Según lo anterior la memoria se puede considerar desde un punto de vista funcional
compuesta por un conjunto de registros de la misma longitud. El número de registros
individuales que componen la memoria define su tamaño en palabras. La capacidad
de la memoria se expresa por el producto de su tamaño en palabras por el ancho de la
palabra (número total de registros * el número de bits de cada registro). La capacidad de
una memoria se expresa en bits o bytes (grupos de 8 bits) y sus múltiplos:
k = kilo (1k = 210 = 1024 unidades)

M = mega (1M = 220 = 210 k)
G = giga (1G = 230 = 210 M)
Diferenciamos dos tipos de memorias RAM las estáticas y las dinámicas.

Una memoria RAM estática mantiene su contenido inalterado mientras esté alimentada.
La información contenida en una memoria RAM dinámica se degrada con el tiempo,
llegando esta a desaparecer, a pesar de estar alimentada, siendo imprescindible restaurar
la información contenida en sus celdas a intervalos regulares, operación denominada
refresco. Una celda se puede refrescar simplemente realizando una operación de lectura
de la misma. A pesar de esta necesidad de refresco la estructura más sencilla de la celda

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de RAM dinámica hace que en una pastilla se puedan integrar muchas celdas (y por
tanto mayor capacidad) que en el caso de las RAM estáticas.
Fig1. Diferentes tipos de RAM
[Dem02]
Sobre la memoria sólo se pueden realizar dos operaciones básicas: lectura y
escritura. En la lectura, el dispositivo de memoria debe recibir la dirección de la
posición de memoria o palabra de la que se quiere extraer la información y una
indicación de operación de lectura. La dirección se le suministra a la memoria a través
de las líneas de dirección. La memoria pasado un tiempo denominado tiempo de ciclo
de lectura, presentará en sus líneas de datos el contenido de la palabra direccionada.
Esto implica que la memoria ha de tener tantas líneas de datos como bits tenga la
palabra. En la escritura, además de la dirección de la palabra que se quiere escribir, se
debe suministrar la información que se desea grabar por las líneas anteriores y una
indicación de operación de escritura. Ambas informaciones (dirección y datos) han de
permanecer fijas y estables durante un tiempo que se denomina tiempo de ciclo de
escritura, para tener la seguridad de que la palabra direccionada ha almacenado el dato
colocado en las líneas de datos. Sin embargo el parámetro temporal más utilizado es el
tiempo de ciclo, que nos da el mínimo tiempo que ha de transcurrir entre dos accesos
consecutivos a la memoria. Una vez concluidas las operaciones de lectura o escritura, en
ocasiones es necesario un tiempo para la reincripción de la información leída (por
ejemplo en las memorias RAM dinámicas, en las que la lectura es destructiva) o
simplemente de recuperación, antes de realizar una nueva operación. El tiempo de ciclo

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se define como la suma de este tiempo de recuperación más la media de los tiempos de
lectura y escritura.
Según se ha descrito en el párrafo anterior, se utilizan las mismas líneas de datos tanto
para recibir el dato leído desde la memoria, como para proporcionar el dato a escribir.
Ésta es la situación más corriente e implica que estas líneas de datos de la memoria sean
bidireccionales. Así en la Fig2. se ha representado una memoria desde el punto de vista
de señales externas, con “m” líneas de dirección de entrada y “n” de datos
bidireccionales, y a la que se le ha añadido las señales de control de lectura y escritura
Fig2. Señales externas en una memoria
[WWW1]
EVOLUCIÓN DE LAS MEMORIAS RAM
Uno de los primeros tipos de memoria RAM fue la memoria de núcleo

magnético, desarrollada entre 1949 y 1952 y usada en muchos computadores hasta el
desarrollo de circuitos integrados a finales de los años 60 y principios de los 70. Antes
que eso, las computadoras usaban relés y líneas de retardo de varios tipos construidas
con tubos de vacío para implementar las funciones de memoria principal con o sin
acceso aleatorio.
En 1969 fueron lanzadas una de las primeras memorias RAM basadas en
semiconductores de silicio por parte de Intel con el integrado 3101 de 64 bits de
memoria y para el siguiente año se presentó una memoria DRAM de 1 Kibibyte,
referencia 1103 que se constituyó en un hito, ya que fue la primera en ser
comercializada con éxito, lo que significó el principio del fin para las memorias de
núcleo magnético. En comparación con los integrados de memoria DRAM actuales, la
1103 es primitiva en varios aspectos, pero tenía un desempeño mayor que la memoria
de núcleos.
En 1973 se presentó una innovación que permitió otra miniaturización y se convirtió en
estándar para las memorias DRAM: la multiplexación en tiempo de la direcciones de
memoria. MOSTEK lanzó la referencia MK4096 de 4 Kb en un empaque de 16 pines,
mientras sus competidores las fabricaban en el empaque DIP de 22 pines. El esquema
de direccionamiento se convirtió en un estándar de facto debido a la gran popularidad
que logró esta referencia de DRAM. Para finales de los 70 los integrados eran usados en
la mayoría de computadores nuevos, se soldaban directamente a las placas base o se
instalaban en zócalos, de manera que ocupaban un área extensa de circuito impreso.
Con el tiempo se hizo obvio que la instalación de RAM sobre el impreso principal,
impedía la miniaturización , entonces se idearon los primeros módulos de memoria

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como el SIPP, aprovechando las ventajas de la construcción modular. El formato SIMM

fue una mejora al anterior, eliminando los pines metálicos y dejando unas áreas de cobre
en uno de los bordes del impreso, muy similares a los de las tarjetas de expansión, de
hecho los módulos SIPP y los primeros SIMM tienen la misma distribución de pines.
A finales de los 80 el aumento en la velocidad de los procesadores y el aumento en el
ancho de banda requerido, dejaron rezagadas a las memorias DRAM con el esquema
original MOSTEK, de manera que se realizaron una serie de mejoras en el
direccionamiento como las siguientes:
FPM-RAM (Fast Page Mode RAM)

Inspirado en técnicas como el "Burst Mode" usado en procesadores como el Intel
486, se implantó un modo direccionamiento en el que el controlador de memoria envía
una sola dirección y recibe a cambio esa y varias consecutivas sin necesidad de generar
todas las direcciones. Esto supone un ahorro de tiempos ya que ciertas operaciones son
repetitivas cuando se desea acceder a muchas posiciones consecutivas. Funciona como
si deseáramos visitar todas las casas en una calle: después de la primera vez no seria
necesario decir el número de la calle únicamente seguir la misma. Se fabricaban con
tiempos de acceso de 70 ó 60 ns y fueron muy populares en sistemas basados en el 486
y los primeros Pentium.
EDO-RAM (Extended Data Output RAM)

Lanzada en 1995 y con tiempos de accesos de 40 o 30 ns suponía una mejora
sobre su antecesora la FPM. La EDO, también es capaz de enviar direcciones contiguas
pero direcciona la columna que va utilizar mientras que se lee la información de la
columna anterior, dando como resultado una eliminación de estados de espera,
manteniendo activo el búffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo de lectura.
BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM)

Fue la evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM, fue presentada
en 1997. Era un tipo de memoria que usaba generadores internos de direcciones y
accedía a mas de una posición de memoria en cada ciclo de reloj, de manera que lograba
un desempeño un 50% mejor que la EDO. Nunca salió al mercado, dado que Intel y
otros fabricantes se decidieron por esquemas de memoria sincrónicos que si bien tenían
mucho del direccionamiento MOSTEK, agregan funcionalidades distintas como señales
de reloj.

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¿CÓMO ES LA MEMORIA?
Fig3. Visión más cercana del DIMM de SDRAM de 168 pin
PCB (TARJETA DE CIRCUITOS IMPRESOS)

La tarjeta verde en la que se encuentran todos los chips de memoria en realidad
está
formada de varias capas. Cada capa contiene trazos y conjuntos de circuitos, lo que
facilita el movimiento de datos. En general, los módulos de memoria de calidad más
alta utilizan PCB con más capas. Mientras más capas tengan el PCB, mayor espacio
habrá entre ellas. Mientras más espacio hay entre los trazos, es menor la posibilidad de
que haya interferencia por sonido. Esto hace que el módulo sea mucho más confiable.
DRAM (MEMORIA DE ACCESO ALEATORIA DINÁMICO)

DRAM es la forma más común de RAM. Se llama RAM “dinámica” debido a
que sólo
puede mantener datos durante un periodo corto de tiempo y se debe actualizar en
forma periódica. La mayoría de los chips de memoria tienen capas negras o
cromáticas, o algún empaque, para proteger los conjuntos de circuitos. La siguiente
sección titulada “Empaques de circuitos” muestra imágenes de los chips que se alojan
en diferentes tipos de empaques de chips.
PUNTOS DE CONTACTO
Los puntos de contacto, que algunas veces se conocen como “conectores” o
“guías”se conectan al socket de la memoria en la tarjeta del sistema, lo que permite que
la información viaje de la tarjeta del sistema al módulo de memoria y de regreso. En
algunos módulos de memoria, estas guías están cubiertas con estaño mientras que en
otras las guías están hechas de oro.
CAPA DE RASTRO INTERNA

La lupa muestra una capa del PCB en tiras para mostrar los trazos en la tarjeta.
Los trazos son como caminos por los que viajan los datos. El ancho y la curvatura de
estos trazos, así como la distancia entre ellos afecta tanto a la velocidad como la
confiabilidad del módulo en general. Los diseñadores experimentados disponen, o
“distribuyen”, los trazos para maximizar la velocidad y confiabilidad y minimizar la
interferencia.

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EMPAQUE DE CHIPS [WWW0]

El término “empaque de chips” se refiere al material de cubierta alrededor del silicio.
Actualmente, los empaques más comunes se llaman TSOP (Empaque de delineado
pequeño delgado). Algunos diseños de chips anteriores utilizaban DIP (Empaque
dual en línea-) y SOJ (Guía J de delineado pequeño). Los chips más nuevos tales
como RDRAM utilizan CSP (Empaque a escala de chips). Veamos los diferentes
empaques de chips a continuación, para que vea en qué difieren.
DIP (EMPAQUE EN LÍNEA DUAL)

Cuando era común que la memoria se instalara directamente en la tarjeta del sistema
de la computadora, el empaque DRAM de estilo DIP era extremadamente popular.
Los DIP son componentes con orificios, lo que significa que se instalan en orificios
que se extienden hacia la superficie del PCB. Estos se pueden soldar en su lugar o se
instalan en sockets.
Fig4. Empaque DIP
SOJ (GUÍA J DE DELINEADO PEQUEÑO)

Los empaques SOJ obtuvieron su nombre debido a las pines que salen del chip
tienen forma de la letra “J”. Los SOJ son componentes que se montan en superficie, es
decir, se montan directamente en la superficie del PCB.
Fig5. Empaque SOJ.
TSOP (EMPAQUE DE DELINEADO PEQUEÑO DELGADO)

El empaque TSOP, otro diseño de montaje en superficie, obtuvo su nombre
debido a que el empaque era mucho más pequeño que el diseño SOJ. TSOP primero se
utilizó para hacer que los módulos de tarjeta de crédito fueran más delgados para las
computadoras portátiles.
Fig6. Empaque TSOP.
sTSOP (EMPAQUE DE DELINEADO PEQUEÑO DELGADO ENCOGIDO)

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sTSOP tiene las mismas características de TSOP, pero es la mitad del tamaño.
Su diseño compacto permite a los diseñadores de módulos añadir más chips de memoria
utilizando la misma cantidad de espacio.
Fig7. Empaque sTSOP
CSP (PAQUETE DE ESCALA DE CHIP)

A diferencia de los empaques DIP, SOJ y TSOP, el empaque CSP no utiliza pines para
conectar el chip a la tarjeta. En lugar de esto, las conexiones eléctricas de la tarjeta se
hacen a través de un BGA (Rejilla de esfera) en la parte inferior del empaque. Los
chips RDRAM (DRAM Rambus) utilizan este tipo de empaque.
Fig8. Empaque CSP (vista superior)
Fig9. Empaque CSP (vista interior)
APILACIÓN DE CHIPS
Para módulos de capacidad más alta, es necesario apilar chips uno sobre otro
para adaptarlos al PCB. Los chips se pueden “apilar” ya sea en forma interna o externa.
Los chips apilados en forma “externa” son visibles, mientras que las disposiciones de
chips apilados en forma “interna” no son visibles.
Fig10. Ejemplo de chips en forma externa en pila.
FABRICACIÓN DE UN MÓDULO DE MEMORIA.

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El proceso de fabricación de un módulo de memoria se desarrolla en dos

procesos bien diferenciados, en primer lugar se forma el chip y a continuación se fabrica
lo que es el propio módulo. Se describen a continuación ambos procesos.
FORMACIÓN DEL CHIP

Increíble pero cierto: la memoria comienza como arena común de playa. La arena
contiene silicio, que es el componente primario en la fabricación de semiconductores
o “chips”. El silicio se extrae de la arena, se derrite, se corta, se planta y se pule en
wafers de silicio. Durante el procesamiento de fabricación de chips, los patrones
intricados de circuitos se imprimen en los circuitos mediante una variedad de técnicas.
Una vez que se completa esto, los chips se prueban y se cortan. Los chips buenos se
separan y se procede a una etapa llamada “enlace”: este proceso establece las
conexiones entre el chip y las guías de oro o de estaño, o las pines. Una vez que se
enlazan los chips, estos se empacan en gabinetes de plástico o cerámica sellados
herméticamente. Después de la inspección, estos están listos para su venta.
FORMACIÓN DEL MÓDULO DE MEMORIA

Este es el lugar donde los fabricantes del módulo de memoria entran al escenario.
Hay tres componentes principales que forman el módulo de memoria: los chips de la
memoria como el PCB y otros elementos “de tarjetas” tales como resistencias y
capacitores. Los ingenieros de diseño utilizan programas CAD (diseño asistido por
computadoras) para diseñar el PCB. La construcción de una tarjeta de alta calidad
requiere una consideración cuidadosa de la colocación y de la longitud de rastros en
cada línea de señal. El proceso básico de la fabricación de PCB es muy similar al de los
chips de la memoria. La cubierta, las técnicas de grabado crean trazos de cobre en la
superficie de la tarjeta. Después de que se produce el PCB, el módulo está listo para
ensamble. Sistemas automatizados realizan el ensamble de montaje en la superficie y de
perforación de los componentes en el PCB. La adición se realiza con pasta de soldadura
que después se calienta y se enfría para formar un enlace permanente. Los módulos que
pasan la inspección se empacan y se envían para la instalación en una computadora.
Fig 11. Formación de un módulo de memoria.
FUNCIONAMIENTO DE LA MEMORIA

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Fig15. Principales componentes de un sistema de computadora
El CPU con frecuencia se conoce como el cerebro de la computadora. Este es el

lugar donde se realizan todas las acciones de la computadora.
El conjunto de chips soporta el CPU. Generalmente contiene varios

“controladores” que controlan la forma en que viaja la información entre el procesador
y otros componentes en el sistema. Algunos sistemas tienen más de un conjunto de
chips.
El controlador de memoria es parte del conjunto de chips y este controlador

establece el flujo de información entre la memoria y el CPU.
Un bus es una ruta de datos en una computadora, el cual consiste de varios

cables en paralelo a los que están conectados al CPU, la memoria y todos los
dispositivos de entrada/salida. El diseño del bus o la arquitectura del bus determina
cuántos y qué tan rápido se pueden mover los datos a lo largo de la tarjeta madre. Hay
distintas clases de buses en el sistema, dependiendo de las velocidades que se requieran
para los componentes en particular.
El bus de memoria va del controlador de la memoria a los sockets de memoria

de la computadora. Los sistemas más nuevos tienen una arquitectura de bus de memoria
en el que el bus frontal (FSB) va del CPU a la memoria principal y el bus inverso
(BSB), el cual va del controlador de la memoria a la memoria caché L2.
Cuando el CPU necesita información de la memoria, éste envía una solicitud que
se administra en el controlador de memoria. El controlador de memoria envía la
solicitud de la memoria e informa al CPU cuando la información estará disponible para

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leerla. Este ciclo completo, que va del CPU al controlador de la memoria y de ahí a la
memoria y de regreso al CPU, puede variar en longitud de acuerdo con la velocidad de
la memoria, así como de otros factores tales como la velocidad del bus.
La velocidad de la memoria a veces se mide en megahertz (MHz), o en términos de
tiempo de acceso, el tiempo real requerido para generar datos, medido en
nanosegundos (ns). Ya sea que se mida en megahertz o nano segundos, la velocidad de
la memoria indica la rapidez con la que el módulo de memoria puede generar una
solicitud una vez que la recibe.
DETECCIÓN Y CORRECCIÓN DE ERRORES.
Existen dos clases de errores en los sistemas de memoria, las fallas (Hard fails)
que son daños en el hardware y los errores (soft errors) provocados por causas fortuitas.
Los primeros son relativamente fáciles de detectar (en algunas condiciones el
diagnóstico es equivocado), los segundos al ser resultado de eventos aleatorios, son más
difíciles de hallar. En la actualidad la confiabilidad de las memorias RAM frente a los
errores, es suficientemente alta como para no realizar verificación sobre los datos
almacenados, por lo menos para aplicaciones de oficina y caseras. En los usos más
críticos, se aplican técnicas de corrección y detección de errores basadas en diferentes
estrategias:
La técnica del bit de paridad consiste en guardar un bit adicional por cada byte
de datos, y en la lectura se comprueba si el número de unos es par (paridad par) o impar
(paridad impar), detectándose así el error. Un bit de paridad es un dígito binario que
indica si el número de bits con un valor de 1 en un conjunto de bits es par o impar. Los
bits de paridad conforman el método de detección de errores más simple.
Hay dos tipos de bits de paridad: bit de paridad par y bit de paridad impar.
El bit de paridad par se pone a 1 si el número de unos en un conjunto de bits es impar,
haciendo de esta forma que el número total de bits (datos+paridad) sea par.
El bit de paridad impar se pone a 0 si el número de unos en un conjunto de bits es par,
haciendo de esta forma que el número total de bits (datos+paridad) sea impar.
La paridad par es un caso especial del control de redundancia cíclica (CRC), donde el
bit de CRC se genera por el polinomio x+1.
Nótese que este método detecta los errores, pero no los corrige (salvo en el caso de que
la palabra transmitida sea de tamaño 1 bit)
Una técnica mejor es la que usa ECC, que permite detectar errores de 1 a 4 bits
y corregir errores que afecten a un sólo bit esta técnica se usa sólo en sistemas que
requieren alta fiabilidad.
Por lo general los sistemas con cualquier tipo de protección contra errores tiene
un costo más alto, y sufren de pequeñas penalizaciones en desempeño, con respecto a
los sistemas sin protección. Para tener un sistema con ECC o paridad, el chipset y las
memorias debe tener soportar esas tecnologías. La mayoría de placas base no poseen
dicho soporte.
Para los fallos de memoria se pueden utilizar herramientas de software

especializadas que realizan pruebas integrales sobre los módulos de memoria RAM.

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Entre estos programas uno de los más conocidos es la aplicación Memtest86+ que
detecta fallos de memoria
TIPOS DE MÓDULOS
SIMM: [WWW2]
Siglas de Single In-line Memory Module), es un formato para módulos de
memoria RAM que consisten en placas de circuito impreso sobre las que se montan los
integrados de memoria DRAM. Estos módulos se insertan en zócalos sobre la placa
base. Los contactos en ambas caras están interconectados, esta es la mayor diferencia
respecto de sus sucesores los DIMMs. Fueron muy populares desde principios de los 80
hasta finales de los 90, el formato fue estandarizado por JEDEC bajo el número JESD-
21C.
Los módulos DIMM son reconocibles externamente por poseer sus contactos (o pines)
separados en ambos lados de modo que los de un lado están unidos con los del otro.
Un SIMM se comunica con el PC a 32 bits.
Fig12. SIMM de 30 pines y 72 pines
Pin Nombre Descripción Pin # Non-Parity Parity Signal Description

1 VCC +5 VDC 1 VSS VSS Ground
Column
Address
2 /CAS Strobe 2 DQ0 DQ0 Data 0
3 DQ0 Data 0 3 DQ1 DQ1 Data 1
4 A0 Address 0 4 DQ2 DQ2 Data 2
9 GND Ground 9 DQ7 DQ7 Data 7
10 DQ2 Data 2 10 VCC VCC +5 VDC
11 A4 Address 4 11 PD1 PD1 Presence Detect 1
12 A5 Address 5 12 A0 A0 Address 0
13 DQ3 Data 3 13 A1 A1 Address 1
16 DQ4 Data 4 16 A4 A4 Address 4
20 DQ5 Data 5 20 n/c PQ8 Data 8 (Parity 1)
21 /WE Write Enable 21 DQ9 DQ9 Data 9

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22 GND Ground 22 DQ10 DQ10 Data 10

Data Parity
26 QP Out 26 DQ14 DQ14 Data 14
Row
Address
27 /RAS Strobe 27 DQ15 DQ15 Data 15
Column
Address
28 /CASP Strobe Parity 28 A7 A7 Address 7
Data Parity
29 DP In 29 A11 A11 Address 11
30 VCC +5 VDC
Tabla1. SIMM de 30 pines 30 VCC VCC +5 VDC
 QP y DP no está 31 A8 A8 Address 8
conectados en los modelos 32 A9 A9 Address 9
sin paridad 33 /RAS3 RAS3 Row Address Strobe 3
 A9 no está conectado en 34 /RAS2 RAS2 Row Address Strobe 2
35 DQ16 DQ16 Data 16
los de 256 kB.
36 n/c PQ17 Data 17 (Parity 2)
 A10 no está conectado
en los de 256 kB y 1 MB. 38 DQ19 DQ19 Data 19
 A11 no está conectado 39 VSS VSS Ground
en los de 256 kB, 1 MB y 4 40 /CAS0 CAS0 Column Address Strobe 0
MB 41 /CAS2 CAS2 Column Address Strobe 2
42 /CAS3 CAS3 Column Address Strobe 3
43 /CAS1 CAS1 Column Address Strobe 1
44 /RAS0 RAS0 Row Address Strobe 0
45 /RAS1 RAS1 Row Address Strobe 1
46 A12 A12 Address 12
47 /WE WE Read/Write
48 A13 A13 Address 13
61 VCC VCC +5 VDC
66 PD2 PD2 Presence Detect 2

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72 VSS VSS Ground
Tabla2. SIMM de 72 contactos
DIMM: [WWW3]
Son las siglas de «Dual In-line Memory Module» y que podemos traducir como
Módulo de Memoria en línea doble. Son módulos de memoria RAM utilizados en
ordenadores personales, comenzaron a reemplazar a las SIMM como el tipo
predominante de memoria cuando los microprocesadores Intel Pentium dominaron
el mercado. Se trata de un pequeño circuito impreso que contiene chips de memoria y
se conecta directamente en ranuras de la placa base. Los módulos DIMM son
reconocibles externamente por poseer sus contactos (o pines) separados en ambos lados.
Fig13. Memoria DIMM.
Un DIMM puede comunicarse con el PC a 64 bits (y algunos a 72 bits). Los módulos

DIMM poseen chips de memoria en ambos lados de la placa de circuito impresa, y
poseen a la vez, 84 contactos de cada lado, lo cual suma un total de 168 contactos.
Además de ser de mayores dimensiones que los módulos SIMM (130x25mm), estos
módulos poseen una segunda muesca que evita confusiones.
Cabe observar que los conectores DIMM han sido mejorados para facilitar su inserción,
gracias a las palancas ubicadas a ambos lados de cada conector.
También existen módulos más pequeños, conocidos como SO DIMM (DIMM de

contorno pequeño), diseñados para ordenadores portátiles. Los módulos SO DIMM sólo
cuentan con 144 contactos en el caso de las memorias de 64 bits, y con 77 contactos en
el caso de las memorias de 32 bits.
RIMM:

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La Memoria Ram
Acrónimo de Rambus Inline Memory Module(Módulo de Memoria en Línea

Rambus), designa a los módulos de memoria RAM que utilizan una tecnología
denominada RDRAM, desarrollada por Rambus Inc. a mediados de los años 1990 con
el fin de introducir un módulo de memoria con niveles de rendimiento muy superiores a
los módulos de memoria SDRAM de 100 Mhz y 133 Mhz disponibles en aquellos años.
Los módulos RIMM RDRAM cuentan con 184 pines y debido a sus altas frecuencias de
trabajo requieren de difusores de calor consistentes en una placa metálica que recubre
los chips del módulo. Se basan en un bus de datos de 16 bits y están disponibles en
velocidades de 300MHz (PC-600), 356 Mhz (PC-700), 400 Mhz (PC-800) y 533 Mhz
(PC-1066) que por su pobre bus de 16 bits tenía un rendimiento 4 veces menor que la
DDR. La RIMM de 533MHz tiene un rendimiento similar al de un módulo DDR133, a
pesar de que sus latencias son 10 veces peores que la DDR.
Fig14. Módulo de memoria RIMM
Inicialmente los módulos RIMM fueron introducidos para su uso en servidores

basados en Intel Pentium 4.
A pesar de tener la tecnología RDRAM niveles de rendimiento muy superiores a

la tecnología SDRAM y las primeras generaciones de DDR RAM, debido al alto costo
de esta tecnología no han tenido gran aceptación en el mercado de PC. Su momento
álgido tuvo lugar durante el periodo de introducción del Pentium 4 para el cual se
diseñaron las primeras placas base, pero Intel ante la necesidad de lanzar equipos más
económicos decidió lanzar placas base con soporte para SDRAM y más adelante para
DDR RAM desplazando esta última tecnología a los módulos RIMM del mercado.
[WWW4]
Al igual que con los módulos DIMM, también existen módulos más pequeños,
conocidos como SO RIMM (RIMM de contorno pequeño), diseñados para ordenadores
portátiles. Los módulos SO RIMM poseen sólo 160 clavijas
SIMM DIMM RIM

Poseen sus contactos
separados en ambos
Poseen los contactos lados requieren de
Poseen sus
Aparieciencia de modo que los de difusores de calor
contactos separados
Externa un lado están unidos consistentes en una
en ambos lados
con los del otro placa metálica que
recubre los chips del
módulo
Nº Muescas Una Dos Dos
84 pines a cada
Nº de Pines 30 ó 72 184 pines
lado, en total 168

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La Memoria Ram
Aparece Principios de 1.980 Principios de 1.990

A mediados de 1.990.
Velocidad 133 MHz 133-533 MHz
servidores basados en
Uso Principal Ordenador Personal Ordenador Personal
Intel Pentium 4
Dimensiones 108x25mm 130x25mm -
Tabla3. Comparación módulos SIMM, DIMM y RIMM
TECNOLOGÍAS DE MEMORIA
La tecnología de memoria actual usa una señal de sincronización para realizar

las funciones de lectura-escritura de manera que siempre esta sincronizada con un reloj
del bus de memoria, a diferencia de las antiguas memorias FPM y EDO que eran
asíncronas. Hace más de una década toda la industria se decantó por las tecnologías
síncronas, ya que permiten construir integrados que funcionen a una frecuencia superior
a 66 MHz (A día de hoy, se han superado con creces los 1600 Mhz).
SDR SDRAM [WWW5]
Memoria síncrona, es decir el cambio de estado tiene lugar en el momento

señalado por una señal de reloj y, por lo tanto, está sincronizada con el bus de sistema
del ordenador, con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns. El reloj también permite
controlar una máquina de estados finitos interna que controla la función de "pipeline" de
las instrucciones de entrada. Esto permite que el chip tenga un patrón de operación más
complejo que la DRAM asíncrona, que no tiene una interfaz de sincronización.
El método de segmentación significa que el chip puede aceptar una nueva

instrucción antes de que haya terminado de procesar la anterior. En una escritura de
datos, el comando "escribir" puede ser seguido inmediatamente por otra instrucción, sin
esperar a que los datos se escriban en la matriz de memoria. En una lectura, los datos
solicitados aparecen después de un número fijo de pulsos de reloj tras la instrucción de
lectura, durante los cuales se pueden enviar otras instrucciones adicionales. (Este retraso
se llama latencia y es un parámetro importante a considerar cuando se compra una
memoria SDRAM para un ordenador.)
Se presentan en módulos DIMM de 168 contactos. Fue utilizada en los Pentium

II y en los Pentium III , así como en los AMD K6, AMD Athlon K7 y Duron. Los tipos
disponibles son:
PC100: SDR SDRAM, funciona a un máx de 100 MHz.
PC133: SDR SDRAM, funciona a un máx de 133 MHz.

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La Memoria Ram
Fig16. Memoria SDR SDRAM
DDR SDRAM [WWW6]
Memoria síncrona, envía los datos dos veces por cada ciclo de reloj. De este modo
trabaja al doble de velocidad del bus del sistema, sin necesidad de aumentar la
frecuencia de reloj. Se presenta en módulos DIMM de 184 contactos en el caso de
ordenador de escritorio y en módulos de 144 contactos para los ordenadores portátiles.
Los tipos disponibles son:
• PC2100 o DDR 266: funciona a un máx de 133 MHz.
Muchas placas base permiten utilizar estas memorias en dos modos de trabajo
distintos:
Single Memory Channel: Todos los módulos de memoria intercambian

información con el bus a través de un sólo canal, para ello sólo es necesario introducir
todos los módulos DIMMs en el mismo banco de slots.
Dual Memory Channel: Se reparten los módulos de memoria entre los dos
bancos de slots diferenciados en la placa base, y pueden intercambiar datos con el bus a
través de dos canales simultáneos, uno para cada banco.

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La Memoria Ram
Fig17. Memoria DDR SDRAM
DDR2 SDRAM
Las memorias DDR 2 son una mejora de las memorias DDR (Double Data
Rate), que permiten que los búferes de entrada/salida trabajen al doble de la frecuencia
del núcleo, permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro transferencias.
Este sistema funciona debido a que dentro de las memorias hay un pequeño buffer que
es el que guarda la información para luego transmitirla fuera del módulo de memoria,
este buffer en el caso de la DDR convencional trabajaba tomando los 2 bits para
transmitirlos en 1 sólo ciclo, lo que aumenta la frecuencia final. En las DDR2, el buffer
almacena 4 bits para luego enviarlos, lo que a su vez redobla la frecuencia nominal sin
necesidad de aumentar la frecuencia real de los módulos de memoria.
Este tipo de memorias operan tanto en el flanco alto del reloj como en el bajo, en
los puntos de 0 voltios y 1,8 voltios, lo que reduce el consumo de energía en
aproximadamente el 50 por ciento del consumo de las DDR, que trabajaban a 0 voltios
y a 2,5.
Se presentan en módulos DIMM de 240 contactos. Los tipos disponibles son:

Datos Máxima
Nombre Velocidad Tiempo entre Velocidad del
transferidos por capacidad de
estándar del reloj señales reloj de E/S
segundo transferencia
DDR2-400 100 MHz 10 ns 200 MHz 400 millones 3200 MB/s
DDR2-533 133 MHz 7,5 ns 266 MHz 533 millones 4264 MB/s
DDR2-600 150 MHz 6,7 ns 300 MHz 600 millones 4800 MB/s
DDR2-667 166 MHz 6 ns 333 MHz 667 Millones 5336 MB/s
DDR2-800 200 MHz 5 ns 400 MHz 800 Millones 6400 MB/s
DDR2-1000 250 MHz 3,75 ns 500 MHz 1000 Millones 8000 MB/s
Tabla4. Módulos de Memoria DDR2
Fig.18 Módulo de memoria DDR2

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La Memoria Ram
DDR3 SDRAM
Las memorias DDR 3 son la evolución de las memorias DDR 2,

proporcionansignificantes mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que
lleva consigo una disminución del gasto global de consumo. Los módulos DIMM DDR
3 tienen 240 pines, el mismo número que DDR 2; sin embargo, los DIMMs son
físicamente incompatibles, debido a una ubicación diferente de la muesca.
La transferencia de datos es de 1066 MHz, 1333 MHz ó 1666 MHz (PC3 8500,
PC310600 y PC3 12800 respectivamente). La estructura física está determinada por
240-pines DIMM (Dual In line Memory Module) para Desktops o Workstation Servers
y 204 pines SODIMM (Small Dual In line Memory Module) para netbooks ó
notebooks.
Fig 19. Comparación DDR, DDR2 y DDR3
RDRAM (Rambus DRAM) [WWW7]
La RDRAM es un tipo de memoria síncrona, conocida como Rambus DRAM,

debido a que la compañia RAMBUS fue la desarrolladora. Éste es un tipo de memoria
de siguiente generación a la DRAM en la que se ha rediseñado la DRAM desde la base
pensando en cómo se debería integrar en un sistema.
El modo de funcionar de estas memorias es diferente a las DRAM, cambios

producidos en una serie de decisiones de diseño que no buscan solo proporcionar un
alto ancho de banda, sino que también solucionan los problemas de granularidad y

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La Memoria Ram
número de pins. Este tipo de memoria se utilizó en el sistema de videojuegos Nintendo

64 de Nintendo y otros aparatos de posterior salida.
Una de las características más destacable dentro de las RDRAM es que su ancho
de palabra es de tan sólo 16 bits comparado con los 64 a los que trabajan las SDRAM, y
también trabaja a una velocidad mucho mayor, llegando hasta los 400Mhz. Al trabajar
en flancos positivos y negativos, se puede decir que puede alcanzar unos 800 Mhz
virtuales o equivalentes; este conjunto le da un amplio ancho de banda. Por eso, a pesar
de diseñarse como alternativa a la SDR SDRAM, se convirtió en competidora de la
DDR SDRAM.
En la época en la que se diseñaron suspusieron un gran reto para los ingenieros,

debido principalmente a la necesidad de utilizar chips estables a alta frecuencia, lo que
requería un silicio especialmente puro y que encareció el precio de las memorias por
encima de sus competidoras.
Posteriormente nos encontramos que la frecuencia principal de las RDRAM

llegó a los 1200 Mhz, incorporando dos canales RDRAM separados, a 1200 Mhz en un
solo módulo RIMM 4800. Además, han pasado de RIMMs de 16 bits a conseguir
módulos de 32 y 64 bits.
La RDRAM se presenta en módulos RIMM de 184 contactos.
Fig20. Módulo de Memoria RDRAM.
PRINCIPALES FABRICANTES DE MEMORIAS RAM
KINGSTON
Fundada en 1987, Kingston Technology es el fabricante independiente de productos

de memoria más grande del mundo. Kingston diseña y fabrica memoria para
ordenadores personales, ordenadores portátiles, servidores, estaciones de trabajo,
impresoras, cámaras digitales, routters, palmtops, MP3 y otros dispositivos digitales.
Kingston posee una posición única en el mercado de memoria puesto que

mantiene relaciones claves con los más grandes fabricantes de semiconductores,
fabricantes de sistemas (OEMs) y canal de distribución. La compañía además tiene
empresas hermanas en los sectores de empaquetamiento de componentes (Payton
Technology fabricante de chips de memoria), procesos de pruebas y laboratorio de
validación de pruebas (AVL) completo.
Una compañía global con más de 2000 productos y ventas de más de 1000
millones de dólares al año, Kingston sirve una red internacional de distribuidores y

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La Memoria Ram
clientes OEM en EE.UU.; Europa, Asia, África, Australia, y Latinoamérica,

representando más de 3000 localidades a nivel mundial.
MAXTOR
Maxtor Corporation fue un fabricante estadounidense de discos duros con sede

en Milpitas, California. En 2005 tenía una plantilla de 13.500 trabajadores.
Maxtor Corporation fue fundado en 1982 y con la compra de Quantum en octubre de
2000 se introdujo en el mercado de discos duros. Con la adquisición posterior de MMC
Technology (septiembre de 2001) se convirtió en uno de los principales fabricantes de
discos duros del mundo. En 2004 alcanzó una cifra de ventas de 3.800 millones de
dólares.
En 2005 Maxtor era, por cifras de ventas, el cuarto fabricante del mundo por detrás de
Seagate, Western Digital e Hitachi.
El 21 de diciembre de 2005 la empresa fue adquirida, mediante un intercambio de
acciones con un valor de 1.900 millones de dólares, por su rival Seagate. Sin embargo,
se conservó la marca Maxtor.[1]
Sin embargo, todos los discos duros que se venden bajo la marca Maxtor son fabricados
por Seagate, por lo que Maxtor dejó de fabricar discos duros.
GLOSARIO
Actualizar: La actualización mantiene los datos almacenados en DRAM. El

proceso de actualización de celdas eléctricas de un componente DRAM es similar a
recargar las baterías. Distintos componentes DRAM requieren distintos métodos de
actualización.
Almacenamiento: Un dispositivo que mantiene datos, tal como el disco duro o

el CD-ROM.
Ancho de banda: La cantidad de datos que se mueven en líneas electrónicas, tales como
un bus, por segundo. Generalmente, el ancho de banda se mide en bits por segundo,
bytes por segundo o ciclos por segundo (Hertzios).
Auto-actualización: Una tecnología de memoria que permite que DRAM se

actualice a sí misma y que sea independiente del CPU o de un conjunto externo de
circuitos de actualización.
La tecnología de auto-actualización se construye en el chip DRAM mismo y reduce
dramáticamente el consumo de energía. Las computadoras portátiles utilizan
esta tecnología.
Banco de memoria: Una unidad lógica de memoria en una computadora, cuyo
tamaño determina el CPU.
Por ejemplo, un CPU a 32 bits requiere bancos de memoria que proporcionen 32 bits
de memoria a la vez. Un banco puede consistir en uno o más módulos de memoria.
BGA (Estructura de rejilla de bola): Un empaque de chips que tiene esferas

soldadas en la parte inferior para el montaje. BGA permite realizar una reducción en el
tamaño de empaque del colorante, la mejor disipación de calor y mayores densidades
del módulo.

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La Memoria Ram
Binario: Un sistema de numeración que utiliza combinaciones de 0 y 1 para

representar datos.
También se conoce como Base 2.
Bit: La unidad más pequeña de información que procesa la computadora. Un bit

es 1 ó 0.
Búfer: Un área de espera para datos compartidos por los dispositivos que operan
a distintas velocidades o tienen distintas prioridades. Un búfer permite que un
dispositivo opere sin retrasos que impongan otros dispositivos.
Bus: Una ruta de datos en la computadora, la cual consiste de diversos cables en

paralelo
a los que están conectados el CPU, la memoria y todos los dispositivos de
entrada/salida.
Bus de memoria: El bus que va del CPU a las ranuras de expansión de memoria.
Bus frontal (FSB): La ruta de datos que va del CPU a la memoria principal
(RAM).
Bus independiente (DIB): Una arquitectura de bus desarrollada por Intel que
ofrece un ancho de banda doble más grande con acceso a dos buses distintos (frontal y
posterior) al procesador.
Bus local VESA (VL – Bus): Un bus local a 32bits que va del CPU a los
dispositivos periféricos a una velocidad de 40MHz.
Bus posterior (BSB): La ruta de datos que va del CPU a la memoria caché L2.
Byte: Ocho bits de información. El byte es la unidad fundamental del

procesamiento del ordenador; casi todas las especificaciones y medidas del desempeño
del ordenador se dan en bytes o múltiplos.
Caché de nivel I (L1): También conocido como caché primario, Caché L1 es

una pequeña cantidad de memoria de alta velocidad que reside sobre o muy cerca del
procesador. Caché L1 suministra al procesador los datos e instrucciones solicitados con
más frecuencia.
Caché de nivel 2 (L2): También conocida como caché secundaria, Caché L2 es

una pequeña cantidad de memoria de alta velocidad que se encuentra cerca del CPU y
generalmente en la placa base. La Caché L2 suministra al procesador los datos e
instrucciones solicitados con más frecuencia. Dependiendo de la placa base, la caché de
nivel 2 se puede actualizar.
Chip Hill: Una tecnología IBM que verifica errores, la cuál protege al sistema
de una falla individual del chip de memoria, así como de errores de múltiples bits en
cualquier parte del chip de memoria.
Ciclo de bus Una transacción sencilla entre la memoria principal y el CPU.

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La Memoria Ram
Conjunto de chips: Microchips que dan soporte al CPU. Generalmente, el

conjunto de chips contiene varios controladores que gobiernan la forma en que viaja la
información entre el procesador y otros componentes.
CPU (Unidad de procesamiento central): El chip de computadora que tiene la

responsabilidad primaria de interpretar comandos y ejecutar programas. El CPU
también se conoce como el procesador o microprocesador.
DDR SDRAM: Memoria de acceso directo dinámico sincrónico de velocidad de

doble datos. La última generación de tecnología SDRAM. Los datos se leen tanto en el
extremo ascendente como en el descendente del reloj de la computadora, generando así
un ancho de banda doble del SDRAM estándar. Con SDRAM DDR, la velocidad de la
memoria se duplica sin aumentar la frecuencia del reloj.
DIMM (Módulo de memoria en línea dual): El conjunto de tarjetas de circuitos

impresos con contactos de oro y dispositivos de memoria. Un DIMM es similar a un
SIMM, pero con una diferencia principal: a diferencia de las guías de metal a cada lado
de un SIMM, que se “unen” eléctricamente, las guías a cada lado del DIMM son
independientes eléctricamente.
DIP (Empaque en línea dual): Un empaque de componente de DRAM. Los

DIP se pueden instalar en sockets o soldar en forma permanente en orificios en el
conjunto de tarjetas de circuitos impresos. El empaque de bits fue extremadamente
popular cuando se instalaba la memoria directamente en la tarjeta madre.
Dispersor de calor: Una cubierta, generalmente de aluminio, que tapa un

dispositivo electrónico y disipa calor.
DRAM: Memoria dinámica de acceso aleatoria. La forma más común de RAM.

DRAM puede mantener datos sólo durante un corto tiempo. Para retener datos, DRAM
debe actualizarse periódicamente. Si las celdas no se actualizan, los datos desaparecen.
ECC: Código de corrección de errores. Un método para verificar la integridad de

los datos en DRAM. ECC proporciona una detección de errores más elaborada que la
paridad. ECC puede detectar errores de bits múltiples y puede localizar y corregir
errores de bits sencillos.
EDO (Datos ampliados hacia fuera): Una tecnología de DRAM que hace más
corto el ciclo de lectura entre la memoria y el CPU. Las computadoras que soportan la
memoria EDO permiten que un CPU tenga acceso a la memoria en 10 ó 20% más
rápido en comparación con la memoria en modo de localización rápida.
EDRAM: La memoria de DRAM Enhanced Memory Sistems, Inc. Que contiene

una pequeña cantidad de SDRAM.
EEPROM .Memoria de sólo lectura programable y borrable en forma eléctrica.

Un chip de memoria que retiene el contenido de datos después de haber quitado la
energía. EEPROM se puede borrar y volver a programar dentro del ordenador o en
forma externa.

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La Memoria Ram
Entubado: Una técnica en la que la memoria carga los contenidos en la memoria

solicitados en una pequeña memoria caché compuesta de SRAM e inmediatamente
comienza a buscar el siguiente contenido de memoria. Esto crea una tubería en dos
etapas, en la que los datos se leen o se escriben en SRAM en una etapa y los datos se
leen o se escriben en la memoria en otra etapa.
EPROM : Memoria de sólo lectura programable y borrable. Un chip

programable y que se puede volver a usar que detiene su contenido hasta que se borra
bajo luz ultravioleta. Un equipo especial borra y reprograma los EPROM.
ESDRAM: DRAM sincrónicamente mejorada. Enhanced Memory Systems, Inc.

reemplaza la SDRAM incrustada en sistemas integrados y ofrece una velocidad
comparable, pero con menos consumo de energía y menor costo.
Esquema de bancos: Un método de diagrama de configuraciones de memoria.

El esquema de bancos consiste en filas y/o columnas que representan sockets de
memoria en una tarjeta de ordenador. Las filas indican sockets independientes.
Estado en espera: Un periodo inactivo para el procesador. Los estados en espera

son el resultado de distintas velocidades de reloj del procesador y la memoria, en los
cuales la memoria generalmente es más lenta.
Factor de forma: El tamaño, configuración y otras especificaciones utilizadas

para describir el hardware.
Gigabyte: Aproximadamente 1,000 millones de bytes o exactamente 1byte por

1,0243 (1,073, 741, 824) bytes.
Gigabit: Aproximadamente 1,000 millones de bits o exactamente 1bit x 1,0243

(1,073,741, 824) bits.
IC (Circuito integrado): Un circuito electrónico en un chip semiconductor. El

circuito incluye componentes y conectores. Generalmente, un chip semiconductor se
moldea en una caja de plástico cerámica y tiene pines de conector externas.
Intercambio: Utilizando parte de la unidad de disco duro, como memoria

cuando RAM está llena.
JEDEC: Joint Electron Device Engineering Council. Un organismo de la
Alianza de Industrias Electrónicas (CIA) que establece las normas de ingeniería de
semiconductores.
Kilo bit: Aproximadamente mil bits o exactamente 1 bit x 210 (1,024) bits.
Kilo byte: Aproximadamente mil bytes o exactamente 1 byte x 210 (1,024)

bytes.
Latencia CAS: La proporción entre el tiempo de acceso de las columnas y el

tiempo de ciclo de reloj. La Latencia 2 (CL2) ofrece un ligero aumento de rendimiento
sobre la Latencia CAS (CL3).

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La Memoria Ram
Megabit: Aproximadamente un millón de bits o exactamente 1bit x 1,0242

1,048,576) bits.
Megabyte: Aproximadamente un millón de bytes o exactamente 1bit x 1,0242

(1,048,576) bytes.
Memoria caché: Una pequeña cantidad (normalmente menos de 1MB) de

memoria de alta velocidad que reside dentro o cerca del CPU. La memoria caché
proporciona al procesador los datos e instrucciones solicitados con más frecuencia. La
memoria caché de Nivel 1 (caché primario) es la más cercana al procesador. La caché
de Nivel 2 (caché secundaria) es la segunda caché más cercana al procesador y
generalmente se encuentra en la placa base.
Micro BGA (BGA): La técnica de empaque de chips BGA Tessera, Inc.

permiten la reducción en el tamaño de empaque, disipación de calor mejorada y
mayores densidades del módulo.
Modo de explosión: Transmisión a alta velocidad de un bloque de datos (una

serie de direcciones consecutivas) cuando el procesador solicita una dirección sencilla.
Modo de localización Una forma temprana de DRAM. La ventaja de modo de
localización rápido sobre rápido tecnologías anteriores de memoria del modo de
localización fue el acceso más rápido a los datos en la misma fila.
Nano segundo (ns): Una mil millonésima parte de un segundo (1/1,000,000,000). Los
tiempos de acceso de los datos de memoria se encuentra en nona egundos.
Paquete a escala (CSP): Empaque delgado de chips mediante en el cual las

conexiones eléctricas de chips normalmente se hacen a través de una estructura de
rejilla de esfera. El empaque de escala de chips se utiliza en la memoria RDRAM y
memoria flash.
Paridad : Verificación de integridad de datos que agrega un bit sencillo en cada

byte de datos. El bit de paridad se utiliza para detectar errores en los datos de 8bits.
Paridad Impar: Verificación de integridad de datos en la que el bit de paridad

verifica un número impar de 1s.
Paridad Par: Un tipo de verificación de integridad de datos mediante la cual el
bit de paridad verifica que haya un número par de 1.
PCB: Conjunto de tarjetas de circuitos impresos. Tarjetas generalmente planas y

de capasmúltiples hechas de fibra de vidrio con rastros eléctricos. La superficie y las
subcapas utilizan rastros de cobre para proporcionar conexiones eléctricas para chip y
otros componentes. Los ejemplos de PCB incluyen: placas base, SIMM y memorias
para tarjetas de crédito.
PCI: Interconexión de componentes periféricos. Un bus periférico que puede

enviar 32 ó 64 bits de datos en forma simultánea. PCI ofrece capacidad de plug-and-
play.

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La Memoria Ram
RIMM®: El nombre de marca para el módulo de la memoria Direct Rambus. Un

RIMM se adapta al factor de forma del DIMM y transfiere 16bits de datos en el
momento.
SDRAM: DRAM sincrónica. Una tecnología DRAM que utiliza un reloj para
sincronizar la entrada y la salida de señal en un chip de memoria. El reloj se coordina
con el reloj del CPU para que la temporización de los chips de memoria la
temporización del CPU estén en sincronía. La DRAM sincrónica ahorra tiempo al
ejecutar comandos y transmitir datos, incrementando así el desempeño general de la
computadora. SDRAM permite que el CPU tenga acceso a la memoria
aproximadamente un 25% más rápido que la memoria EDO.
SIMM: (Módulo de memoria de línea única. Una tarjeta de circuitos impresos

que tiene dispositivos de memoria y contactos de oro o estaño/plomo. Un SIMM se
conecta a un socket de expansión de memoria y de la computadora. Los SIMM ofrecen
dos ventajas principales: Son fáciles de instalar y tienen un consumo mínimo de
superficie de la tarjeta. Un SIMM montado verticalmente sólo requiere una fracción del
espacio que requiere un DRAM montado horizontalmente. Un SIMM puede tener desde
30 y hasta 200 pines. En un SIMM, las guías de metal a cada lado de la tarjeta están
unidas eléctricamente.
SO DIMM: Módulo de memoria en línea dual de diseño pequeño. Una versión

mejorada de un DIMM estándar. Un DIMM de diseño pequeño de 72 pines tiene
aproximadamente la mitad de la longitud de un SIMM de 72 pines.
SO RIMM: El nombre con marca registrada para un módulo de memoria Direct

Rambus en computadoras portátiles. SO RIMM proporciona un ancho de banda de
memoria comparable a las configuraciones de memoria de las computadoras de
escritorio.
Socket de SIMM: Un componente de tarjeta madre que mantiene un solo SIMM.

SOJ (Guía J de diseño pequeño) Una forma común de empaque DRAM montado en
superficie. Un SOJ es un empaque rectangular con guías en forma de J en dos lados
largos.
sTSOP (Thin, Small): Una clase de empaque de chip similar a TSOP, pero la
mitad del tamaño. Su diseño (Outline Package) compacto permite a diseñadores de
módulos añadir más chips de memoria en el mismo espacio.
Placa Base: También conocida como la tarjeta lógica, tarjeta principal o tarjeta
del ordenador, la placa base es la tarjeta principal del ordenador y en la mayoría de los
casos mantiene a todo el CPU, la memoria y/o las funciones de E/S o tiene ranuras de
expansión para ellas.
Tiempo de acceso: El tiempo promedio (en nano segundos) para que RAM
complete un acceso. El tiempo de acceso se compone del tiempo y la latencia del inicio
de la dirección.
TSOP: Empaque de diseño pequeño delgado. Un empaque DRAM que utiliza

guías en forma de alas de pelícano a ambos lados. TSOP DRAM se monta directamente

26/28
La Memoria Ram
en la superficie de un conjunto de tarjetas de circuitos impresos. El paquete TSOP tiene

un tercio de espesor del SOJ. Generalmente, los componentes TSOP se encuentran en
un DIMM de diseño pequeño y memorias en tarjeta de crédito.

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La Memoria Ram
BIBLIOGRAFIA.
[Dem02] De Mora Buendía C., Castro Gil M., Yeves Gutiérrez F., Peire Arroba J., Mur
Pérez F., Pérez Molina C., López-Rey García-Rojas A., Míguez Camiña J., Sebastián
Fernández R., Estructura y tecnología de computadores I. Universidad Nacional de
Educación a distancia – Madrid, 2002
[WWW0] http://www.kingston.com/latam/tools/umg/spanish_pdfumg.pdf
[WWW1] http://es.wikipedia.org/wiki/Memoria_de_acceso_aleatorio
[WWW2] http://es.wikipedia.org/wiki/SIMM
[WWW3] http://es.wikipedia.org/wiki/DIMM
[WWW4] http://es.wikipedia.org/wiki/RIMM
[WWW5] http://es.wikipedia.org/wiki/SDRAM
[WWW6] http://es.wikipedia.org/wiki/DDR_SDRAM
[WWW7] http://es.wikipedia.org/wiki/RDRAM

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La Memoria Ram

Introducción ------------------------------------------ Pag. 2

La Memoria Ram ------------------------------------ Pag. 2

Evolución de las Memorias RAM ----------------- Pag. 4

¿Cómo Funcionan las RAM? ---------------------- Pag. 5

Fabricación de un Módulo de Memoria----------- Pag. 7.

Funcionamiento de la Memoria -------------------- Pag 10

Detección y Corrección de Errores ---------------- Pag 11

Tipos de Módulos ------------------------------------ Pag 13

Tecnologías de Memorias. -------------------------- Pag 17

Principales Fabricantes de Memoria--------------- Pag 21

Glosario ----------------------------------------------- Pag 21

Bibliografía ------------------------------------------- Pag 23

José Estévez Fernández.

La memoria RAM es uno de los componentes más importantes que podemos

La gran mayoría de la memoria de un ordenador es de tipo RAM.

A continuación conoceremos este pequeño pero gran componente, para

Random Acces Memory (Memoria de Acceso Aleatorio). Se utiliza como

k = kilo (1k = 210 = 1024 unidades)

Diferenciamos dos tipos de memorias RAM las estáticas y las dinámicas.

José Estévez Fernández.

Fig1. Diferentes tipos de RAM

José Estévez Fernández.

Fig2. Señales externas en una memoria

EVOLUCIÓN DE LAS MEMORIAS RAM

Uno de los primeros tipos de memoria RAM fue la memoria de núcleo

José Estévez Fernández.

como el SIPP, aprovechando las ventajas de la construcción modular. El formato SIMM

FPM-RAM (Fast Page Mode RAM)

EDO-RAM (Extended Data Output RAM)

BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM)

José Estévez Fernández.

Fig3. Visión más cercana del DIMM de SDRAM de 168 pin

PCB (TARJETA DE CIRCUITOS IMPRESOS)

DRAM (MEMORIA DE ACCESO ALEATORIA DINÁMICO)

CAPA DE RASTRO INTERNA

José Estévez Fernández.

EMPAQUE DE CHIPS [WWW0]

DIP (EMPAQUE EN LÍNEA DUAL)

Fig4. Empaque DIP

SOJ (GUÍA J DE DELINEADO PEQUEÑO)

Fig5. Empaque SOJ.

TSOP (EMPAQUE DE DELINEADO PEQUEÑO DELGADO)

Fig6. Empaque TSOP.

sTSOP (EMPAQUE DE DELINEADO PEQUEÑO DELGADO ENCOGIDO)

Fig7. Empaque sTSOP

CSP (PAQUETE DE ESCALA DE CHIP)

Fig8. Empaque CSP (vista superior)

Fig9. Empaque CSP (vista interior)

Fig10. Ejemplo de chips en forma externa en pila.

FABRICACIÓN DE UN MÓDULO DE MEMORIA.

José Estévez Fernández.

El proceso de fabricación de un módulo de memoria se desarrolla en dos

FORMACIÓN DEL CHIP

FORMACIÓN DEL MÓDULO DE MEMORIA

Fig 11. Formación de un módulo de memoria.

José Estévez Fernández.

Fig15. Principales componentes de un sistema de computadora

El CPU con frecuencia se conoce como el cerebro de la computadora. Este es el

El conjunto de chips soporta el CPU. Generalmente contiene varios