Location via proxy:   [ UP ]  
[Report a bug]   [Manage cookies]                
Scribd Logo
Upload

Welcome to Scribd!

  • 115 views

    Nte 123 Ap

    Uploaded by

    Jorge Luis Mango Flores
    1. El valor indicado para HFE en el manual es 200, mientras que el valor medido en el experimento fue 299. Las divergencias se deben a las tolerancias en los parámetros del transistor, ya que los valores típicos especificados son aproximados y pueden variar de un dispositivo a otro. 2. No se proporcionaron los puntos c, d, e y f para realizar los cálculos teóricos. 3. Los valores nominales reales usados para las resistencias de polarización fueron: Rc=47Kohm, Re=12Kohm, R1=

    Copyright:

    © All Rights Reserved
    Download as DOC, PDF, TXT or read online from Scribd

    Nte 123 Ap

    Uploaded by

    Jorge Luis Mango Flores
    115 views8 pages
    1. El valor indicado para HFE en el manual es 200, mientras que el valor medido en el experimento fue 299. Las divergencias se deben a las tolerancias en los parámetros del transistor, ya que los valores típicos especificados son aproximados y pueden variar de un dispositivo a otro. 2. No se proporcionaron los puntos c, d, e y f para realizar los cálculos teóricos. 3. Los valores nominales reales usados para las resistencias de polarización fueron: Rc=47Kohm, Re=12Kohm, R1=

    Original Description:

    uso personal

    Original Title

    nte123ap

    Copyright

    © © All Rights Reserved

    Available Formats

    DOC, PDF, TXT or read online from Scribd

    Did you find this document useful?

    Is this content inappropriate?

    1. El valor indicado para HFE en el manual es 200, mientras que el valor medido en el experimento fue 299. Las divergencias se deben a las tolerancias en los parámetros del transistor, ya que los valores típicos especificados son aproximados y pueden variar de un dispositivo a otro. 2. No se proporcionaron los puntos c, d, e y f para realizar los cálculos teóricos. 3. Los valores nominales reales usados para las resistencias de polarización fueron: Rc=47Kohm, Re=12Kohm, R1=

    Copyright:

    © All Rights Reserved
    Download as DOC, PDF, TXT or read online from Scribd
    Download as doc, pdf, or txt
    115 views8 pages

    Nte 123 Ap

    Uploaded by

    Jorge Luis Mango Flores
    1. El valor indicado para HFE en el manual es 200, mientras que el valor medido en el experimento fue 299. Las divergencias se deben a las tolerancias en los parámetros del transistor, ya que los valores típicos especificados son aproximados y pueden variar de un dispositivo a otro. 2. No se proporcionaron los puntos c, d, e y f para realizar los cálculos teóricos. 3. Los valores nominales reales usados para las resistencias de polarización fueron: Rc=47Kohm, Re=12Kohm, R1=

    Copyright:

    © All Rights Reserved
    Download as DOC, PDF, TXT or read online from Scribd
    Download as doc, pdf, or txt
    You are on page 1of 8

    NTE123AP Silicon NPN

    Transistor Audio
    Amplifier, Switch
    (Compl to NTE159)
    Absolute Maximum Ratings:
    CollectorEmitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
    . . 40V
    CollectorBase Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
    . 60V
    EmitterBase Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
    . . . 6V
    Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mA
    .....
    Total Device Dissipation (TA = +25C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
    625mW
    Derate Above 25C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.0mW/C
    .....
    Total Device Dissipation (TC = +25C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
    1.5W
    Derate Above 25C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
    12mW/C
    Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55 to
    +150C
    Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55 to
    +150C
    Thermal Resistance, Junction to Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
    83.3C/W
    Thermal Resistance, Junction to Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200C/W
    ....
    Electrical Characteristics: (TA = +25C unless otherwise specified)
    Parameter

    Symbol

    Test Conditions

    Min

    Typ

    Max

    Unit

    OFF Characteristics
    CollectorEmitter Breakdown Voltage

    V(BR)CEO IC = 1mA, IB = 0, Note 1

    40

    CollectorBase Breakdown Voltage

    V(BR)CBO IC = 0.1mA, IE = 0

    60

    EmitterBase Breakdown Voltage

    V(BR)EBO IE = 0.1mA, IC = 0

    Collector Cutoff Current

    ICEV

    VCE = 35V, VEB(off) = 0.4V

    0.1

    Base Cutoff Current

    IBEV

    VCE = 35V, VEB(off) = 0.4V

    0.1

    ON Characteristics (Note 1)

    DC Current Gain

    hFE

    VCE = 1V, IC = 0.1mA

    20

    VCE = 1V, IC = 1mA

    40

    VCE = 1V, IC = 10mA

    80

    VCE = 1V, IC = 150mA

    100

    300

    VCE = 1V, IC = 500mA

    40

    Note 1. Pulse Test: Pulse Width 300s, Duty Cycle 2%.

    Electrical Characteristics (Contd): (TA = +25C unless otherwise specified)


    Parameter

    Symbol

    Test Conditions

    Min

    Typ

    Max

    Unit

    IC = 150mA, IB = 15mA

    0.4

    IC = 500mA, IB = 50mA

    0.75

    IC = 150mA, IB = 15mA

    0.75

    0.95

    IC = 500mA, IB = 50mA

    1.2

    250

    MHz

    ON Characteristics (Note 1) (Contd)


    CollectorEmitter Saturation Voltage
    BaseEmitter Saturation Voltage

    VCE(sat)
    VBE(sat)

    SmallSignal Characteristics
    Current GainBandwidth Product

    fT

    IC = 20mA, VCE = 10V, f = 100MHz

    CollectorBase Capacitance

    Ccb

    VCB = 5V, IE = 0, f = 100kHz

    6.5

    pF

    EmitterBase Capacitance

    Ceb

    VCB = 0.5V, IC = 0, f = 100kHz

    30

    pF

    Input Impedance

    hie

    IC = 1mA, VCE = 10V, f = 1kHz

    1.0

    15

    Voltage Feedback Ratio

    hre

    IC = 1mA, VCE = 10V, f = 1kHz

    0.1

    8.0

    x 106

    SmallSignal Current Gain

    hfe

    IC = 1mA, VCE = 10V, f = 1kHz

    40

    500

    Output Admittance

    hoe

    IC = 1mA, VCE = 10V, f = 1kHz

    1.0

    30

    mhos

    VCC = 30V, VEB(off) =


    2V, IC = 150mA, IB1 =
    15mA

    15

    ns

    20

    ns

    VCC = 30V, IC = 150mA,


    IB1 = IB2 = 15mA

    225

    ns

    30

    ns

    Switching Characteristics
    Delay Time

    td

    Rise Time

    tr

    Storage Time

    ts

    Fall Time

    tf

    Note 1. Pulse Test: Pulse Width 300s, Duty Cycle 2%.

    .135 (3.45) Min

    .210
    (5.33)
    Max

    Seating Plane

    .500
    (12.7)
    Min

    .021 (.445) Dia Max

    E B C
    .100 (2.54)
    .050 (1.27)

    .165
    (4.2)
    Max
    .105 (2.67) Max
    .105 (2.67) Max
    .205 (5.2) Max

    LABORATORIO N 1

    LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRNICOS II


    TEMA: Evaluacin del punto de operacin de un amplificador transistorizado con respecto
    a las variables en R2, Rc, Re y
    DISEO:
    Determinar todos los valores Rc, R1, R2, Re para que el transistor disponible trabaje
    en la zona linear y medir su funcionamiento para Rl = 47Kohm transistor BC-548 y
    Vcc=9v

    Programa desarrollado en MATLAB

    clc;
    format short;
    disp('-----Calculo de
    Rc,Re.R1,R2-------');
    disp('-------------datos---------------');
    disp('Transistor BJT BC548');
    Rl=input('introducir el
    valor de la
    carga(kohm) : ');
    B=input('introducir la
    ganancia del
    transistor : ');
    Vcc=input('introducir
    valor de fuente de
    alimentacion : ');
    disp('---------------------------------');
    disp('----------Calculos---------------'
    );
    Rc=Rl;
    Vce=(Vcc/2);
    Ve=0.1*Vcc;
    Vc=(Vcc-Vce-Ve);
    Ic=Vc/Rc;
    Is=2*Ic
    Ib=Ic/B;
    Ie=Ib+Ic;
    Re=Ve/Ie;
    Rb=10*Re;
    Vb=0.7+Ve;
    Vbb=(Rb*Ib)+Vb;

    R1=(Rb*Vcc)/Vbb;
    R2=(R1*Rb)/(R1-Rb);
    resultados=[Vcc,B,Rc,Re,
    R1,R2,Ic,Ib,Ie,Vc,Ve,Vce
    ];
    Rcc=47;Rec=12;R1c=680;R2
    c=150;
    disp('-------Recalculando punto
    Q--------')
    Is=Vcc/(Rcc+Rec);
    Ic=Is/2
    disp(' |---Vcc---|---B---|----Rc----|--Re---|----R1----|--R2---|----Ic----|---Ib----|---Ie---|---Vc----|---Ve---|--Vce---|');
    disp(resultados);
    x=0:0.5:Vcc;
    y=-((x-Vcc)*(Is/Vcc));
    x1=[Vce Vce];
    y1=[0, Ic];
    y2=[Ic Ic];
    x2=[0, Vce];
    plot(x,y,x1,y1,x2,y2)
    title('Recta de
    Saturacion')
    xlabel('Voltaje Colector
    Emisor');
    ylabel('Corriente
    Colector');
    grid on;

    Cuadro de Valores de resistencia, corriente y voltaje

    Vcc(
    V)

    20
    0

    Rc(Koh
    m)
    47

    Re(Koh
    m)

    R1(Koh
    m)

    R2(Koh
    m)

    Ic(m
    A)

    Ib(mA
    )

    Ie(m
    A)

    Vc(
    V)

    Ve(
    V)

    Vce(V
    )

    11.691
    5

    639.74
    59

    143.06
    01

    0.07
    66

    0.000
    4

    0.07
    70

    3.6

    0.9

    4.5

    0.07
    5

    3.6

    0.9

    4.5

    Valores comerciales de RESISTENCIAS


    9

    29
    9

    47

    12

    680

    150

    0.07
    66

    0.000
    38

    Grafica del punto de trabajo del transistor

    Recta de Saturacion

    0.16
    0.1526
    0.1373
    0.1221

    Corriente Colector

    0.1068
    0.0916

    PUNTO Q

    0.0763
    0.061
    0.0458
    0.0305
    0.0153
    0

    0.5

    1.5

    2.5

    3.5

    4
    4.5
    5
    Voltaje Colector Emisor

    5.5

    6.5

    7.5

    8.5

    Simulacin PSIN

    RESULTADOS

    CUESTIONARIO
    1. Cules es el valor indicado para HFE en el manual y cul fue el medido
    en el experiment explique porque son las divergencias de los valores
    obtenidos?
    2. Realice los clculos tericos para los puntos c, d, e y f encuentre los
    errores absolutos
    3. Cules son los valores nominales reales usados para resistencias de
    polarizacin en el funcionamiento y punto de operacin del circuito?
    4. En qu medida afectan los valores reales usados para resistencias de
    polarizacin en el funcionamiento y punto de operacin del circuito?
    5. Del punto g del procedimiento que concluye sobre el punto de
    operacin del transistor que valores de polarizacin llevan al corte y
    que valores a saturacin?

    You might also like