Semicondductores Bandas de Valencia y Conduccion

TEMA 2: Fundamentos de Semiconductores Electrnica
Tr. 1
Departamento de Electrnica y Electromagnetismo- Universidad de Sevilla
TEMA2: FUNDAMENTOS DE SEMICONDUCTORES
nBIBLIOGRAFA BSICA: [PIER94] R.F. PIERRET: "FUNDAMENTOS DE SEMICONDUCTORES (II EDICIN)".
ADDISON-WESLEY IBERAMERICANA, 1994.
nCONTENIDOS DEL TEMA:
n MODELOS DE ENLACE Y DE BANDAS DE ENERGA EN SLIDOS: TIPOS DE MATERIALES
n PORTADORES DE CARGA EN SEMICONDUCTORES
n CONCENTRACIN DE PORTADORES
n PROCESOS DE GENERACIN-RECOMBINACIN
n PROCESOS DE TRANSPORTE EN SEMICONDUCTORES
n ECUACIN DE CONTINUIDAD
Tr. 2
Modelo de Enlace
+14
n=1
2 electrones
n=2
8 electrones
10 de los 14 e- estn fuertemente
ligados al ncleo
El enlace de los 4 e- restantes
es mucho ms dbil
(electrones de valencia)
Representacin de un tomo aislado de Si
Cada tomo de Si tiene 14 electrones
n=3
Lbulo que representa un e- de valencia compartido
Crculo que representa el
Modelo de
Enlace
+4 +4 +4
+4 +4 +4
+4 +4 +4
corazn de un tomo de Si -Los dispositivos electrnicos de hoy en da usan
materiales semiconductores.
-Existen varios tipos de materiales semiconductores:
elementales (IV): Si y Ge
compuestos: AsGa, AsIn, otros
-La disposicin de los tomos en los materiales
influye en sus propiedades.
Nos centraremos en el estudio del
Silicio (Si) que cristaliza en una
estructura de diamante (cada
tomo de Si est rodeado de otros
cuatro tomos a la misma
distancia espacial)
Tr. 3
Modelo de enlace: Portadores
Suministramos Energa
(Ionizacin)
electrn libre
hueco
q=1.6x10
-19
coulomb
+4 +4 +4
+4 +4 +4
+4 +4
+4
Representacin bidimensional de estructuras cristalinas
a)Cristal perfecto a T = 0K
b)Cristal Imperfecto a T > 0K
+4 +4 +4
+4 +4 +4
+4 +4
+4
h
+
e
-

Tr. 4
Modelo de enlace: Portadores
-Los portadores son entidades que
transportan carga de un lugar a otro en el
seno del material, y por tanto, dan lugar a
corrientes elctricas.
-Idealmente, a T=0K, el semiconductor
sera aislante porque todos los e- estn
formando enlaces. Pero al crecer la
temperatura, algn enlace covalente se
puede romper y quedar libre un e- para
moverse en la estructura cristalina.
-El hecho de liberarse un e- deja un
hueco (partcula ficticia positiva) en la
estructura cristalina. De esta forma, dentro
del semiconductor encontramos el e-
libre, pero tambin hay un segundo tipo
de portador: el hueco (h+)
Suministramos Energa
(Ionizacin)
electrn libre
hueco
+4 +4 +4
+4 +4 +4
+4 +4 +4
h
+
e
-
Si: 5x10
22
tomos/ cm
3
20x10
22
e- de valencia/ cm
3
e- libres (T
amb
)=10
10
/ cm
3
Tr. 5
Modelo de Enlace: movimiento de e
-
y h
+
+4 +4 +4
+4 +4
+4
+4 +4
+4
+4 +4 +4
+4 +4
+4
+4 +4
+4
hueco
h
+
hueco
h
+
e- y h+, con una masa eficaz cada uno

Se libera un e-. El h+a su vez acta atrayendo
a otros e- (de otros enlaces o e-libres)=>
Se produce un movimiento de partculas
-La conduccin a T ordinaria puede
tener lugar a travs de dos modos
cunticos distintos, describibles por
medio de dos partculas clsicas:
e de carga -q y masa eficaz m
e
h de carga +q y masa eficaz m
h
positivas ficticias (h+)
Tr. 6
Semiconductores Puros
Semiconductor intrnseco indica un material semiconductor extremadamente puro
que contiene una cantidad insignificante de tomos de impurezas
Semiconductor intrnseco es un semiconductor
-Electrones y huecos se liberan por pares en
un semiconductor intrnseco.
-Las masas eficaces no son, en general,
iguales entre s, ni a la del electrn aislado.
-Valores de ionizacin tpicos: 0,7 eV (Ge), 1,1
eV (Si), 1,4 eV (AsGa)
cuyas propiedades son innatas al material, es
decir, no son producidas por agentes externos
electrn libre
hueco
+4 +4 +4
+4 +4
+4
+4 +4 +4
h
+
e
-
La concentracin de portadores en un semiconductor intrnseco es una de las

propiedades intrnsecas que identifican al material. Si n=n de e-/cm
3
y
p=n de h+/ cm
3
que existen dentro de un semiconductor, se obtiene que, para un
semiconductor intrnseco en condiciones de equilibrio n=p=n
i
Tr. 7
tomo donador
Energa de Ionizacin de la impureza
0,03 eV (Ge) --- 0,1 eV (Si) (don.)
No se crea un par e-h
0,02 eV (Ge) --- 0,06 eV (Si) (acep.)
Tipo n
Semiconductores Extrnsecos
Dopar = aadir cantidades controladas de
Columna V
Control de la concentracin de portadores = dopado
tomos de impurezas para aumentar los e
-
h
+
+5 +4 +4
+4 +4 +4
+4 +4
+4
(P, As,...)
+3 +4 +4
+4 +4 +4
+4 +4 +4
Tipo p
tomo aceptador
Columna III
(B, Al,...)
e- extra
h+ extra
Tr. 8
Modelo de Bandas en Slidos Cristalinos
2 tomos
E
2
E
1
E
2
E
1
Alejados
E
2
E
1
E
1
E
2
Cercanos (enlace covalente)

Desdoble de niveles
Si hay Ne- Interactuando,
Estados atmicos aislados
Principio de exclusin de Pauli
Niveles energticos permitidos
(En Si N=4x5x10
22
e-/cm
3
)
Acoplos atmicos en cristales
Principio de exclusin de Pauli
Niveles energticos permitidos: desdoblamientos
Bandas de energa
los niveles ---> BANDAS
de Hidrgeno
Tr. 9
Tipos de materiales atendiendo al Diagrama de Bandas
Energa
electrnica
Banda de Conduccin
Banda de Conduccin
(vaca)
(parcialmente llena)
Banda de Valencia Banda de Valencia
Estados Internos
E
c
E
v
E
g
CONDUCTOR AISLANTE o SEMICONDUCTOR
E
g
> 8 eV (aislante)
E
g
-- 1 eV (semiconductor)
Datos: Eg (T=300K) = 1,1eV (Si), 0,7eV (Ge), 1,4eV (AsGa)
Tr. 10
e-
Banda de Conduccin
Banda de Valencia
E
c
E
v
E
g
ESTADO FUNDAMENTAL
Banda de Conduccin
Banda de Valencia
E
c
E
v
E
g
ESTADO EXCITADO
A T=0K:
Banda Valencia totalmente ocupada
Banda Conduccin totalmente vaca
A T>0K:
e- pasa Banda Valencia --->
---->Banda Conduccin
h+
Tr. 11
E
d
Impurezas en el Modelo de Bandas
Banda de Conduccin
Banda de Valencia
E
c
E
v
E
g
Semiconductor Extrnseco
Banda de Conduccin
Banda de Valencia
E
c
E
v
E
g
A T=0K: A T=0K:
BV llena--->
BC vacia--->
(tipo p)
(tipo n)
E
a
E
d
llena
(e- impurezas donantes)
BV llena--->
BC vacia--->
E
a
vaco
(h+ impurezas aceptoras)
Tr. 12
EXCITADOS
E
d
Banda de Conduccin
Banda de Valencia
E
c
E
v
E
g
Banda de Conduccin
Banda de Valencia
E
c
E
v
E
g
(tipo p)
(tipo n)
E
a
T>0K
p>n
n>p
Tr. 13
Li
0,01 eV
eV Ge Si
Li 0,01 ---
Sb 0,01 0,04
P 0,012 0,044
As 0,013 0,049
Cu 0,26 0,52
Cu 0,32 0,37
Cu 0,04 0,24
Au varios varios
B 0,01 0,045
Al 0,01 0,057
Ti 0,01 ---
Ga 0,011 0,065
In 0,011 0,16
B 0,01 eV
Cu
0,26 eV
Cu
0,32 eV
0,04 eV
E
c
E
v
E
g
=0,68 eV
E
a
E
c
E
v
E
g
=0,68 eV
E
a
E
d
E
d
ENERGAS DE IONIZACIN PARA DIVERSAS IMPUREZAS
D
O
N
A
D
O
R
A
S
A
C
E
P
T
O
R
A
S
Tr. 14
Concentraciones de Equilibrio
Densidades volumtricas:
n
i
= densidad de portadores en el material puro
n
o
= densidad de electrones en un semiconductor extrnseco en equilibrio
p
o
= densidad de huecos en un semiconductor extrnseco en equilibrio
N
d
= densidad de impurezas donadoras
N
d
+
= densidad de impurezas donadoras ionizadas
N
a
= densidad de impurezas aceptoras
N
a
-
= densidad de impurezas aceptoras ionizadas
A T ambiente todas las impurezas ionizadas:
Ecuacin de Neutralidad de Carga
p
o
n
o
N
d
+
N
a
-
+ 0 =
N
d
+
= N
d
N
a
-
= N
a
Tr. 15
Densidad de Estados de Energa
Distribucin de estados de energa=cuntos estados hay para una energa
dada en las bandas de conduccin y valencia
Consideraciones de mecnica cuntica:
g
C
E ( )
m
*
e
2m
*
e
E E
C
( )
2
h
3
--------------------------------------- = E E
C
g
V
E ( )
m
*
h
2m
*
h
E
V
E ( )
2
h
3
--------------------------------------- = E E
V
E
C
E
V
E
g
V
(E)
g
C
(E)
Densidad de Estados=
n de estados existentes a una energa dada E
Funcin de Fermi f(E)=
n de los estados existentes a la energa E
ocupados por un electrn
g
C
(E)dE ---> n de estados en la banda de conduccin/ cm
3
con energas comprendidas en E y E+dE (si E>=E
C
)
g
V
(E)dE ---> n de estados en la banda de valencia/ cm
3
con energas comprendidas en E y E+dE (si E<=E
V
)
Tr. 16
Estadstica de Portadores
f

= Funcin de Distribucin (Fermi-Dirac) = Probabilidad de que E est ocupado por un e
-
E
f
= Energa de Fermi
f E ( )
1
1 e
E E
f
( )
kT
---------------
+
------------------------ =
Para T > 0K: f(E
f
) = 0,5
Situacin de Equilibrio (=todo proceso equilibrado con su opuesto)
1 para E < E
f
;
0 para E > E
f
;
a T = 0K, f es
k = cte. de Boltzmann = 8.62x10
-5
eV/K
E
f
va a ser un nivel cte. de referencia en el equilibrio= Energa de Fermi =
Energa que corresponde a un valor de la funcin de distribucin de 1/ 2
E
E
f
f(E)
1
0,5
0
T
1
=0 K
T
2
>T
1
T
3
>T
2
f E ( )
1
1 e
E E
f
( )
kT
---------------
+
-------------------------- =
kT(T=300K) = 0,026eV
1-f(E) representa la probabilidad de que E est vacio
Tr. 17
Concentraciones de Portadores
Concentracin de electrones Concentracin de huecos
n
0
g
C
E ( )f E ( ) E d
E
C
= p
0
g
V
E ( ) 1 f E ( ) ( ) E d

E
V
=
Resultado:
con
con
E
V
3kT + E
f
E
C
3kT
n
o
N
c
e
E
c
E
f
( )
kT
--------------------
= N
c
2
2m
e
*
kT
h
2
-----------------------

3
2
---
p
o
N
v
e
E
f
E
v
( )
kT
--------------------
= N
v
2
2m
h
*
kT
h
2
----------------------

3
2
---
p
o
n
o
N
v
N
c
e
E
c
E
v
( )
kT
----------------------
N
v
N
c
e
E
g
kT
--------
= =
Ley de accin de masas:
Semiconductor no degenerado
E
C
E
V
Ef aqui...
3kT
3kT
semiconductor
degenerado
Ef aqui...
semiconductor
degenerado
Ef aqui...
semiconductor
no degenerado
Tr. 18
Nivel de Fermi de un semiconductor intrnseco:
;
con E
i
= nivel de Fermi intrnseco
Tomaremos E
i
(mitad de la banda prohibida) como nivel de referencia
n
i
N
c
e
E
c
E
i
( )
kT
--------------------
N
v
e
E
i
E
v
( )
kT
--------------------
= =
Semiconductores Intrnsecos
Material intrnseco: densidad de h+= densidad de e- = n
i
(T)
n
o
=p
o
=n
i
n
o
p
o
=n
i
2
(T)
n
o
n
i
e
E
f
E
i
( )
kT
----------------
=
p
o
n
i
e
E
i
E
f
( )
kT
----------------
=
Expresiones alternativas
en funcin de los
n
o
p
o
n
i
2
= parmetros E
i
y n
i
:
n
i
T ( ) N
v
N
c
e
E
g
kT
-------
=
E
i
1
2
-- E
c
E
v
+ ( )
kT
2
-----
N
c
N
v
------ ln =
1
2
-- E
c
E
v
+ ( ) E
V
1
2
-- E
c
E
v
( ) + =
despreciable a T=300K
(vlida para todo tipo
de semiconductor)
Tr. 19
Valores Tpicos
Densidad intrnseca de portadores (n
i
)
T (K)
Ge (/ cm
3
) Si (/ cm
3
)
200
5. 10
9
0,5.10
8
300
1,8. 10
13
1,1. 10
10
400
1,2. 10
15
10
13
600
1,1. 10
17
2. 10
15
Densidad Atmica
5 x 10
22
at/cm
3
(Ge, Si)
Densidades Tpicas de
Impurezas (N
d
N
a
)
10
13
at/ cm
3
------10
16
at/cm
3
Densidad equivalente de los
estados en las bandas (Si, 300K)
N
c
= 2,8 x 10
19
/ cm
3
N
v
= 1,04 x 10
19
/ cm
3
Tr. 20
Semiconductor Extrnseco Tipo n
Concentracin de Portadores:
N
d
+
N
d
N
a
= 0 Aproximacin:
n
o
p
o
= n
i
2

p
o
n
o
N
d
+
+ 0 =
n
o
N
d
2
------
1
2
-- N
d
2
4n
i
2
+ + =
p
o
n
i
2
N
d
------ =
para

N
d
>> n
i
n
o
N
d
p
o
n
i
2
N
d
------ =
n
0
>> p
0
tipo n
,
Nivel de Fermi:
n
o
N
c
e
E
c
E
f
( )
kT
--------------------
=
E
f
E
c
kT
n
o
N
c
------ ln + =
n
o
N
d
E
f
E
c
kT
N
c
N
d
------ ln
E
f
E
i
kT
N
d
n
i
------ ln +
E
i
E
v
E
f
E
c
Tr. 21
Semiconductor Extrnseco Tipo p
Concentracin de Portadores:
n
o
p
o
= n
i
2

p
o
n
o
N
a
-
0 =
p
o
N
a
2
------
1
2
-- N
a
2
4n
i
2
+ + =
n
o
n
i
2
N
a
------ =
para

N
a
>> n
i
p
o
N
a
n
o
n
i
2
N
a
------ =
p
0
>>n
0
tipo p
,
Nivel de Fermi:
p
o
N
V
e
E
v
E
f
( )
kT
-----------------
=
E
f
E
i
kT
N
a
n
i
------ ln
E
f
E
v
kT
N
v
N
a
------ ln +
E
i
E
v
E
f
E
c
N
a
-
N
a
N
d
= 0 Aproximacin:
Tr. 22
T
T
1
T
2
Regin Intrnseca
Regin Extrnseca
Dependencia con T
150K 450K
n
0
N
d
--------
n
i
N
d
--------
1
Congelacin
Semiconductor extrnseco
Semiconductor intrnseco
impurezas
impurezas
comportamiento
completamente
ionizadas
no ionizadas
intrnsecos (no=po=ni)
T bajas T moderadas T altas
concentraciones ctes
(n=N
d
) (n=N
d
+
)
(n=n
i
)
despreciable dominante
E
c
E
v
E
d
Tr. 23
Procesos de Recombinacin-Generacin
recombinacin = proceso por el cual se destruyen portadores
generacin = proceso por el cual se crean portadores (e- y h+) Definicin general:
Ambos procesos se caracterizan por unas cantidades que se denominan velocidades
G: velocidad de generacin
(nmero de portadores generados
por unidad de tiempo y unidad de volumen)
R: velocidad de recombinacin
(nmero de portadores eliminados
por unidad de tiempo y unidad de volumen)
U = R - G velocidad neta de recombinacin
En equilibrio:
R = G
U = 0
En no equilibrio:
R = G
U = 0
Si no hay otros procesos:
t d
dn
G R U = =
t d
dp
G R U = =
Para saber G, R y U hay que distinguir
entre procesos directos o indirectos
Directos o banda-a-banda
h
e
h
e
generacin recombinacin
Indirectos o basados en
centros de recombinacin
E
t
E
t
: nivel de energa
permitido debido
a ciertas impurezas
Tr. 24
Procesos de Recombinacin-Generacin Directos
G slo depende de T: G = g(T)
R depende de T y de la concentracin de e- y h+: R = r(T)np
En equilibrio:
R = G
g(T) = r(T)n
o
p
o
n = n
o
p = p
o
En no equilibrio: R = G
p = p
o
+ p
n = n
o
+ n U = r(T) [np - n
o
p
o
] = r(T) [np+ np
o
+ pn
o
]
Caso particular de inters:
n y p mucho menor que n
o
+ p
o
Tipo n : p
o
<< n
o
U = r(T)pn
o

p'
p
----- =
p
1
rn
o
------- =
Tipo p: n
o
<< p
o
U = r(T)np
o

n'
n
----- =
n
1
rp
o
-------- = vida media de
portadores minoritarios
Bajo nivel de inyeccin
Tr. 25
Procesos de Recombinacin-Generacin Indirectos
Estos procesos tienen su base en la existencia de un nivel de energa E
t
permitido
dentro de la BP debido a una concentracin N
t
de impurezas.
Cada par e
-
- h
+
se recombina en E
t
en dos pasos:
captura de un e
-
E
t
E
c
E
v
captura de un e
-
= un e
-
de la BC disminuye su energa a E
t
captura de un h
+
= un e
-
en E
t
disminuye su energa y va a la BV
captura de un h
+
La estadstica asociada a estos procesos es compleja. Pero se puede demostrar que:
U
pn n
2
i
n
p n
i
+ [ ]
p
n n
i
+ [ ] +
------------------------------------------------ =
donde
p
y
n
se definen ahora en funcin de unos
p
1
C
cp
N
t
--------------- =
n
1
C
c n
N
t
--------------- =
coeficientes de captura C
cp
y C
c n
Para bajo nivel de inyeccin:
U
tipo n
p'
p
----- = U
tipo p
n'
n
----- =
Valores tpicos:
GaAs <<
Si, Ge
1ns 1 s
Tr. 26
Fenmenos de Transporte en Semiconductores
En equilibrio trmico, el movimiento de portadores
de carga es aleatorio por lo que contribuyen a un
promedio de corriente elctrica cero j 0 =
En Semiconductores existen dos procesos de transporte que
producen corriente elctrica
j 0 =
ARRASTRE DIFUSIN
Movimiento de portadores
en respuesta a un campo elctrico
Movimiento de portadores
debido a un gradiente de concentracin
huecos electrones
v
a
Movimiento aleatorio con componente neta

de velocidad v
a
en direccin del campo
Movimiento de portadores tendiendo a ir
desde regiones de alta concentracin
hacia regiones de baja concentracin
Tr. 27
Fenmenos de Arrastre en Semiconductores
qt
c ol
m
e
v
an
=
El acelera a los portadores y sus colisiones con impurezas o con la estructura cristalina
Macroscpicamente: impulso entre colisiones = cantidad de movimiento
(fuerza x tiempo) (masa x velocidad)

Movimiento aleatorio con componente neta de velocidad v
a
en direccin del campo x
n
qt
c ol
m
e
---------------- =
v
ap
p
=
p
qt
c ol
m
h
---------------- =
v
an
n
=
Valores de movilidad:
Silicio ;T=300K; dopado<10
16
cm
-3
n
=1417cm
2
/vXs
p
=471cm
2
/vxs
Velocidades de arrastre:
Movilidades:
qt
col
m
h
v
ap
=
para electrones
para huecos
La es una medida de la facilidad
en el semiconductor
de movimiento de los portadores
Un incremento de colisiones retarda
el movimiento y reduce la movilidad
La varia con la T, el dopado y el campo
Tr. 28
Dependencia de la movilidad
con el dopado y la temperatura
Dependencias de la Movilidad ()
Movilidad de electrones para
una muestra de Si tipo-n
Dependencia de la movilidad
con el dopado a T=cte
Movilidad de electrones y huecos en
Si y AsGa a T=300K
Tr. 29
Velocidad de arrastre
Dependencia de la velocidad de arrastre con el campo elctrico
A PEQUEOS v
a
<< V
TRMICA
v
a
TIENE POCO EFECTO SOBRE
LA ENERGA TOTAL DE LOS
A GRANDES v
a
V
TRMICA
LA ENERGA TOTAL DE UN
ELECTRN INCREMENTA
CONSIDERABLEMENTE
COMO LA ENERGA CINTICA
EST RELACIONADA CON T
A DICHOS ELECTRONES SE LES
LLAMAN ELECTRONES CALIENTES
CUANDO ESTOS ELECTRONES COLISIONAN CON LOS TOMOS DE LA
RED, EXCITAN LA RED EN UN NUEVO MODO DE VIBRACIN QUE TIENE
UNA SECCIN MAYOR PARA INTERCEPTAR MS ELECTRONES. DE ESTA
FORMA, LA DISPERSIN POR LOS TOMOS DE LA RED ES MUY GRANDE,
CAUSANDO QUE LA VELOCIDAD DE A RRASTRE SE SATURE.
ELECTRONES
Tr. 30
Corrientes de Arrastre
I
Densidad de corriente = carga por unidad de tiempo
y de superficie que atraviesa un plano arbitrario
perpendicular a la direccin de flujo de portadores
A
h
e
j
ap
j
an
Carga que atraviesa A durante un tiempo t: qpv
ap
At
Densidades de corriente:
j
ap
qp v
ap
qp
p
= =
huecos
j
an
q nv
an
qn
n
= = electrones
Corriente Total de Arrastre:
j
a
j
ap
j
an
+ q p
p
n
n
+ ( ) = =
Conductividad: q p
p
n
n
+ ( ) =
Resistividad:
-- =
Un mismo semiconductor puede
control de las
propiedades elctricas
con el dopado
tener distintos valores de
Tr. 31
Curvatura de Bandas en Semiconductores
La existencia de un campo elctrico
hace que las bandas de energa
dependan de la posicin
Curvatura de bandas
E
c
E
c
(x)
E
v
E
v
(x)
Relacin entre campo y curvatura:
E
E
c
E
v
x
Con E > E
g
se crean portadores mviles
dentro del semiconductor
E - E
c
= energa cintica de los e-
E
v
- E = energa cintica de los h+
E
c
- E
ref
= energa potencial del e-
E
ref
Para un potencial electrosttico V:
-q V = E
c
- E
ref
Como: V =

x d
d
V ( ) =
1
q
---
x d
d
E
c
( )
1
q
---
x d
d
E
v
( )
1
q
---
x d
d
E
i
( ) = = =
campo relacionado con la pendiente de Ec, Ev o Ei
Tr. 32
Corrientes de Difusin
j
ndif
El movimiento de portadores de carga debido a la
j
pdif
qD
p
p =
j
ndif
qD
n
n =
D
p
y D
n
son las constantes de difusin ( cm
2
/ s)
Relacin de Einstein: establece la relacin entre la constante de difusin
y la movilidad de cada portador
Corrientes de Difusin:
D
p
p
------
kT
q
----- =
D
n
n
------
kT
q
----- =
j
p
q
p
p qD
p
p =
j
n
q
n
n qD
n
n + =
j
pdif
Ecuacin general de transporte:
h
e
difusin da lugar a corrientes elctricas
Podemos predecir la corriente total que fluye en
el dispositivo semiconductor si conocemos las
concentraciones de los portadores de carga mviles
Tr. 33
Ecuacin de Continuidad
rea
A
I
Objetivo: Calcular la distribucin de las concentraciones de los portadores
J
h
(x)
x x+x
J
h
(x+x)
G-R
I
Luz
G
L
Dinmica de los portadores:
efecto combinado de todos los procesos
w Arrastre y Difusin (fenm. de transporte)
w Generacin/ Recombinacin de pares e-h
que originan cambio de portadores con
el tiempo
w Otros (iluminacin)
Concentracin de huecos

x
Dentro del volumen infinitesimal (Ax):
-hay distintas densidades de corriente en cada punto del volumen-->
-se dan procesos de recombinacin y generacin en el tiempo (G-R)

-se crean portadores por iluminacin (G
L
)
J
h
x ( ) J
h
x x + ( )
t
p x t , ( ) volumen [ ]
I
h
x ( )
q
-----------
I
h
x x + ( )
q
----------------------
transporte
t
p
R G
volumen [ ]
t
p
otros
volumen [ ] + + =
t
p x t , ( )
1
q
--- J
h
x ( ) J
h
x x + ( ) [ ]
A
Ax
---------
t
p
R G
t
p
otros
+ + =
Tr. 34
Ecuacin de Continuidad
Ec. de continuidad para huecos:
t
p
1
q
---
x
j
p
G
L
U + =
t
n
1
q
---
x
j
n
G
L
U + = Ec. de continuidad para electrones:
donde,
j
p
q
p
p qD
p
x
p =
j
n
q
n
n qD
n
x
n + =
U = velocidad neta de generacin-recombinacin trmica

G
L
= velocidad de generacin-recombinacin por iluminacin

FENMENOS DE TRANSPORTE
(ARRASTRE Y DIFUSIN)
SI X ----> dX, DESARROLLO EN SERIE DE TAYLOR: J
h
x dx + ( ) J
h
x ( )
x
J
h
dx + =

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