FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA

GRADO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y AUTOMÁTICA

EJERCICIOS PRÁCTICOS. CURSO 2013-14

Dpto. de Ing. Electrónica y Comunicaciones

Área de Tecnología Electrónica

EJERCICIOS PRÁCTICOS: ETAPAS CON BJT

3) Regulación de tensión dependiente de tensiones digitales de control.

A partir de una fuente de tensión continua de 20V, construir un
regulador de tensión, V0, dependiente de tres tensiones VA VB VC V0
digitales de control (con valores 0-5V) de la forma reflejada en 0V 0V 0V 15V
la tabla. El requerimiento máximo de corriente de salida es de
0V 0V 5V 10V
1.2A, mientras que las tensiones de control pueden suministrar
corrientes máximas de 1mA. Determinar la potencia máxima 0V 5V 0V 5V
en los componentes en que haya lugar. Para realizar el diseño, 5V 0V 0V 0V
se dispone transistores de pequeña señal y Darlington.

Consecuentemente con el enunciado, debe constatarse que la máxima corriente de salida que puede
requerirse, 1.2A, es totalmente independiente del valor, obviamente no nulo, de la tensión de salida.

 Se plantea la regulación de tensiones fijas, por lo que la solución más simple, directa y
coherente es utilizar diodos Zener para establecer la tensión en la base y, por tanto, en la carga
de emisor. Dado que es preciso fijar varias tensiones, se recurre a la conexión propia de los
elementos que trabajan en tensión, es decir, una cadena serie de diodos Zener en la base. La
selección de una u otra tensión, dependiendo de las tensiones digitales de control, se llevará a
cabo mediante el cortocircuito a masa, a través de transistores en saturación, de la parte que
corresponda de la cadena de diodos Zener. La tensión regulada llega a la carga a través de un
transistor (Darlington, en este caso), cuya conexión inicial a la alimentación garantiza su
imprescindible operación en modo activo (determinada, obviamente, por el transistor previo,
pues el de salida siempre opera en ese modo).

 A partir de los requisitos de diseño:

 Transistor de salida: La corriente máxima de base por el Darlington (T, figura 1) será:
I0 1 .2 A
IB  máx
  1.2mA
máx
 1000

La tensión se establece en VX y llega a la salida a través de T. Por tanto:

V0  VX  VBE T
 VX  1.7V

 Interruptor → transistor de pequeña señal trabajando en estados extremos

(saturación – corte). Para seleccionar la tensión de salida deseada en cada caso reflejado en
la tabla, se incluyen los correspondientes transistores, controlados por las tensiones digitales,
operando como un interruptor (TA, TB, TC).

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Fundamentos de Electrónica – Grado de Ingeniería Electrónica y Automática

VCC

R1 R2

VX VIXX
T
VZA
IA I0
+
RA
VA TA
IB
RB
VZB
VB TB V0

RC IC
VC TC
VZC

 
Figura 1

Elección de componentes:

A) Diodos Zener.

1) VA=5V, (VB, VC) valores cualesquiera  TA en saturación  ZA, ZB, ZC en corte 

V X  VCE sat . TA  0  T en corte  V0=0, IX=I0=0.

2) VB=5V, VA=0V, VC valor cualquiera  TB en saturación y TA en corte  ZA en zona Zener y

ZB, ZC en corte  V X  VZA  VCE sat . TB  VZA  V0  VX  1.7V  VZA  1.7V  5V 
VZA  6.7V , VX  6.7V .

3) VC=5V, VA=VB=0V  TC en saturación y TA y TB en corte  ZA y ZB en zona Zener y ZC en

corte  V X  VZA  VZB  VCE sat . TC  VZA  VZB  V0  VX  1.7V  10V 
VZB  5V , VX  11.7V .

4) VA=VB=VC=0  TA, TB, TC en corte  ZA, ZB y ZC en zona Zener  V X  V ZA  V ZB  VZC

 V0  VX  1.7V  VZA  VZB  VZC  1.7V  15V  VZC  5V , VX  16.7V .

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 Ejercicios prácticos: etapas con BJT

B) Selección de R1.
La resistencia R1 debe asegurar, en todo momento, la corriente necesaria para la correcta operación
del sistema, lo que conduce a la adecuada polarización de los diodos Zener en condiciones de
máxima demanda de corriente a la salida:
I0
 Corriente por R1 a suministrar a los Zener y a T: I R1  I Z  IX  IZ  máx
min máx min


VCC  VX VCC  VX
 Corriente por R1 dependiendo de la tensión VX: I R1    I R1 min
máx

R1 R1
VCC  VX (20  16.7)V 3.3V
R1  máx
   1.5k   R1  1k 
I0 (1  1.2)mA 2.2mA
IZ  máx
min


C) Transistores de control.
Se debe garantizar la saturación de los transistores TA, TB y TC mediante la selección adecuada de
las resistencias de base correspondientes: RA, RB, RC. Para ello, se debe analizar la situación más
restrictiva y el valor obtenido será aplicable en los tres casos. La condición de diseño es la
siguiente:
IC IC
 Transistor saturado: I B   situación más restrictiva: I B 
máx

 

Vi  VBE 5  0.7 4.3V

   ; i  A, B, C
Ti
 En los tres casos: I B Ti
Ri Ri Ri

 IC máx
: Situación en la que a la salida no se requiere corriente (ausencia de carga) y de
VCC  VX 20V
máxima corriente por R1  VA=5V, VB=VC=0  I C  min
  20mA
máx
R1 1k
en correspondencia, por tanto, con la saturación de TA.

4.3V 20mA
Por tanto:   R A  64k 5  R A  R B  RC  50k
RA 300

Cuanto menor sea el valor de esas resistencias, más saturados están dichos transistores (mayor
aproximación como interruptor), pero más lenta será su conmutación posterior a corte.

Además, debe verificarse el requisito de corriente máxima suministrada por las tensiones de control:
Vi  V BE (5  0.7)V 4.3V
    86 A  I control  1mA
Ti
I control Ti
Ri 50k 50k máx

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D) Potencia máxima disipada en los Zener.

Dado que los Zener se encuentran en un camino de corriente limitada por R1=1kΩ a un valor
máximo de 20mA, esas potencias serán siempre de mW, por lo que carece de todo sentido, a efectos
funcionales, su determinación concreta.

E) Potencia disipada en el transistor de salida.

Considerando la potencia en un transistor, P=VCE•IC, las condiciones de máxima disipación de
potencia en el Darlington de salida, PT, se corresponden con:
 El máximo requerimiento de corriente de salida, (I0)máx=1.2A (no dependiente, como se ha
insistido al comienzo, del valor de la tensión de salida).
 El valor máximo de la tensión colector-emisor, (VCE)máx=15V, asociado a la tensión mínima
de salida, V0=5V, habida cuenta de que con salida de 0V la corriente será nula y, por tanto,
también la potencia.

Por consiguiente: PT máx

 VCE máx
 
 I 0 máx  VCC  V0 mín  I 0 máx  (20  5)V 1.2 A  18W  Pmáx

De este modo, la potencia disipada por el transistor es superior al valor máximo especificado por el
fabricante (16W). Por este motivo, es necesario considerar la resistencia R2, conectada, en el
camino principal de corriente, entre VCC y el terminal de colector del transistor, tal como se muestra
en la figura 1, para reducir la potencia disipada por el mismo.
El requisito de diseño para la selección del valor de dicha resistencia debe ser que se garantice la
operación en modo activo del transistor T, VCE>VBE, que ya no es automática al no llevar el
colector directamente a la alimentación. En este sentido, la situación más ajustada, en cuanto a
tensión VCE en el transistor, tiene lugar con una tensión de salida de 15V, en cuyo caso solo restan
5V para el transistor y la resistencia R2. En consecuencia, para asegurar el modo activo del par:

VCE par
 VBE par
 1.7V ; tomando VCE par mín
 2V  VR 2 máx
 3V  I 0 máx
 R2  R2  2.5

De este modo:

 PT máx
 VCE máx
 I0 máx
 (20  3  5)V  1.2 A  12V  1.2 A  14.4W  Pmáx

2 2
 PR 2 máx
 I R2 máx
 R2  I 0 máx
 R2  3.6W

Como es obvio, la potencia máxima en el transistor en ausencia de R2, 18W, se reparte ahora entre
ambos componentes. De este modo, la solución de incluir una resistencia no es eficiente desde el
punto de vista de reducir la disipación del conjunto de la etapa de salida, pero al menos se logra un
reparto de la potencia para garantizar la operación segura del transistor de salida. Se manifiesta, así,
el problema inherente a todas las estructuras que trabajan en modo activo y manejan una cierta
potencia: la baja eficiencia por la disipación calorífica en la etapa de salida.

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