Numéro d’anonymat :

UNIVERSITE PARIS-SUD ANNEE 2014-2015

CENTRE D'ORSAY 17 avril 2015
L3 Physique et Applications
Examen de Physique des Composants—1ère session
Durée 3 heures
Documents non autorisés. Calculatrices autorisées. Les téléphones portables doivent être éteints.

RAPPELS : pour une structure à une dimension suivant x

dE d 2 ( x) 
Equation de Poisson dans un semiconducteur :  
dx dx 2 
 n( x, t )
Modèle de dérive-diffusion du courant : J n ( x, t )  e.n( x, t ).n .E  e.Dn
x
 p( x, t )
J p ( x, t )  e. p( x, t ). p .E  e.Dp
x
k BT
Relation d’Einstein : D µ
e
 n( x, t ) 1  J n ( x, t )
Equations de continuité :   Gn  Rn
t e x

 p( x, t ) 1  J p ( x, t )
  G p  Rp
t e x

Densité d'électrons dans la bande de conduction d'un semiconducteur non dégénéré :

 E  EC 
n  NC exp  F 
 kB T 

Densité de trous dans la bande de valence d'un semiconducteur non dégénéré:

 E  EF 
p  NV exp  V 
 k BT 
Constantes universelles et données à T = 300 K pour le silicium et l’oxyde de silicium
19 -3 19 -3 10 -3
kBT = 26 meV NV = 10 cm NC = 2,8×10 cm ni = 10 cm Eg=1,12 eV
2 2 -19 -23 -1 -5 -1
µn = 1345 cm /Vs µp=458 cm /Vs e = 1,6×10 C kB = 1,38×10 J.K =8,62×10 eV.K
sc = 10-10F.m-1 ox = 3,2×10-13 F.cm-1

I. Choix multiples :
Plus d’une réponse peut être correcte. Les mauvaises réponses seront pénalisées.

1
 Numéro d’anonymat :

Sur votre copie, notez la (ou les) lettre(s) de la (ou des) réponse(s) correcte(s). Par ex. : 1. a ; 2.
b,c ; 3. d, e,f ; etc.

1. Quand la température augmente…

a. La concentration d’électrons dans la bande de conduction augmente, quelle
que soit la gamme de température, dans un semiconducteur intrinsèque.
b. La concentration d’électrons dans la bande de conduction augmente, quelle que soit
la gamme de température, dans un semiconducteur dopé n.
c. La concentration d’électrons dans la bande de conduction augmente, quelle que soit
la gamme de température, dans un semiconducteur dopé p.
d. La concentration d’électrons dans la bande de conduction augmente, quelle que soit
la gamme de température, dans un semiconducteur extrinsèque.
e. La concentration de trous dans la bande de valence augmente par rapport à la
concentration d’électrons dans la bande de conduction, pour une gamme de
température précise, dans un semiconducteur intrinsèque.
f. La concentration de trous dans la bande de valence augmente par rapport à la
concentration d’électrons dans la bande de conduction, pour une gamme de
température précise, dans un semiconducteur dopé n.
g. La concentration de trous dans la bande de valence augmente par rapport à la
concentration d’électrons dans la bande de conduction, pour une gamme de
température précise, dans un semiconducteur dopé p.
h. La concentration de trous dans la bande de valence augmente par rapport à la
concentration d’électrons dans la bande de conduction, pour une gamme de
température précise, dans un semiconducteur extrinsèque.
i. Il fait chaud, il faut aller boire un coup.

Réponse « c » : c’est vrai mais subtile ; donc point bonus !

2. Quand on « dope » un semiconducteur :

a. On ajoute directement des électrons dans la bande de conduction (avec un « canon à
électrons » par exemple) pendant la croissance.
b. On ajoute directement des trous dans la bande de valence (avec un « canon à trous »
par exemple) pendant la croissance.
c. Pendant la croissance on ajoute des impuretés de la même colonne du tableau
périodique que le semiconducteur afin d’effectuer un dopage N.
d. Pendant la croissance on ajoute des impuretés de la colonne supérieure du
tableau périodique que le semiconducteur afin d’effectuer un dopage N.
e. Pendant la croissance on ajoute des impuretés de la colonne inférieure du tableau
périodique que le semiconducteur afin d’effectuer un dopage N.

2
 Numéro d’anonymat :

f. Ces impuretés remplacent les atomes du semiconducteur dans le cristal.

g. Ces impuretés se placent entre les atomes du semiconducteur dans le cristal, en
dehors du réseau.
h. Ces impuretés et les atomes du semiconducteur se trouvent « les uns sur les autres »
dans le cristal.

II. Réponses courtes

1. Vous voulez fabriquer un laser semiconducteur qui émet de la lumière rouge (620 nm), et il
vous faut choisir quel matériau utiliser.
a. Expliquer comment la lumière peut être émise par un semiconducteur (faire un
schéma).

Voir schéma ci-dessous. Recombinaison paire électron-trou, émission d’un photon.

b. Expliciter quels caractéristiques le semiconducteur doit posséder afin d’être approprié

pour votre application, et expliquer pourquoi ces caractéristiques sont nécessaires
(n’hésitez pas à faire des schémas).

***Il faut que

1) Eg=hc/ où nm donc Eg= 2 eV. Sinon, le laser n’aura pas

la longueur d’onde désirée.

2) Le SC doit avoir un gap direct, c-à-d le bas de la bande de

conduction doit se retrouver au même vecteur k (vecteur d’onde) que
le haut de la bande de valence. Sinon, pas de transition radiative
possible qui conserve à la fois l’énergie ET la quantité de
mouvement (~vecteur k).

(Il faut aussi que la durée de vie radiative soit plus courte que la durée de vie non-radiative, bonne
remarque !)

2. L’étude du graphène est très à la mode actuellement, en partie parce que sa relation de
dispersion, c’est-à-dire la façon dont l’énergie des électrons varie en fonction du vecteur
d’onde soit E(k), est linéaire plutôt que parabolique comme c’est le cas pour d’autres
matériaux, incluant les semiconducteurs. Peut-on utiliser pour le graphène la même
approximation de masse effective que celle que l’on utilise pour les semiconducteurs ?
Justifier votre réponse.

3
 Numéro d’anonymat :

2
k2
Pour un électron libre nous avons E  , càd une relation parabolique. Comme le bas de la
2mo
bande de conduction et le haut de la bande de valence peuvent être approximés par des
2
k2 2 2
k
paraboles, nous avons E  Ec  *
(pour la bande de conduction) et E  Ev  *
(pour la
2me 2mt

1 1 d 2E
bande de valence). Autrement dit, *
 2
. Par contre, pour le graphène, la relation est
me dk 2
linéaire (dit l’énoncé), donc nous ne pouvons PAS utiliser la même expression. Si l’on applique
1
quand même, on a *
 0 ou une masse effective infinie, ce qui paraît étrange !
me

III. Effet Hall

Vous avez deux échantillons semiconducteur de forme identique (barreau), que vous utilisez
pendant votre stage, l’un dopé N et l’autre dopé P. Comme vous étiez distrait, vous avez mélangé
les échantillons en les rangeant, et vous ne savez plus les distinguer. Il vous faut donc trouver
comment les identifier (sans demander à votre maître de stage). Vous mettez donc en place une
mesure de type « Effet Hall ».

1. Afin d’effectuer une mesure de type « Effet Hall », il faut appliquer un champ magnétique et
un champ électrique. Faire un schéma (dessiner les axes x, y, z) montrant l’orientation de ces
deux champs par rapport à votre échantillon. Un circuit fermé est-il nécessaire pour la
réalisation d’une mesure du type « Effet Hall » ? Si oui, dessinez-le.

Oui ! Il faut un circuit fermé, par ex. entre les deux bouts du barreau.

On applique une tension Vapp qui donne lieu à un champ électrique (tension) appliqué selon la
longueur du dispositif (dans la direction +x) pour qu’un courant passe de gauche à droite dans le
schéma ci-dessus.

4
 Numéro d’anonymat :

Champ magnétique constant appliqué sur l’axe perpendiculaire (voir schéma)

2. Quelle est l’influence du champ électrique sur les porteurs de l’échantillon dopé N ? Quelle est
l’influence du champ électrique sur les porteurs de l’échantillon dopé P ? Peut-on ainsi
distinguer les deux échantillons ? Expliquer.

Dopé N : porteurs majoritaires = électrons (charges négatives). Le champ électrique « pousse »

ces charges négatives dans la direction – x, càd vers la gauche dans le schéma ci-dessus.

Dopé P : porteurs majoritaires = trous (« charges » positives). Le champ électrique « pousse »

ces « charges » positives dans la direction +x, càd vers la droite dans le schéma ci-dessus.

Même si la direction du mouvement des charges est différente, comme le signe des charges est
aussi différent, le courant de dérive est dans la même direction. Ainsi nous ne pouvons PAS
distinguer ces échantillons avec une simple mesure de courant.

3. Quelle est l’influence du champ magnétique sur les porteurs de l’échantillon dopé N (champ
électrique toujours appliqué) ? Quelle est l’influence du champ magnétique sur les porteurs de
l’échantillon dopé P (champ électrique toujours appliqué) ? Peut-on ainsi distinguer les deux
échantillons ? Expliquer.

Force de Lorentz Fmag  qv  B ; pour l’échantillon dopé N, v est dans la direction –x et q<0. La

force de Lorentz « pousse » les électrons dans la direction –y.

Pour l’échantillon dopé P, v est dans la direction +x et q>0. A nouveau, la force de Lorentz
« pousse » les trous dans la direction –y.

Cette fois-ci, les deux types de charges sont « poussés » dans le même sens. La tension de Hall qui
apparaît dans la direction « courte » du barreau (selon axe y) est donc de signe différent pour les
deux échantillons. On peut ainsi les distinguer.

+
IV. Comparaison entre un dispositif pn et un dispositif p p

1. Dispositif pn à l'équilibre thermodynamique

17 -3
On considère une jonction PN à base de Si avec comme dopage en accepteurs NA = 10 cm et en
15 -3
donneurs ND = 10 cm .

a) Expliquer qualitativement l'établissement de la barrière de potentiel dans une jonction PN à

l'équilibre thermodynamique.

 Dû au gradient de concentration, les porteurs diffusent à l’autre côté de la jonction

5
 Numéro d’anonymat :

 Ces porteurs ensuite rencontrent les porteurs majoritaires et se recombinent

 Il y a donc moins de porteurs majoritaires que d’impuretés ionisées près de la

jonction—une zone chargée se créé (la zone de charge d’espace, ZCE)

 La ZCE est chargée négativement côté p et positivement côté n—un champ

électrique dans la direction n vers p se crée !

b) Tracer le diagramme de bandes en énergie (tracer et étiqueter les bandes de conduction et

de valence, ainsi que le niveau de Fermi le long de la jonction). Définir clairement le côté P et
le côté N. Prendre en compte les différences de densité de dopage dans votre schéma.

côté P côté N

EC : énergie en bas de la bande de conduction

EF : énergie de Fermi
EV : énergie en haut de la bande de valence

Le schéma ci-dessus est pour une jonction pn où le dopage NA=ND. Dans notre
cas, NA>ND, la ZCE doit être dessinée plus large côté n car dopage plus faible.

c) Etablir l'expression donnant le potentiel de diffusion VD. Application numérique.

nn  Nc e( EF  ECn ) / kT pn  Nv e( EVn  EF ) / kT

6
 Numéro d’anonymat :

( EF  ECp ) / kT ( EVp  EF ) / kBT

n p  Nc e p p  Nv e

1 k T pp
VD  ( EVp  EVn )  B ln
e e pn
1 k T n
 ( ECp  ECn )  B ln n avec nn=ND et np= n2i/ NA
e e np
k BT N D N A
VD  ln
e ni2

0,72 V A.N.

d) Existe-il une zone de déplétion/charge d’espace dans ce dispositif ? Justifiez votre réponse.
Oui ! Les charges qui se diffusent de l’autre côté de la jonction métallurgique rencontrent
des charges majoritaires et elles se recombinent, laissant derrière des charges fixes
(impuretés ionisées). Dans cette région il y a un champ électrique fort et elle est
« déplétée » de charges mobiles.
e) A l’équilibre thermodynamique existe-il dans ce dispositif,
i) Un courant total (électrons et trous) non-nul ? Non, nous sommes à l’équilibre
thermodynamique, pas de courant total.
ii) Un courant total d’électrons non-nul ? Non, nous sommes à l’équilibre thermodynamique,
pas de courant total d’électrons. Les courants de trous et d’électrons sont indépendants
et ne peuvent pas « s’annuler »

iii) Un courant total de trous non-nul ? Non, nous sommes à l’équilibre thermodynamique,
pas de courant total de trous. Les courants de trous et d’électrons sont indépendants et
ne peuvent pas « s’annuler »
iv) Un courant de diffusion et/ou de dérive d’électrons non-nul ? Oui ! Le courant de
diffusion des électrons (dû au gradient de concentration d’électrons à la jonction
métallique) est contre-balancé par le courant de dérive d’électrons (dans le sens opposé)
qui existe dû au champ électrique. Le courant total d’électrons est—rappelons-le—
toujours zéro à l’équilibre thermodynamique.
v) Un courant de diffusion et/ou de dérive de trous non-nul ? Oui ! Le courant de diffusion
des trous (dû au gradient de concentration de trous à la jonction métallique) est contre-
balancé par le courant de dérive de trous (dans le sens opposé) qui existe dû au champ
électrique. Le courant total de trous est—rappelons-le—toujours zéro à l’équilibre
thermodynamique.
Justifiez vos réponses.

+
2 – Dispositif p p

7
 Numéro d’anonymat :

+
On considère une jonction p p (dite « unipolaire ») à base de Si avec comme dopage en accepteurs
+ + 18 -3 14 -3
côté p NA (p ) = 10 cm et côté p NA (p) = 10 cm .

Note : on peut raisonner de la même façon que pour la jonction pn, en gardant en tête quand même
que dans ce cas les porteurs majoritaires sont du même type de chaque côté de la jonction
métallurgique.

+
a) Expliquer qualitativement l'établissement de la barrière de potentiel dans une jonction p p à

l'équilibre thermodynamique. Notez ce qui est similaire et ce qui est différent par rapport à une
jonction pn.


+
Dû au gradient de concentration, les porteurs diffusent du côté p au côté p (càd,
la diffusion est dans une seule direction cette-fois, contrairement au cas PN).

 On a le même type porteurs majoritaires de chaque côté de la jonction

métallurgique, PAS de recombinaison

 Comme il n’y a pas de recombinaison, il n’y a pas de création d’une zone de

charge d’espace

 Cependant, il y a un déplacement de charge d’un côté à l’autre, ce qui va

engendre une charge positive côté p et une charge négative côté p+, ce qui va
donner lieu à un champ électrique/ barrière de potentiel

b) Tracer le diagramme de bandes en énergie (tracer et étiqueter les bandes de conduction et

de valence, le niveau de Fermi et le niveau intrinsèque le long de la jonction). Définir
+
clairement le côté P et le côté P.

8
 Numéro d’anonymat :

c) Etablir l'expression donnant le potentiel de diffusion VD. Application numérique.

( EVp  EF ) / kBT ( EVp  EF ) / kBT
p p  Nv e p p   Nv e
1 k T p p
VD  ( EVp   EVp )  B ln
e e pp

A.N. VD= 0,24 V

d) Existe-il une zone de déplétion/charge d’espace dans ce dispositif ? Justifiez votre réponse.
Non ! Pas de recombinaison donc pas de zone sans charge mobile (càd ZCE).
e) A l’équilibre thermodynamique existe-il dans ce dispositif,
i) Un courant total (électrons et trous) non-nul ? Même raisonnement que pour la jonction
PN.
ii) Un courant total d’électrons non-nul ? Même raisonnement que pour la jonction PN
(d’ailleurs il y a très peu d’électrons car dopé P)
iii) Un courant total de trous non-nul ? Même raisonnement que pour la jonction PN.
iv) Un courant de diffusion et/ou de dérive d’électrons non-nul ? Non ! ou au moins très peu,
car les deux côtés sont dopés P (et donc il y a très peu d’électrons). Sinon, même
raisonnement que pour la jonction PN.
v) Un courant de diffusion et/ou de dérive de trous non-nul ? Même raisonnement que pour
la jonction PN.

9
 Numéro d’anonymat :

Justifiez vos réponses.

+
f) (Bonus) : Pourquoi utilisons-nous des jonctions pn plutôt que des jonctions p p ? L’effet

+
« jonction » est plus important pour une jonction pn par rapport à une jonction p p, par ex. VD

pour la jonction PN est plus important même si les concentrations de dopants sont moindres.

VI. Capacité MOS

Dans cet exercice, on considère une structure de type MOS. La figure 1 ci-après représente une
mesure de la capacité formée par cette structure en fonction de la tension de polarisation V G
appliquée entre l'électrode de grille et celle de substrat de Si. On notera S l’aire de la surface du
métal.
-3 2
S = 3,84×10 cm

1. Expliciter l’acronyme MOS. Faire un schéma montrant clairement les trois parties du dispositif.

Métal, Oxyde, Semiconducteur.

2. Nommer, faire un diagramme de bande et un diagramme de charge pour les différents régimes
de polarisation d’une structure MOS dans le cas d’un des deux types de dopage (dans le cas
idéal, tension de bandes plates VFB = 0 V et oxyde non chargé). En déduire le type de dopage
de Si pour la structure étudiée. On notera Ndop la concentration de dopants dans le
semiconducteur. Noter approximativement les gammes de tension pour chaque régime.

Dopé N car accumulation pour VG>0.

10
 Numéro d’anonymat :

3. A partir de la figure 1, calculer l’épaisseur eox de la couche d’oxyde.

11
 Numéro d’anonymat :

On a Cox = 2,1 × 10-4 µF d’après la figure 1. Or Cox = Sox/eox et donc eox = 59 nm.

2,5 10-4
accumulation
2 10-4
Capacité (µF)

1,5 10-4
désertion/déplétion

1 10-4

5 10-5 inversion

0
-4 -2 0 2 4
Tension VGB (V)
Figure 1 : Capacité d’une structure MOS en fonction de la tension de polarisation

4. Expliquer qualitativement comment est effectuée une mesure de C(V).

a. On applique une tension de grille DC.
b. On ajoute une tension de grille alternative AC de faible amplitude.
c. On mesure le courant alternatif.
d. On change la tension de grille DC et on recommence.

5. S’agit-il d’une mesure réalisée à haute fréquence ou à basse fréquence ? Expliquer.

1 1 1
Haute fréquence car et en inversion (haute fréquence) HF
  et en inversion
CINV CI CZCE

(basse fréquence)
BF
CINV CACC  CI   i / ei . La raison pour ceci est la suivante. Les

charges minoritaires dans la ZCE sont créées thermiquement, ce qui est un processus
« lent ». Donc à haute fréquence, il n’y a pas assez de temps pour la création de ces
charges minoritaires, donc en réponse de la charge QM sur la grille, la ZCE s’élargit. Du
schéma, nous voyons donc que nous avons en série la capacité de l’oxyde plus la capacité
de la ZCE. Par contre à basse fréquence, il y a assez de temps pour la génération des

12
 Numéro d’anonymat :

charges minoritaires, la QSC se trouve à l’interface oxyde/SC (voir schéma). La capacité est
donc juste celle de l’oxyde

VII. Tension de seuil

Cet exercice est indépendant de l’exercice précédent.

Capacité MOS dopée n, ND=1017 cm-3, cas idéal (travaux de sortie égaux, pas de charge dans
l’oxyde). Epaisseur de l’oxyde : eI=100 nm.
Prendre x=0 à l’interface isolant/semiconducteur.
kBT = 25 meV ni = 1010 cm-3 e = 1,6×10-19 C sc= 10-10F.m-1 I = 3,2×10-13 F.cm-1

1. Tension au seuil d’inversion, début :

a. Physiquement, quelle est la définition du seuil d’inversion ?
A la tension de seuil, VT, la densité des porteurs minoritaires en surface est égale
à la densité des porteurs majoritaires à l’équilibre en profondeur ! Autrement dit
pS  nB

b. Définir le potentiel de surface s ainsi que le « potentiel de Fermi » F , en fonction

de Ei et EF. À quoi le « potentiel de Fermi » est-il lié ? Si vous avez tracé des
schémas dans l’exercice précédent, montrer s et F sur un schéma.
1
S  ( Ei _ B  Ei _ S )
e
1
F  ( Ei _ B  EF )
e
**Le potentiel de Fermi est lié au dopage. Plus le dopage est important, plus le potentiel de
Fermi est important.
c. Montrer que s  2F Par la suite, on notera s (seuil)  T .

Au seuil, Ei _ B  EF  EF  Ei _ S , ce qui amène à s  2F avec les expression ci-

dessus.
d. Trouver une expression de F en fonction de la densité de dopants. Effectuer
l’application numérique. Que représente le signe de F ?
( EF  Ei _ B ) / kT
nB  ni e  N D (dopage n)
kBT N D
F   ln dopage n A.N. -0,4 V Signe <0 car dopé n
e ni
e. Trouver une expression de T en fonction de la densité de dopants. Effectuer
l’application numérique.
2kBT N D
T   ln = -0.8V
q ni

13
 Numéro d’anonymat :

2. Largeur de la zone de charge d’espace.

a. En régime de désertion/déplétion, utiliser l’équation de Poisson et des conditions aux
limites adaptées afin de déterminer le champ électrique dans le semiconducteur en
fonction de x et xD dans la zone de charge d’espace (ZCE), où xD est la largeur de la
ZCE.
 condition aux limites ESC ( x  xD )  0 .

dESC  q
o   N D , 0  x  xD
dx  SC  SC

q
ESC ( x)  N D ( x  xD ), 0  x  xD
 SC
b. En utilisant la relation entre le champ électrique et le potentiel, trouver une
expression pour le potentiel en fonction de x et xD dans la ZCE. Prendre
 ( x  xD )  0 .
x
    Edx
q
 ( x)   N D ( x  xD )2 , 0  x  xD
2 SC
c. Trouver S en évaluant  ( x  0) , et exprimer xD en fonction de S . Au seuil
d’inversion S  T et xD  xT . Effectuer l’application numérique afin de trouver la
largeur de la ZCE au seuil d’inversion.
q 2 SC
s   ( x  0)   N D xD2 xD   s xT = 0,1 µm
2 SC qN D

3. Tension au seuil d’inversion, fin :

a. La tension au seuil d’inversion est égale à VT  VI  T où VI est la différence de
potentiel dans l’isolant. Trouver une expression de VI (sachant qu’il s’agit d’une
capacité MOS). Effectuer l’application numérique. Comment cette valeur évoluerait-
elle si on augmente l’épaisseur de l’oxyde ? En déduire pourquoi les capacités MOS
sont fabriquées avec de faibles épaisseurs d’oxyde (≤100 nm).
VI  QM / CI  qN D xT / CI

o CI   i / ei où  i est la permittivité de l’isolant (  i /  o est la constante

diélectrique) ; et ei est l’épaisseur

o VI =5 V

Plus l’oxyde est épais, plus la tension de seuil est élevée (valeur absolue). Pour
cette raison on utilise des faibles épaisseurs.

b. Trouver une valeur numérique pour la tension au seuil d’inversion.

VT= - 5.8 V Attention au signe

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