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    Transistores 11

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    El transistor de unión bipolar (BJT) es un dispositivo de tres terminales construido con dos junturas de semiconductores P y N, donde la corriente de salida (colector-emisor) depende de la corriente de entrada (base-emisor). Existen los transistores NPN y PNP según el tipo de material en cada parte. Para una operación normal, la juntura base-emisor debe estar polarizada directamente y la base-colector inversamente, reconociéndose tres regiones de operación: activa, saturación y corte.

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    El transistor de unión bipolar (BJT) es un dispositivo de tres terminales construido con dos junturas de semiconductores P y N, donde la corriente de salida (colector-emisor) depende de la corriente de entrada (base-emisor). Existen los transistores NPN y PNP según el tipo de material en cada parte. Para una operación normal, la juntura base-emisor debe estar polarizada directamente y la base-colector inversamente, reconociéndose tres regiones de operación: activa, saturación y corte.

    Título original

    transistores11

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    El transistor de unión bipolar (BJT) es un dispositivo de tres terminales construido con dos junturas de semiconductores P y N, donde la corriente de salida (colector-emisor) depende de la corriente de entrada (base-emisor). Existen los transistores NPN y PNP según el tipo de material en cada parte. Para una operación normal, la juntura base-emisor debe estar polarizada directamente y la base-colector inversamente, reconociéndose tres regiones de operación: activa, saturación y corte.

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    El transistor de unión bipolar (BJT) es un dispositivo de tres terminales construido con dos junturas de semiconductores P y N, donde la corriente de salida (colector-emisor) depende de la corriente de entrada (base-emisor). Existen los transistores NPN y PNP según el tipo de material en cada parte. Para una operación normal, la juntura base-emisor debe estar polarizada directamente y la base-colector inversamente, reconociéndose tres regiones de operación: activa, saturación y corte.

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    Resumen sobre Transistores BJT (v1.

    0)

    Descripción básica
    El transistor de unión bipolar (BJT) es un dispositivo electrónico de tres terminales,
    construido mediante dos junturas de semiconductores tipo P y N.
    La relación entre Tensión y Corriente del puerto de salida (colector-emisor) varía según
    la intensidad de corriente que circula por el puerto de entrada (base-emisor).
    Hay dos clases de transistores BJT, los NPN y los PNP, el nombre se refiere al tipo de
    material semiconductor utilizado en cada parte, Colector-Base-Emisor respectivamente.

    Símbolos de circuito

    NPN PNP

    Condiciones de operación

    Para obtener condiciones normales de operación las junturas deben estar polarizadas
    * base-emisor con polarización directa (en un NPN, Vbase > Vemisor)
    * base-colector con polarización inversa (en un NPN, Vbase < Vcolector )
    Además (por ley de Kirchoff de corrientes) se verifica que : Ie = Ib + Ic

    En el transistor BJT se reconocen 3 regiones de operación

    Activa: Esta región de operación se considera de corriente constante, se cumple


    aproximadamente la relación : Ic = hFE . Ib
    (En la cual hFE es la ganancia de corriente continua y depende de la
    construcción del transistor.)
    Aunque en la práctica Ic varía levemente para diferentes valores de Vce,
    para esta región se puede pensar que: la corriente Ic es una versión amplificada
    de la corriente Ib. [Zona Lineal]

    Saturación: Si Vce es demasiado pequeño, Ic ya no es proporcional a Ib, es decir,


    aunque Ib aumente, Ic no sigue ese crecimiento Ic < hFE . Ib
    La tensión Vce permanece prácticamente constante en un valor llamado Vsat,
    para esta región se puede pensar que: entre colector y emisor, el transistor
    trabaja “como una llave cerrada”. [Zona No lineal]

    Corte: Cuando Ib es muy pequeña o nula, implicará además Ic = 0.


    Lo que equivale a decir que no hay conducción entre colector y emisor.
    En esta región se puede pensar que: entre colector y emisor, el transistor trabaja
    “como una llave abierta”. [Zona No lineal]

    Hernán Echegoyemberry 1/2


    Características Ideal V-I (tensión-corriente)

    En la gráfica se ven varias curvas de Ic para diferentes corrientes Ib.


    El punto de trabajo concreto dependerá del circuito externo.

    Determinación de la región de operación

    Lo primero que hay que analizar es la Ib. Si la tensión en la juntura Vbe no supera la
    mínima Vγ (en general del orden de 0.7v), entonces Ib = 0, y el transistor estará en
    corte.
    Si ese no es el caso, se conjetura que está trabajando en Zona lineal Ic = hFE . Ib , si
    luego del cálculo se encuentran resultados erróneos o inconsistentes con los valores del
    circuito, sabremos que el transistor se encuentra en región de saturación.
    En este último caso debemos realizar los cálculos manteniendo Vce=Vsat

    Potencia admitida

    Debido a que hay circulación de corriente entre dos puntos que tienen una diferencia de
    potencial (Ic con Vce y Ib con Vbe) el transistor disipa potencia, la cual provoca un
    aumento de temperatura, que puede llegar a fundir o quemar al transistor.
    En general los transistores especifican cual es la potencia máxima que pueden disipar
    Pmax, que no debe superarse, calculando P = Vce . Ic, siempre debe ser P < Pmax.

    Dispositivos comerciales

    Los transistores BJT se comercializan mediante nombres codificados, por ejemplo


    BC548, BC557, 2N3055, etc.. Tienen diferencias constructivas que definen las
    características eléctricas tales como los valores máximos soportados de potencia,
    tensión, la ganancia de corriente, variación con la temperatura, etc.. Además se
    diferencian en la forma del encapsulado, la posición de los pines, tamaño, etc..
    Toda esta información, suele resumirse en lo que se llama una hoja de datos (datasheet)

    Hernán Echegoyemberry 2/2

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