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    Micro-ondes TP 2 Analyse Non Linaire dun Amplificateur de Puissance 1900Mhz Objectif : Lamplificateur tudier est prvu pour fonctionner

    ner dans une application de systme de communication avec mobiles frquences centrale de 1990 MHz. Lamplificateur est conu partir dun transistor NEC, NE800175. Ce transistor est de type MESFET. Son modle non linaire est disponible dans la bibliothque pf_nec_NE900175_19931018. I Etude des paramtres S du composant polaris Nous tudions le schma suivant :

    La topologie comprend : 2 lignes micro ruban 3 inductances 2 condensateurs 2 sources continues 1 transistor Nous pouvons voir que le transistor est polaris par les 2 sources de tension continue, travers deux inductances dites de choques permettant de protger les sources de tension des signaux RF. Les capacits de dcouplage jouent le mme rle que les inductances de choque . Linductance place la source du transistor permet une dgnration de la source. Les caractristiques du substrat utilis sont : H = 500m Er = 9.6 G = 5.8 107 Permabilit relative = 1 Epaisseur de mtallisation = 3.8m Tangentes de pertes = 0 Hu = 6350m

    Nous allons analyser les paramtres S, dans la bande de frquence 1.4 2.4 GHz, laide dune simulation LSSP (Large Signal S Parameter), pour une puissance dentre de 10 dBm. Aprs vrification des diffrents paramtres, nous lanons la simulation.

    -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 -8 -9 1.4E9 1.5E9 1.6E9 1.7E9 1.8E9 1.9E9 2.0E9 2.1E9 2.2E9 2.3E9 2.4E9

    dB(S(2,2)) dB(S(1,1))

    LSSP_freq

    Coefficients de rflexions Nous constatons que les coefficients de rflexion sont mal adapts car ils ne sont pas assez faibles. Ce qui est confirm avec le graphique suivant :

    S(1,1) S(2,2)

    (0.000 to 0.000)

    Les paramtres S22 et S11 sont mal adapts, car ils ne sont pas centrs dans labacque.

    15 10 5 0

    dB(S(2,1)) dB(S(1,2))

    -5 -10 -15 -20 -25 -30 1.4E9 1.5E9 1.6E9 1.7E9 1.8E9 1.9E9 2.0E9 2.1E9 2.2E9 2.3E9 2.4E9

    LSSP_freq

    Coefficients de transmission inverse et directe Nous constatons que du port 2 vers le port 1 (en inverse) lamplificateur namplifie pas du tout alors que du port 1 vers le port 2 (en direct) il prsente une amplification de plus de 10dB.

    12.0 11.8 11.6 11.4 11.2

    19.0

    18.5

    18.0

    PwrGain1

    11.0 10.8 10.6 10.4 10.2 10.0 9.8 9.6 1.4E9 1.5E9 1.6E9 1.7E9 1.8E9 1.9E9 2.0E9 2.1E9 2.2E9 2.3E9 2.4E9

    MaxGain1

    17.5

    17.0

    16.5

    16.0 1.4E9 1.5E9 1.6E9 1.7E9 1.8E9 1.9E9 2.0E9 2.1E9 2.2E9 2.3E9 2.4E9

    LSSP_freq

    LSSP_freq

    Gain max et Gain en puissance Nous pouvons voir que le gain max est suprieur au gain en puissance. Or : Gain max = gain T + adaptation Gain en puissance = gain T Donc pour les deux gains soit le plus proche possible lun de lautre, il faut assurer une adaptation quitable lentre et en sortie du transistor. II Calcul de la charge optimale par la technique load-pull

    Dans cette partie, nous allons remplacer la charge de la rfrence de 50ohms par une charge variable. Le but tant de dterminer la valeur optimale de cette charge qui fournit le maximum de puissance en sortie. Nous simulons le schmatique suivant :

    On dtermine partir des cercles de puissance la charge optimale ainsi que la puissance de sortie associe :
    m1 R= 0.267 cPdel_dbm_p= 0.267 / -7.454 level= 21.268124, number= 1 impedance =Z0 * (1.715 - j0.128)

    cPdel_dbm_p

    m1

    R (0.133 to 0.803)

    La charge optimale est : Z = Z0 * (1.715 j0.128) = 85,75 j6.4 Avec cette charge, la puissance de sortie associe est de 21.268dBm. Nous ouvrons le schmatique :

    Nous obtenons le tableau suivant :

    S11_conj 0.810 / 103.136

    S11_fund 0.810 / -103.136

    Zin_conj 39.882 / 77.731

    Zin_fund 39.882 / -77.731

    real(Zin_conj) 8.475

    real(Zin_fund) 8.475

    imag(Zin_conj) 38.971

    imag(Zin_fund) -38.971

    Nous obtenons le coefficient de rflexion en entre qui est la valeur qui nous intresse, avec un rayon R de 0.81 et langle de -103.136 daprs le tableau ci-dessus.

    III Etude du rseau dadaptation en entre On choisit dutiliser une technologie lments localiss.

    S(1,1)

    freq (1.900GHz to 1.900GHz)

    Cserie 1.056

    Lpara 2.497

    -30.0113181

    -30.0113181

    dB(S(1,1))

    -30.0113181

    -30.0113181

    -30.0113181 1.9000000 1.9000000 1.9000000 1.9000000 1.9000000 1.9000000 1.9000000 1.9000000

    freq, GHz

    Rsultat de la simulation 1900MHz Nous constatons sur les graphiques obtenus, que le coefficient de rflexion du port 1 est bien adapt, car il se trouve au centre de labacque, et que S11 = - 30 dB = 0.001. Nous effectuons maintenant la simulation pour une bande frquence allant de 1400 2400.

    S(1,1)

    freq (1.400GHz to 2.400GHz)

    0 -10

    dB(S(1,1))

    -20 -30 -40 -50 -60 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4

    freq, GHz

    Rsultat de la simulation de 1400 2400MHz Nous confirmant que la frquence laquelle le montage est bien adapt est 1900MHz, ailleurs les rsultats ne sont pas satisfaisants. IV Implantation de lamplificateur complet et analyse de lamplificateur en paramtre S grand signal

    0 -2 -4 -6

    dB(S(1,1))

    -8 -10 -12 -14 -16 -18 1.4E9 1.5E9 1.6E9 1.7E9 1.8E9 1.9E9 2.0E9 2.1E9 2.2E9 2.3E9 2.4E9

    LSSP_freq

    Coefficient de rflexion du port 1

    Nous voyons que le coefficient de rflexion du port 1, a la meilleure adaptation entre 1.9GHz et 2GHz.

    0 -10 -20 -30 -40 -50 -60 1.4E9 1.5E9 1.6E9 1.7E9 1.8E9 1.9E9 2.0E9 2.1E9 2.2E9 2.3E9 2.4E9

    dB(Adapt_entree..S(1,1)) dB(S(1,1))

    LSSP_freq Adapt_entree..freq, Hz

    Si lon compare la courbe obtenu avec celle du rseau dadaptation en entre, on remarque la courbe obtenu est beaucoup moins idal. Cela est d au fait que dans lamplificateur complet, linductance de choque nest pas directement relie la masse, il y a la capacit de dcouplage, qui ajoute une impdance non nul, dgradant les performance du montage et donc son adaptation. V Analyse grand signal de lamplification 1900MHz

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