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    Travaux Pratiques Physique Des Semiconducteur

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    Houho Dz
    Ce document décrit un travail pratique sur une diode à jonction PN. Il présente le but, la théorie, le montage expérimental et les résultats obtenus en faisant varier la tension appliquée à la diode et en mesurant le courant et la tension. Les caractéristiques de la diode sont tracées.

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    Travaux pratiques physique des semiconducteurs ; pour L3 Physique des matériaux ; 2019-2020

    Tp N°1 Diode à jonction PN

    I) But du TP :

    Etude des caractéristiques d’une diode

    II) Partie Théorique :

    Diode, composant électronique autorisant le passage d’un courant électrique dans un seul
    sens. Les diodes sont utilisées pour le redressement et la détection d’un courant.

    DIODES À SEMI-CONDUCTEUR

    Aujourd’hui, les diodes les plus courantes sont à semi-conducteur, généralement au


    germanium ou au silicium. Ce type de diode autorise le passage du courant de la zone P
    vers la zone N

    3.1 Diode Zener

    Une diode Zener est une diode au silicium qui présente à ses bornes une tension
    indépendante du courant qui la traverse. C’est pourquoi elle est utilisée comme
    stabilisateur de tension.

    3.2 Diode DEL

    Une diode électroluminescente, dite diode DEL, offre la particularité d’émettre un signal
    lumineux lorsqu’une tension est appliquée à ses bornes. On l’emploie sur la plupart des
    appareils dotés d’un affichage numérique, comme les montres à quartz et les calculatrices
    de poche.

    Diode classique (pour usages multiples)

     Fréquence maximale de fonctionnement qq 100 MHz,


     Puissance maximale qq W,
     courant direct maximum qq A.
     tension inverse maximale qq 10V,
     temps de commutation moyen qq 10 ns.

    1 Dr H. Moualkia
    Travaux pratiques physique des semiconducteurs ; pour L3 Physique des matériaux ; 2019-2020

    III) Partie Expérimentale :

    On réalise le montage suivant :

    MA
    R=1K

    Diode D
    Générateur E mV
    VV

    Figure.1

    On fait variée la tension de 0 a 10 v et on note le courant et la tension, et il faut respecter


    notre remarque donc on a augmenté le nombre de mesure dans l’intervalle [0-1] les
    résultats sont représenté dans le tableau suivant

    E (v) 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7

    I (m.A)

    V (v)

    Suite du tableau :

    0.8 0.9 1 2 3 4 6 8 10

    Le passage du courant dans le circuit indique que notre diode est passante dans notre
    système donc la tension au borne de l’anode a été supérieure a celle de la cathode Ve > Vs

    La diode utilisée est une diode faite à base du Silicium

    2 Dr H. Moualkia
    Travaux pratiques physique des semiconducteurs ; pour L3 Physique des matériaux ; 2019-2020

    b- Dans cette partie on va inverser le sens de la diode comme il est indiqué dans le circuit
    suivant :

    On fait variée E de 0 a 10 v et on note le courant et la tension dans le tableau suivant :

    E (v) 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7

    I (m.A)

    V (v)

    0.8 0.9 1 2 3 4 6 8 10

    0.81

    0.6

    Le tableau ci-dessous montre les valeurs expérimentales lorsque on polarise la diode en


    directe:

    E(V) V(V) I(A)


    [0,1] 0,09 0
    [0,1] 0,24 3E-5
    [0,1] 0,6 3,6E-4
    2 0,62 0,0012
    2,5 0,63 0,0019
    3 0,64 0,0021
    3,5 0,64 0,0026
    4 0,65 0,0031
    4,5 0,65 0,0036
    5 0,66 0,0041
    5,5 0,665 0,0045
    6 0,67 0,0055
    6,5 0,68 0,0055
    7 0,69 0,0061
    7,5 0,69 0,0066
    8 0,69 0,007
    8,5 0,69 0,0075
    9 0,69 0,008
    9,5 0,69 0,0084
    10 0,69 0,009

    3 Dr H. Moualkia
    Travaux pratiques physique des semiconducteurs ; pour L3 Physique des matériaux ; 2019-2020

    0,010
    caracteristique I(V)de la diode pn en directe
    0,009
    0,008
    0,007
    0,006
    Courant (A)

    0,005 M0=(0.536 V; 3,24e-4 A)


    0,004
    0,003 Tension de seuil = 0,66V

    0,002
    0,001
    0,000
    -0,001
    0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0
    Tension (V)

    Polarisation directe : pour les faible valeurs de la tension le courant a un chemin


    exponentiel puis il devient linéaire a partir de 0.66 v la croissance linéaire devienne très
    nette a partir d’une certaine tension cette tension est nommée le seuil de redressement.

    b- Dans cette partie on va inverser le sens de la diode

    On fait variée E de 0 à 6 v et on note le courant et la tension dans le tableau suivant :

    E (v) 0 0.1 0.2 0.4 0.5 0.6 0.7

    I (m.A) 0 0 0 0 0 0

    V (v) 0.1 0.23 0.4 0.52 0.62 0.7

    0.8 0.9 1 2 3 4 6

    0 0 0 0 0 0 0

    0.8 0.89 1.5 2.5 3.1 4.1 5.3

    4 Dr H. Moualkia
    Travaux pratiques physique des semiconducteurs ; pour L3 Physique des matériaux ; 2019-2020

    5 Dr H. Moualkia

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