Materiales Intrínsecos y Extrínsecos P y N

PRACTICA 01
Semiconductores
Materiales Intrnsecos y Extrnsecos P y N
- Material Intrnseco:
Se le llama as al cristal del semiconductor que es qumicamente
puro, y que adems no presenta defectos en su red cristalina. A
0k no existen portadores de carga libres, y el semiconductor se
comporta como un aislante, pero al incrementarse la temperatura
empiezan a generar pares electrn -hueco.
Estos pares electrn -hueco se generan al romperse los enlaces
entre los tomos. Igualmente pueden ocurrir aniquilaciones de
pares electrn hueco cuando un electrn de la banda de
conduccin hace una transicin a la banda de valencia y ocupa un
estado vaco (hueco), este proceso es denominado recombinacin.
En la siguiente figura se muestra lo descrito anteriormente con un
modelo de enlace covalente para el silicio:
- Material Extrnseco:
La caracterstica de los materiales semiconductores, pueden ser
alteradas de manera significativa por la adicin de ciertos tomos
de impureza en un material semiconductor relativamente puro.
Estas impurezas, aunque se haya aadido una parte en 10
millones, pueden alterar en forma suficiente la estructura de la
banda y cambiar totalmente las propiedades elctricas del
material.
Un material semiconductor que ha sufrido el proceso de dopado,
se denomina material extrnseco. En la actualidad existen dos
materiales extrnsecos que son de gran importancia para la
fabricacin de dispositivos semiconductores: el tipo n y el tipo p.
Tanto el material tipo n como el tipo p, se forman mediante la
adicin, de un nmero predeterminado, de tomos de impureza al
germanio o al silicio.
Material tipo n:
El material tipo n, se crea a travs de la introduccin de los
elementos de impureza que poseen cinco electrones de valencia
(pentavalentes), como el antimonio, el arsnico y/o el fsforo.
Si observamos detenidamente, vemos que las cuatro uniones
covalentes an se encuentran presentes. Existiendo, sin
embargo, un quinto electrn adicional debido al tomo de
impureza, el mismo que se consigue desasociado en cualquier
unin covalente particular. Este electrn restante, unido
dbilmente a su tomo (antimonio), se encuentra relativamente
libre para moverse dentro del recin formado material tipo n;
esto se debe a que el tomo de impureza insertado ha donado
un electrn libre a la estructura:
Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia, se
les designa
tomos
donadores
Es importante comprender que, aunque un nmero significativo
de portadores libres se han creado dentro de un material tipo
n, este llega a tener un comportamiento elctricamente neutral;
esto se debe a que de manera ideal el nmero de protones
cargados positivamente en los ncleos es todava igual al
nmero de electrones libres cargados negativamente en la
rbita de la estructura.
El efecto de este proceso de dopado, sobre la conductividad
relativa, se describe mejor, a travs del diagrama de banda de
energa en la figura.
Observe detenidamente que el nivel de energa discreto (llamado
tambin nivel del donador) aparece en la banda prohibida con un
Eg, significativamente menor que aquel del material intrnseco.
Aquellos electrones libres, que corresponden a la impureza
aadida, se sitan en este nivel de energa, teniendo menor
dificultad para absorber la energa trmica que le ser suficiente
para moverse a la banda de conduccin en temperatura ambiente.
El resultado es que a temperatura ambiente existe un gran
nmero de portadores (electrones) en el nivel de conduccin, y la
conductividad del material aumenta en forma significativa. Si se
somete un material de Si intrnseco a temperatura ambiente,
existira aproximadamente un electrn libre por cada 10 12 tomos
(uno por cada 109 para Ge). Si el nivel de dosificacin fuera de 1
en 10 millones (107), la proporcin (1012/107 = 105) indicara que la
concentracin de portadores se ha incrementado en una
proporcin de 100 000:1
Material tipo p
El material tipo p, se forma mediante el dopado de un cristal
puro de germanio o de silicio con tomos de impureza que
poseen tres electrones de valencia; los elementos comnmente
utilizados para este propsito es el boro, el galio y el indio. El
efecto de alguno de estos elementos, como el boro sobre el
silicio, se muestra en la figura.
Observemos que ahora existe un nmero de electrones
insuficientes para completar las uniones covalentes de la red
cristalina que se ha
formado, a esta vacante
resultante se le denomina
hueco, y est representado
por un pequeo
crculo o signo positivo
debido a la ausencia de
una carga negativa. Por
tanto, dicha vacante
aceptar fcilmente un
electrn libre.
A las impurezas
difundidas con tres
electrones de valencia, se
les conoce como tomos aceptores El material resultante tipo
p es elctricamente neutro, por las mismas razones descritas
anteriormente para el material tipo n.
Dopado:
En la produccin de semiconductores, se denomina dopaje al proceso
intencional de agregar impurezas en un semiconductor
(abreviadamente, SC) extremadamente puro (tambin referido como
intrnseco) con el fin de cambiar sus propiedades elctricas. Las
impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar.
A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce
como extrnsecos. Un semiconductor altamente dopado, que acta
ms como un conductor que como un semiconductor, es llamado
degenerado.
Semiconductores Compuestos:
Mtodo Czochralsky
EPITAXIAL: Molecular Beam Epitaxy(MBE)
Las mayores ventajas de la tcnica MBE son: La versatilidad y simplicidad

de su principio de operacin. El entorno de vaco ultra-alto (UHV) da lugar a
que los haces de tomos o molculas sean direccionados hacia el cristal del
substrato donde se forma la capa cristalina. Este entorno de UHV hace
posible que puedan aplicarse: Tcnicas de medida y caracterizacin in
situ(espectroscopa de masas, espectroscopa de electrones Auger(AES),
espectroscopia de masa de iones secundarios (SIMS), microscopa de
visualizacin electrnica (SEM), difractmetros, etc.) para estudiar los
procesos fundamentales que tienen lugar en el crecimiento del cristal.
Monitorizacin y herramientas de diagnstico. Realizacin de un grabado
por chorro de iones (limpieza in situ) previamente a la realizacin del
crecimiento epitaxial, etc. Posibilidad de introducir gran variedad de
dopantes y gran control de su perfil de dopado. No hay reacciones qumicas
complejas. Gran calidad de los substratos obtenidos.
Los inconvenientes de la tcnica MBE: Elevado coste del equipo y su
complejidad. Bajas velocidades de crecimiento Slo es posible realizar el
crecimiento de una nica oblea cada vez.
Crecimiento EPITAXIAL: Liquid Phase Epitaxy(LPE)
Involucra el crecimiento de capas epitaxiales sobre substratos cristalinos por

precipitacin directa desde la fase lquida. Cristalizacin de las fases a partir
de una solucin.
Tema 3. Tecnologa y Fabricacin de CIs
Se basa en la SOLUBILIDAD de un soluto en un disolvente a una Tdada.
El substrato (la oblea donde se quiere crecer la capa) de poner en contacto
con una solucin: Con un solvente previamente escogido saturada del
material semiconductor A una Temperatura apropiada En condiciones
prximas al equilibro entre la disolucin y el substrato, se puede crecer el
semiconductor sobre el substrato de manera lenta y uniforme.
Las velocidades de crecimiento tpicas son de 0.1-1 m/minuto. El
crecimiento se controla mediante un enfriamiento de la mezcla. Puede
producirse un dopaje mediante la adicin de dopantes.
Caractersticas de las capas crecidas
Las capas crecidas mediante este mtodo se caracterizan por tener un
tiempo de vida media de minoritarios elevados (pocas impurezas
profundas): se utiliza mucho en la realizacin de dispositivos
optoelectrnicos: lseres de heteroestructuras de capas mltiples de GaAsy
AlGaAs El control del crecimiento de la capa desde la fase lquida puede
realizar mediante un enfriamiento controlado de la disolucin o mezcla Las
velocidades de crecimiento LPE son extremadamente bajas La introduccin
de impurezas se reduce fuertemente. Se puede realizar un dopaje mediante
un aadido de impurezas a la disolucin. Es un mtodo utilizado
principalmente para el crecimiento de materiales SC compuestos III-V en los
cules el Gao In son el elemento tipo III, dado que estos metales forman
soluciones a temperaturas bajas.
Ventajas LPE
Es un proceso simple que requiere un equipo modesto Se puede realizar en

condiciones normales de laboratorio Menos costosa y mayor velocidad de
crecimiento que la MBE Baja concentracin de defectos Excelente control de
la estequiometria
Desventajas LPE
Las condiciones de solubilidad restringen en gran manera al nmero de

materiales a los cuales es aplicable esta tcnica. El control de la morfologa
(orientacin cristalina) es muy difcil La calidad superficial es pobre
EPITAXIAL: Vapour Phase Epitaxy(VPE)

Es un proceso en el que una capa slida delgada se sintetiza partiendo de
una fase gaseosa mediante una reaccin qumica. El propsito de la
epitaxiaes crecer una capa de Silicio de grosor uniforme y en la cual se
puedan controlar las propiedades elctricas y proporcionar un substrato
perfecto en el procesado del dispositivo para cada tipo de aplicacin.
Este tipo de epitaxia tiene lugar a alta temperatura Caractersticas:
Diferentes especies qumicas que van a formar la capa epitaxial(Si, Ga, As,
tambin pueden transportar dopantes) se transportan en forma de vapor
(fase gaseosa) a travs de compuestos qumicos gaseosos (normalmente
por H2) a la Tde reaccin, hacia la oblea En la oblea se depositan en la
superficie del material para formar la capa epitaxial mediante la
correspondiente reaccin qumica Estos compuestos se depositan
ordenadamente siguiendo la cristalografa del substrato o de la oblea Puede
llevarse a cabo a presin atmosfrica, evitando la necesidad de realizar un
sistema de vaco y reduciendo la complejidad Tasas de crecimiento elevadas
Veremos la epitaxia de Silicio La de Ga As no la vamos a estudiar debido a
su mayor complejidad.

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EPITAXIAL: Molecular Beam Epitaxy(MBE)

Las mayores ventajas de la tcnica MBE son: La versatilidad y simplicidad

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