CE I Examen Final

Universidad Nacional de la Patagonia San Juan Bosco
Cátedra de Circuitos Electrónicos I
Examen final
Alumno: .......................................................................................... Fecha: 12 / 02 / 2021
e-mail: .................................................................………………. duración apróx.: 2:00 hs
1º 2º 3º 4º 5º 6º nota
1.00 p 1.00 p 2.00 p 4.00 p 1.00 p 1.00 p 10
1ra PARTE: Cuestionario N° 1 y Ejercicio práctico

Nota: Marcar con una cruz la respuesta correcta en cada frase (alguna puede tener más de una)
Tema N° 1: Generalidades sobre materiales Semiconductores (SMC) (1.00 Pts)

1. Desde el punto de vista eléctrico, los materiales se dividen en:
a) Semiconductores y metales.
b) Aislantes, semiconductores y metales.
c) Aislantes y metales.
2. Un material Semiconductor Extrínseco N:
a) No tiene impurezas.
b) Tiene Impurezas Tipo P.
c) Tiene Impurezas de tipo N.
3. Durante el proceso de generación de portadores en un SMC, en la estructura cristalina se:
a) rompen enlaces covalentes.
b) forman enlaces metálicos.
c) ningunas de las anteriores.
Tema Nº 2 : Circuitos rectificadores con diodos (1.00 pts.)
4. La tensión de salida en un rectificador de señal CA en puente (Graetz) es una:

a) señal rectificada de media onda.
b) señal rectificada de onda completa.
c) onda sinusoidal.
d) no hay respuesta.
5. ¿Cuál es la función principal del capacitor a la salida del circuito rectificador de señal?
a) Filtrar las señales de alta frecuencia de la señal rectificada (armónicos)
b) Separar el bloque anterior con el posterior.
c) No cumple ninguna función.
6. El análisis de pequeña señal permite estudiar:
a) el funcionamiento del circuito con una fuente CC.
b) los efectos de las fuentes CC y CA en el circuito por separado, y superponer sus efectos.
c) el funcionamiento del circuito con una fuente CA.
Tema Nº 3 : Circuitos reguladores de tensión con diodos Zener (2.00 pts.)

7. Un diodo Zener:
a) Tiene una tensión constante en la región de ruptura Zener.
b) Tiene una barrera de potencial en directa de 10 V.
c) Se usa siempre polarizado en directa.
d)Tiene una corriente constante en la región de ruptura Zener.
e) No tiene corriente inversa.
1
DISEÑAR un Circuito regulador de tensión paralelo con un diodo Zener, para conectar a un Circuito
rectificador con filtro capacitivo y poder mantener a la salida una tensión de 9 V (con una tolerancia
de +/- 2 %) sobre una Rcarga = 360  , sabiendo que la señal de entrada tiene un valor de Vi = 12 V
+/- 15 % .
(considerar para el diseño estos datos del Zener: Izmín = 5 mA = 5 % de Izmáx).
Se pide:
a) DIBUJAR el circuito regulador;
b) Determinar el valor de Rs apropiado y la disipación máxima de potencia en Rs y el diodo Zener;
c) Seleccionar los valores normalizados de los componentes del regulador diseñado, de las siguientes
tablas:
(Elegir el resistor con tolerancia al 10 %)
Tabla de Diodos Zeners normalizados
Tabla de Resistores normalizados
2
2da PARTE: Cuestionario N° 2 y Ejercicio práctico

Nota: Marcar con una cruz la respuesta correcta en cada frase (alguna puede tener más de una)
Tema Nº 4 : Circuitos amplificadores monoetapa con transistor BJT (4.00 pts.)

8. Si se cambian los valores de los resistores de una red de polarización por divisor de tensión:
a) Se desplaza la recta de carga estática (RCE) en forma horizontal.
b) Cambia la pendiente de la recta de carga estática.
c) Se desplaza el punto de operación Q sobre la recta de
carga estática.
d) Ninguna de las opciones anteriores.
9. Si se cambian los valores de los resistores Rc y Re :

a) Cambia la pendiente de la recta de carga estática.
b) Se desplaza la recta de carga estática en forma horizontal.
c) Se desplaza el punto de operación Q sobre la recta de
carga estática.
d) Ninguna de las opciones anteriores.
10. Con la variación de temperatura, las curvas características de salida de un transistor BJT:
a) Se desplazan todas hacia abajo.
b) Permanecen inalterables.
c) Se desplazan todas hacia arriba.
Se requiere para el Circuito amplificador monoetapa de la figura:

= +9V
a) Calcular los valores de ICQ y VCEQ ,
b) Graficar las Rectas de Carga Estática y Dinámica con sus
puntos característicos evaluados numéricamente;
c) Indicar cuál es la Máxima Excursión Simétrica (MES)
posible de ic y vce , para este diseño (en forma gráfica)
DATOS del Circuito:

Vcc = + 9 V β = 100
R1 = 22 k
R2 = 120 k
RE = 1,8 k
RC = 10 k Considerar: VBEQ = 0,7 V y IEQ ≈ ICQ = β . IBQ
Tema Nº 5 : Circuitos amplificadores monoetapa con transistor BJT - Modelos 1.00 pts.)
Para realizar el Análisis para pequeña señal a frecuencias medias del amplificador del TEMA N° 4, se necesi-
ta reemplazar el transistor por un modelo teórico: ¿Cuál de los siguientes modelos utilizaría ..?
MODELO A MODELO B
3
Tema Nº 6 : Transistores FET - Curvas características 1.00 pts.)
Se muestran las siguientes curvas características de transistores FET: ¿ A qué tipos de transistores pertenecen…?
a) MOSFET de empobrecimiento (“Depletion” o Decremental) de Canal P (D-MOSFET tipo P)

b) MOSFET de enriquecimiento (“Enhacement” o Incremental) de Canal N (E-MOSFET tipo N)
c) JFET Canal N (N JFET)
d) MOSFET de empobrecimiento (“Depletion” o Decremental) de canal N (D-MOSFET tipo N)
GRAFICA A
GRAFICA B

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1ra PARTE: Cuestionario N° 1 y Ejercicio práctico

Tema N° 1: Generalidades sobre materiales Semiconductores (SMC) (1.00 Pts)

Tema Nº 2 : Circuitos rectificadores con diodos (1.00 pts.)

4. La tensión de salida en un rectificador de señal CA en puente (Graetz) es una:

Tema Nº 3 : Circuitos reguladores de tensión con diodos Zener (2.00 pts.)

(Elegir el resistor con tolerancia al 10 %)

Tabla de Diodos Zeners normalizados

Tabla de Resistores normalizados

2da PARTE: Cuestionario N° 2 y Ejercicio práctico

Tema Nº 4 : Circuitos amplificadores monoetapa con transistor BJT (4.00 pts.)

9. Si se cambian los valores de los resistores Rc y Re :

Se requiere para el Circuito amplificador monoetapa de la figura:

DATOS del Circuito:

Tema Nº 6 : Transistores FET - Curvas características 1.00 pts.)

a) MOSFET de empobrecimiento (“Depletion” o Decremental) de Canal P (D-MOSFET tipo P)

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