Technische Information / Technical Information

IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 75 GD 60 DLC

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
VCES 600 V
collector-emitter voltage

Kollektor-Dauergleichstrom TC = 70° C IC,nom. 75 A

DC-collector current TC = 25 °C IC 95 A

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

tP = 1 ms, TC = 70°C ICRM 150 A
repetitive peak collector current

Gesamt-Verlustleistung
TC=25°C, Transistor Ptot 330 W
total power dissipation

Gate-Emitter-Spitzenspannung
VGES +/- 20V V
gate-emitter peak voltage

Dauergleichstrom
IF 75 A
DC forward current

Periodischer Spitzenstrom
tP = 1 ms IFRM 150 A
repetitive peak forw. current

Grenzlastintegral der Diode

2 VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C I2t 1.200 A2s
I t - value, Diode

Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV
insulation test voltage

Charakteristische Werte / Characteristic values

Transistor / Transistor min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung IC = 75A, VGE = 15V, Tvj = 25°C - 1,95 2,45 V
VCE sat
collector-emitter saturation voltage IC = 75A, VGE = 15V, Tvj = 125°C - 2,20 - V

Gate-Schwellenspannung
IC = 1,5 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) 4,5 5,5 6,5 V
gate threshold voltage

Eingangskapazität
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cies - 3,3 - nF
input capacitance

Rückwirkungskapazität
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cres - 0,3 - nF
reverse transfer capacitance

Kollektor-Emitter Reststrom VCE = 600V, VGE = 0V, Tvj = 25°C - 1 500 µA

ICES
collector-emitter cut-off current VCE = 600V, VGE = 0V, Tvj = 125°C - 1 - mA

Gate-Emitter Reststrom
VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C IGES - - 400 nA
gate-emitter leakage current

prepared by: Andreas Vetter date of publication: 2006-01-31

approved by: Michael Hornkamp revision: 3

BSM 75 GD 60 DLC
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 75 GD 60 DLC

Charakteristische Werte / Characteristic values

Transistor / Transistor min. typ. max.
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) IC = 75 A, VCC = 300V
turn on delay time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 3,0 Ω, Tvj = 25°C td,on - 63 - ns
VGE = ±15V, RG = 3,0 Ω, Tvj = 125°C - 65 - ns

Anstiegszeit (induktive Last) IC = 75 A, VCC = 300V

rise time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 3,0 Ω, Tvj = 25°C tr - 22 - ns
VGE = ±15V, RG = 3,0 Ω, Tvj = 125°C - 25 - ns

Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) IC = 75 A, VCC = 300V

turn off delay time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 3,0 Ω, Tvj = 25°C td,off - 155 - ns
VGE = ±15V, RG = 3,0 Ω, Tvj = 125°C - 170 - ns

Fallzeit (induktive Last) IC = 75 A, VCC = 300V

fall time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 3,0 Ω, Tvj = 25°C tf - 20 - ns
VGE = ±15V, RG = 3,0 Ω, Tvj = 125°C - 35 - ns

Einschaltverlustenergie pro Puls IC = 75 A, VCC = 300V, VGE = 15V

Eon - 0,7 - mJ
turn-on energy loss per pulse RG = 3,0 Ω, Tvj = 125°C, Lσ = 15 nH

Abschaltverlustenergie pro Puls IC = 75 A, VCC = 300V, VGE = 15V

Eoff - 2,4 - mJ
turn-off energy loss per pulse RG = 3,0 Ω, Tvj = 125°C, Lσ = 15 nH

Kurzschlußverhalten tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V

ISC - 340 - A
SC Data TVj≤125°C, VCC=360V, VCEmax= VCES -LσCE ·di/dt

Modulinduktivität
LσCE - 55 - nH
stray inductance module

Modul-Leitungswiderstand, Anschlüsse - Chip

Tc= 25°C RCC'+EE' - 4,4 - mΩ
lead resistance, terminals - chip

Charakteristische Werte / Characteristic values

Diode / Diode min. typ. max.
Durchlaßspannung IF = 75 A, VGE = 0V, Tvj = 25°C - 1,25 1,6 V
VF
forward voltage IF = 75 A, VGE = 0V, Tvj = 125°C - 1,20 - V

Rückstromspitze IF = 75 A, - diF/dt = 3000 A/µsec

peak reverse recovery current VR = 300V, VGE = -10V, Tvj = 25°C IRM - 95 - A
VR = 300V, VGE = -10V, Tvj = 125°C - 115 - A

Sperrverzögerungsladung IF = 75 A, - diF/dt = 3000 A/µsec

recovered charge VR = 300V, VGE = -10V, Tvj = 25°C Qr - 5,1 - µC
VR = 300V, VGE = -10V, Tvj = 125°C - 7,9 - µC

Abschaltenergie pro Puls IF = 75 A, - diF/dt = 3000 A/µsec

reverse recovery energy VR = 300V, VGE = -10V, Tvj = 25°C Erec - - - mJ
VR = 300V, VGE = -10V, Tvj = 125°C - 2,3 - mJ

BSM 75 GD 60 DLC
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IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 75 GD 60 DLC

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

min. typ. max.
Innerer Wärmewiderstand Transistor / transistor, DC - - 0,37 K/W
RthJC
thermal resistance, junction to case Diode/Diode, DC - - 0,73 K/W

Übergangs-Wärmewiderstand pro Modul / per module

RthCK - 0,02 - K/W
thermal resistance, case to heatsink λPaste = 1 W/m*K / λgrease = 1 W/m*K

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
Tvj - - 150 °C
maximum junction temperature

Betriebstemperatur
Top -40 - 125 °C
operation temperature

Lagertemperatur
Tstg -40 - 125 °C
storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see appendix

Innere Isolation
Al2O3
internal insulation

CTI
225
comperative tracking index

Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung Schraube M5 4 Nm

M1
mounting torque screw M5 -15 15 %

Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse - Nm

terminal connection torque - Nm

Gewicht
G 180 g
weight

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.

It is valid in combination with the belonging technical notes.

BSM 75 GD 60 DLC
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IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 75 GD 60 DLC

Ausgangskennlinie (typisch) I C = f (VCE)

Output characteristic (typical) VGE = 15V

150

Tvj = 25°C
125
Tvj = 125°C

100
IC [A]

75

50

25

0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5

VCE [V]

Ausgangskennlinienfeld (typisch) I C = f (VCE)

Output characteristic (typical) Tvj = 125°C

150

VGE = 8V
125
VGE = 9V
VGE = 10V
VGE = 12V
100
VGE = 15V
VGE = 20V
IC [A]

75

50

25

0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

VCE [V]

BSM 75 GD 60 DLC
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IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 75 GD 60 DLC

Übertragungscharakteristik (typisch) I C = f (VGE)

Transfer characteristic (typical) VCE = 20V

150

Tvj = 25°C
125 Tvj = 125°C

100
IC [A]

75

50

25

0
5 6 7 8 9 10 11 12 13

VGE [V]

Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) I F = f (VF)

Forward characteristic of inverse diode (typical)

150
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
125

100
IF [A]

75

50

25

0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6

VF [V]

BSM 75 GD 60 DLC
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IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 75 GD 60 DLC

Schaltverluste (typisch) E on = f (IC) , E off = f (IC) , E rec = f (IC)

Switching losses (typical) Ω,= Ω , VCC = 300V, Tvj = 125°C
Ω, =RG,off = 3,0Ω
RG,on = 3,0Ω,

5,0

4,5
Eon
4,0 Eoff
Erec
3,5
E [mJ]

3,0

2,5

2,0

1,5

1,0

0,5

0,0
0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 150
IC [A]

Schaltverluste (typisch) E on = f (RG) , E off = f (RG) , E rec = f (RG)

Switching losses (typical) IC = 75 A , VCC = 300V , Tvj = 125°C

4,0

Eon
3,5
Eoff
Erec
3,0

2,5
E [mJ]

2,0

1,5

1,0

0,5

0,0
0 5 10 15 20

Ω]
RG [Ω

BSM 75 GD 60 DLC
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IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 75 GD 60 DLC

Transienter Wärmewiderstand Z thJC = f (t)

Transient thermal impedance

Zth:IGBT
[K / W]
ZthJC

0,1 Zth:Diode

0,01
0,001 0,01 0,1 1 10

t [sec]

i 1 2 3 4
ri [K/kW] : IGBT 15,7 193,9 130,4 30,0
τi [sec] : IGBT 0,0020 0,0240 0,0651 0,6626
ri [K/kW] : Diode 257,3 246,7 155,0 71,1
τi [sec] : Diode 0,0980 0,0340 0,1069 0,9115

Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)

Reverse bias safe operation area (RBSOA) Ω , Tvj= 125°C
VGE= +15V, R G,off = 3,0Ω

175

150

125

100

IC,Modul
75
IC [A]

IC,Chip

50

25

0
0 100 200 300 400 500 600 700

VCE [V]

BSM 75 GD 60 DLC
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 75 GD 60 DLC

Gehäusemaße / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram

BSM 75 GD 60 DLC
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