TEMA 

3.  FENÓMENOS DE TRANSPORTE DE CARGA 
EN SEMICONDUCTORES
2
Semiconductor homogéneo en equilibrio termodinámico no  po  n i I 0

Fuera de equilibrio (homogéneo o no)  presencia de I

Pasamos de no y po a   n (r , t ), p (r , t ) determinadas por procesos de:

Arrastre (presencia de E)
I
Difusión (presencia de n o p) Ecuación de continuidad
n (r , t ), p (r , t )
Procesos de generación‐recombinación

Presencia de campos magnéticos: efecto Hall

I. Corrientes de arrastre y difusión
II. Procesos de generación‐recombinación
III. Ecuación de continuidad
IV. Efecto Hall
I. Corrientes de arrastre y difusión
Corriente de arrastre (presencia de E)
Portadores de carga con q   e en concentración  n que se mueven con velocidad media  v x

J x  qn v x I  JxA

Movimiento de portadores en un semiconductor 
Red cristalina: movimiento como partícula libre pero con masa m*
Fonones, impurezas: mecanismos de scattering cada tiempo medio 

Recorridos libres (m* masa efectiva)
Secuencia de
Mecanismos de scattering ( tiempo de relajación del momento ~ 10‐13 s)
 qE x t
En un recorrido libre de duración t en presencia de Ex: v x  v0 
m*
q
En media: v x  vd  0  Ex v0  0 por efecto de los mecanismos de scattering
*
m

velocidad de arrastre

 e n
Para e‐: v dn  E x   n E x n movilidad de electrones (cm2 / V s)
m n*
v   
 v  E
e p p movilidad de huecos (cm2 / V s)
E
Para h+: v dp  Ex  pEx
m *p
Electrones y huecos, a pesar de desplazarse en sentidos 
contrarios en presencia de un campo eléctrico, 
proporcionan corrientes en el mismo sentido (el del 
A efectos de corriente (de arrastre):  J x  qnvd campo eléctrico) debido al distinto signo de su carga.  

Para e‐: J anx  en n E x   n E x n conductividad de electrones ( cm)‐1

J   
 J  E
p conductividad de huecos ( cm)‐1 E
Para h+: J apx  ep p E x   p E x

J a  J an  J ap   n E   p E  e n n  e p p E  E   e n n  e p p conductividad del sc
 𝑣 𝜇𝐸 ⇒ 𝐽 𝜎𝐸

Relaciones lineales  Ley de Ohm (sólo válida para campos bajos)

𝐼 𝑉 1𝐿 𝐿
𝐽 𝜎𝐸 𝜎 ⇒𝑉 𝐼 𝜌 𝐼 𝐼𝑅
𝐴 𝐿 𝜎𝐴 𝐴
 𝑣 𝜇𝐸

sólo válida para campos bajos

Campos altos: saturación (Si), movilidad diferencial negativa (GaAs)
Dependencia de la movilidad con la impurificación

T= 300 K
 Dependencia de la movilidad con la temperatura

Si

Scattering con la red: 𝜇 ∝ 𝑇 1 1 1 1 1 1
⇒
𝜏 𝜏 𝜏 𝜇 𝜇 𝜇
Scattering con impurezas: 𝜇 ∝
Corriente de difusión (presencia de n )

Ley de Fick (unidimensional) para fenómenos de difusión
dN
F  D F flujo de partículas, D coeficiente de difusión, N concentración de partículas
dx
 
Flujo de electrones y de huecos en un semiconductor por difusión: J  qF
   
J dn  eDn n J dp   eD p p Corrientes de difusión de electrones y huecos
(diferente signo)

Dn y Dp: coeficientes de difusión de electrones y de huecos (cm2/s)
K BT K BT
Dn  n Dp  p relaciones de Einstein
e e
    
J dn  eDn n J dp   eD p p

significado del signo
Un mismo gradiente de concentración de electrones y 
huecos provoca su difusión en igual sentido 
(la difusión no distingue el signo de la carga), 
dando por tanto corrientes de signo contrario

Corriente total
Con campo eléctrico y distribución no homogénea de portadores:

 J n  J an  J dn  e n nE  eDn n
J  Jn  J p  
 J p  J ap  J dp  e p pE  eD p p
Nivel de Fermi constante con la posición en equilibrio

En equilibrio termodinámico (J=0, T cte) el nivel de Fermi es constante con la posición

Supongamos que en el semiconductor existe un potencial eléctrico V(x), de modo que

𝐸 𝑥 𝐸 𝑒𝑉 𝑥
EC ( x )   eV ( x )  ECo

pues –eV(x) es una energía adicional debida al potencial, superpuesta a la del H del cristal

Semiconductor tipo N, electrones, inicialmente supongamos EF(x)

 E ( x )  EC ( x )  dV ( x ) 1 dEC ( x )
n ( x )  N c exp  F  E ( x)   
 K BT  dx e dx

dn 1 dEC K T n  dE F dEC  dE
J n  en nE  eDn  e n n  e B n     n n F
dx e dx e K BT  dx dx  dx

dE F
J n  n n (incluye arrastre y difusión)
dx

como  J n  0  E F constante con  x
Al unir dos materiales con diferente nivel de Fermi, se produce una redistribución de 
portadores entre ambos hasta que se igualan los niveles de Fermi y se alcanza el 
equilibrio térmico → desequilibrio de carga  → diferencia de potencial →  campo 
eléctrico → dependencia de extremos de banda con la posición
Cuasi‐niveles de Fermi

 E  EC   E  EF 
En equilibrio n 0  N c exp  F  p 0  N v exp  V 
nivel de Fermi único  K BT   K BT 

 E  EC   EV  EFi  EFi : nivel de Fermi intrínseco

ni  N c exp  Fi   N v exp  K T 
 K B T   B 

 E  EC   E  EFi 
n0  N c exp F   ni exp F 
 K B T   K B T 
Expresiones alternativas:
 E  EF   E  EF 
p0  N v exp V   ni exp Fi 
 K BT   K BT 
 Fuera de equilibrio
En principio EF no definible y  n(EF)  y  p(EF) de equilibrio no válidas

Igual formalismo pero con dos cuasi‐niveles de Fermi: uno para e‐ EFN y otro para h+ EFP

 E ( x )  EC ( x )   E ( x )  EFP ( x ) 
n( x )  N c exp  FN  p( x )  N v exp  V 
 K BT   K BT 

 E  EC   E  EFi 
n  N c exp FN   ni exp FN 
 K B T   K B T 
Expresiones alternativas:
 E  EFP   E  EFP 
p  N v exp V   ni exp Fi 
 K BT   K BT 
  E  EFI   E  EFP 
n  ni exp FN  p  ni exp FI 
 K BT   K B T 
II. Procesos de generación‐recombinación
Procesos que provocan variación local de las densidades de portadores

Generación: con aporte de energía (térmica, óptica,...)
Recombinación: cesión de energía (térmica, óptica,...)

Formalismo macroscópico:
concentración de equilibrio

 n  n  no condiciones estacionarias: 𝛿𝑛 𝐺 𝜏
 1    i1
 Gext 
 t  g  r
al cesar la excitación: 𝛿𝑛 𝐺 𝜏 exp i
n
vida media
excitación externa

 → vida media del exceso de portadores:  tiempo medio que permanece un portador 

en una banda antes de recombinarse (10‐3‐10‐8 s)
Procesos banda a banda

Ec

GL G th R th U

h Eg

e c

Ev

Inyección (óptica, eléctrica), perturbaciones externas
Procesos térmicos
GL  n  p  ni2
Gth , Rth  no  po  ni2 n  no  n
n  p
responsables de devolver las  p  po  p
concentraciones a los valores de equilibrio
Otros procesos de recombinación
U

G (R): Número de pares e‐h generados (recombinados) por unidad de volumen y tiempo
  n ocupados
EC Nc 
GL G th R th  N c  n libres
h Eg

e c
 N  p ocupados
EV
Nv  v
 p libres

 n   p  e  GN v N c coeficiente de emisión
  G ( N v  p )( N c  n )  cnp  e  cnp c coeficiente de captura
 
 t  g r  t  g r
n  N c , p  N v independientes de n y p
débil perturbación:

 n   p   n   p 
En equilibrio:  0  e  cno p o  cni2    c ( np  ni2 )
 
 t  g r  t  g r  t  g  r  t  g  r

 n   p  n  no p  po 1  n  no  1  p  po 
    n   p    
 t  g  r  t  g  r n p c  np  ni2  c  np  ni2 

n  p  no , po
Material extrínseco, débil nivel de inyección (                                 ; concentración de mayoritarios)
1 p 1 1
np  ni2  no   n  po   p   ni2   po  no   p   p 2   po  no   p    
c  po  no  p c p o  no
1 1
   np   (para material tipo P)    pn   (para material tipo N)
cpo cno
independientes de n y p
Procesos a través de centros      ( menor que la estimada banda a banda)
Centros recombinantes  niveles energéticos en el centro del GAP (defectos, impurezas)

facilitan la recombinación (en ocasiones se introducen a propósito)

E c , n, N c
en cn
E T , n T , NT

ep cp

E v , p, N v
 En condiciones estacionarias, con  n  p
ET  Ec
n1  N c exp
n  p  (no  po )n  n 2 K BT
    g (t )  1 NT
t  g  r ) E t  g  r ) E n  n  n p1
 p  n Ev  ET
T T o
 o
p1  N v exp
cp cn K BT
Ecuación de Shockley‐Read‐Hall

n  p n p
    g (t )   g (t ) 
 t  g r   t  g r   
ET ET

1 n1  no  n 1 p1  po  n n1  no  n p1  po  n
    pn    np 
N T c p no  po  n N T cn no  po  n no  po  n no  po  n

Material extrínseco, débil nivel de inyección (  n  p  no , po ; concentración de mayoritarios )

1
 pn   vida media de los portadores en un semiconductor extrínseco tipo N     pn 
NT c p
independientes de n
1
 np  vida media de los portadores en un semiconductor extrínseco tipo P     np 
N T cn

1
Para pequeña interesa: GAP  n , p 
1 1
NT  ET 
2
Recombinación superficial
Centros de recombinación en la superficie (ruptura de la periodicidad)
N S densidad superficial de estados; nivel de energía      . 
ES

Siguiendo la teoría de SRH:

nso  p so    2
RS  NS número de portadores que se recombinan 
n so  n1s   p so  p1s  
 por unidad de tiempo y superficie
c ps cns
 exceso de portadores en la superficie  n s  nso  , p s  p so   densidades en la superficie

  nso , p so
Débil nivel de inyección (                       ; concentración de mayoritarios )

nso  p so  RS nso  p so  Velocidad de 

RS  NS s  NS
nso  n 1
p so  p 1
 nso  n 1
p so  p 1
recombinación superficial
s
 s s
 s

c ps cns c ps cns

Semiconductor extrínseco

s n  cns N S sc. tipo P

s p  c ps N S sc. tipo N
 J rec  qRS  qs corriente de recombinación superficial

 es para e‐
J rec  qRS  qs  
J rec  es para h+

Se utiliza como condición de contorno para resolver 
la ecuación de continuidad:
las corrientes de difusión y recombinación 
en la superficie han de ser iguales

s  0 superficie ideal n( x)

s   metal, contacto óhmico
no

x
 III. Ecuación de continuidad
arrastre 
corriente
Modificación de las concentraciones de portadores difusión
generación ‐ recombinación

dy
jnx  x  dx, y, z  
j nx  x, y, z  jnx  x, y, z  
d jnx
dx
dx

dz
y dx
x
portadores que entran portadores que salen variación temporal
por unidad de tiempo por unidad de tiempo del número de portadores por g‐r
z

n J n ( x) J n ( x  dx ) n 
Conservación del número de portadores: Adx  A A  Adx
t q q t  g  r
variación temporal
del número de portadores
1 dJ n
 Adx
q dx
3D
n 1 dJ n n  n 1    n 
      r J  
t q dx t  g  r t q t  g  r
 Ecuación de continuidad de electrones

n 1  n  n   n  no
  r J n    Dn  2r n   n  r ( nE ) 
  gL
t e t  g  r t n

difusión arrastre g-r excitación externa

Ecuación de continuidad de huecos

p 1  p  p   p  po
   r J p    D p  p   p  r ( pE ) 
2
r
  gL
t e t  g  r t p

Acopladas por la ecuación de Poisson

 
 e
 r E   n  p  N D  N A 

   
Solución: n ( r , t ), p ( r , t ), E ( r , t ) (imposible analíticamente)

𝑛 𝑛 𝛿𝑛 (𝑛 independiente de t y x) → 𝐷 𝜇 𝑔

𝑝 𝑝 𝛿𝑝 (𝑝 independiente de t y x) → 𝐷 𝜇 𝑔
Si se crea un exceso de e y h en cierta posición de un semiconductor sobre el que se ha aplicado un
campo Eapp, los excesos de e y h tienden a moverse en direcciones opuestas. Esto origina un desequilibrio
de carga y un campo interno Eint que tiende a mantenerlos unidos, de modo que e y h se desplazarán
unidos por arrastre o difusión con una única movilidad o coeficiente de difusión efectivos. Es lo que se
llama transporte ambipolar.

𝐸 𝐸 𝐸

𝛻𝐸 (𝑛 𝛿𝑛 𝑝 𝛿𝑝 𝑁 𝑁

𝛻𝐸 (𝛿𝑛 𝛿𝑝

En estas condiciones:
Aproximación: hipótesis de cuasi‐neutralidad eléctrica
válida para perturbaciones que hacen variar n y p igual (y poco)
n  n  no  p  po  p
no es incompatible con la existencia de un campo interno 
(la existencia de un campo interno no requiere un gran desequilibrio de carga)
E no se puede calcular a partir de la ecuación de Poisson
  n   n  no   p   p  po 
2
 p p    Dn  r n   n  r ( nE ) 
  g L    n n    D p  r p   p  r ( pE ) 
2   gL 
 t n   t p 

con n  n o  n p  po  n n  n  no  p  po  p

  n
n   Er n  D*2r n  *  g L  0
*

t 

Ecuación ambipolar de difusión

 n  p no   n  p p o
*  movilidad ambipolar
 p p  nn

Dn  p p   n D p n
D*  coeficiente de difusión ambipolar
 p p  nn

 n  p ( p p   n n )
*  vida media del exceso de portadores
 p p p   n n n

En principio ecuación no‐lineal: los coeficientes dependen de 𝛿𝑛
   n
n  * Er n  D*2r n  *  g L  0
t 

 n  p no   n  p p o Dn  p p   n D p n  n  p ( p p   n n )
*  D*  * 
 p p  nn  p p  nn  p p p   n n n

Término de campo eléctrico simplificado: E fuera del gradiente

Semiconductor intrínseco:  𝜇∗ nula, 𝐷 ∗ y 𝜏 ∗ independientes de 𝛿𝑛

Semiconductor extrínseco y débil nivel de inyección: 
los parámetros de la ecuación ambipolar coinciden con los de los portadores minoritarios

no  po δn  no  D*  D p *   p *   p
exceso de portadores gobernado por los parámetros de los minoritarios
ecuación ambipolar  ecuación de continuidad de minoritarios (sin término de E)

Para calcular n y p en un semiconductor extrínseco:

‐ ecuación de continuidad de minoritarios con término de E despreciable  n
‐ p  po  n n  n o  n
‐ E: ecuación de continuidad de mayoritarios sin despreciar término de E
 Caso homogéneo
Dependencia temporal

  n
n  * Er n  D*2r n  *  g L  0
t 

𝛿𝑝 𝑡 𝐴𝑒

𝛿𝑝 0 𝑔′𝜏 𝐴
 Caso estacionario
Dependencia 
espacial

  n
n   Er n  D*2r n  *  g L  0
*

t 
 𝛿𝑛 𝑥 𝐴𝑒 𝐵𝑒 región I

𝛿𝑛 0
Condiciones de contorno:

𝛿𝑛 𝑥 → 0 ⇒𝐴 0

𝛿𝑛 𝑥 → 0 ⇒𝐷 0

𝛿𝑛 𝑥 0 𝛿𝑛 𝑥 0 ⇒𝐵 𝐶

𝛿𝑛 𝑥 0 𝛿𝑛 0 ⇒ 𝐵 𝐶 𝛿𝑛 0

𝛿𝑛 𝑥 𝐶𝑒 𝐷𝑒 región II
 Tiempo de relajación dieléctrico

Despreciando los efectos de procesos de g‐r y la difusión, 
¿cuánto tarda un exceso de carga en desaparecer 
(alcanzarse la neutralidad de carga)?

Suponemos  uniforme sobre una cierta distancia próxima a la superficie, inicialmente de valor 𝜌 𝑡 0 𝑒𝛿𝑝

𝛻𝐸 𝐽 𝜎𝐸 𝛻𝐽 𝛻𝐽 𝜎𝛻𝐸=

𝑑𝜌 𝜎
𝜌 0
𝑑𝑡 𝜀

𝜌 𝑡 𝜌 0 𝑒

𝜀
𝜏 tiempo de relajación dieléctrico
𝜎
 IV. Efecto Hall
Utilidad:  ‐ determinar el tipo de semiconductor (N o P)
‐ determinar la densidad de portadores mayoritarios (n o p)
‐ combinado con medidas de   determinar la  de los mayoritarios

Bz
d V21  V2  V1  0
w
I  J x A  enwdv x vx
‐ sc. tipo N
J ‐ +  
vx  x 1 ‐ +
2 Bz  J 𝐸 𝑅 𝐵 𝐽⃗
en +

z 
J coeficiente Hall
y tipo N → 𝑅 0
x

Trabajando con módulos: J y  0  eE y  ev x Bz E y  RH J x Bz
J x Bz d 1 1
tensión Hall VH  V21  E y d  v x Bz d   RH J x Bz d de modo que RH  ; RH  
en en en
1 
midiendo VH , J x y Bz se tiene RH  n  si se mide ,   RH 
e RH en
1 1
sc. tipo P V21  V2  V1  0 RH  ; RH 
ep ep