Addis 

Ababa University 
Faculty of Technology 
Department of Electrical and Computer Engineering 
Laboratory Report 
Course number: Eceg:‐ 2205 ‐ Electrical Engineering Laboratory II 

Experiment Number: 02 

Title: Semiconductor Diode Characteristics  

Figure A: Circuit symbol for a semiconductor diode 
 

By: Besufekad Mekuria 

Group: 1B, Subgroup 5, ID: TCR/0590/01 

Date of Lab. session: November 04, 2009 

Date of submission: November 11, 2009 

AAU, FACULTY OF TECHNOLOGY, DEPARTMENT OF ELECTRICAL ENGINEERING, LABORATORY REPORT 0

 TABLE OF CONTENTS:
 
Section  Sub­Title  Location 
NO 
1.1  Introduction  Page Two

1.2  Objective  Page Two

1.3  Preparation  Page Two

1.4  Used Equipment Page Two

1.5  Components used   Page Three   

1.6  Theory  Page Three   

1.7  Procedure  Page Four 

1.8  Calculations  Page Four 

1.9  Results  Page Five

1.10  Conclusion  Page Six

AAU, FACULTY OF TECHNOLOGY, DEPARTMENT OF ELECTRICAL ENGINEERING, LABORATORY REPORT 1

 SEMICONDUCTOR DIODE CHARACTERISTICS

1.1 INTRODUCTION 
Semiconductor junction diodes are a special kind of two‐terminal circuit elements constructed 
by attaching a P‐type semiconductor with an N‐type semiconductor. 

Junction‐type diodes consist of a junction of two different kinds of semiconductor material. For 
instance, the Zener diode is a special junction‐type diode, using silicon, in which the voltage across the 
junction is independent of the current through the junction. Because of this characteristic, Zener diodes 
are  used  as  voltage  regulators.  Another  special  junction‐type  diode  is  used  in  solar  cells;  a  voltage 
appears  spontaneously  when  the  junction  is  illuminated.  In  light‐emitting  diodes  (LEDs),  on  the  other 
hand, a voltage applied to the semiconductor junction results in the emission of light energy. LEDs are 
used in numerical displays such as those on electronic digital watches and pocket calculators. 
 

1.2 OBJECTIVE 
A. To  introduce  diodes  in  the  networks.  And  to  develop  the  skill  of  using  them  in  voltage  and 
current manipulation. 
B. To observe the voltage – current characteristics of circuits containing diodes. 
C. To check whether or not the “Boltzmann’s diode equation” holds true in the practical world. 
D. To observe the special voltages in the voltage – current relationship such as the cut‐in voltages                
and the breakdown voltages 

1.3 PRE‐LAB PREPARATION 
      While  performing  on  the  laboratory  session,  a  laboratory  manual  was  supplied  by  the  instructors. 
This  manual  included  all  the  necessary  information  that  was  important  in  predetermining  the  current 
and voltage relationships we also obtained in the class room notes, these formulas will be discussed in 
Section 1.5 and 1.6 (the Theory and Procedure sections) of this booklet.  

1.4 USED EQUIPMENT 
No  Description  Code/Lab Reference Quantity 
1  Cathode Ray oscilloscope ‐ 1 
2  Vaccum Tube Voltmeter ‐ 1 
3  Direct Current Ammeter ‐ 1 
Table 1: Electrical Equipments that were used to set up the circuit for the laboratory procedure   

AAU, FACULTY OF TECHNOLOGY, DEPARTMENT OF ELECTRICAL ENGINEERING, LABORATORY REPORT 2

 1.5 USED COMPONENTS 
No  Description  Type Quantity 
1  Resistor  180 Ω 1 
2  Resistor  39 Ω 1 
3  Resistor  4.7 Ω 1 
4  Zener Diode  ‐ 1 
5  Rectifying Diode  IN 4001 2 
Table 2: Electrical Components that were used to set up the circuit for the laboratory procedure   

1.6 THEORY 

B  4.7 Ω 
D1 

C 
39 Ω  F 
D2 

Es  180 Ω  10 Ω 

        Figure 1: Procedural diagram for the laboratory session 

The operating principles of diodes resides in the electrical properties of extrinsic semiconductors which are 
tetravalent  element  such  as  silicon  doped  with  or  mixed  with  either  a  trivalent  element  such  as  boron  or  a 
pentavalent element such as arsenic.   

In  theory,  the  special  current  –  Voltage  relationships  can  be  used  to  regulate  the  output  of  the  circuit. 
Especially the cut in voltages for the forward biased condition and the breakdown voltages for the reverse biased 
condition. 

If  an  external  potential  of  V  volts  is  applied  across  the  p‐n  junction  such  that  the  positive  terminal  is 
connected  to  the  n‐type  material  and  the negative  terminal  is  connected  to  the p‐type  material,  the  number  of 
uncovered  positive  ions  in  the  depletion  region  of  the  n‐type  material  will  increase  due  to  the  large  number  of 
“free”  electrons  drawn  to  the  positive  potential  of  the  applied  voltage.  For  similar  reasons,  the  number  of 
uncovered negative ions will increase in the p‐type material. 
 

A semiconductor diode is forward‐biased when the association p‐type and positive 
and n‐type and negative has been established. The application of a forward‐bias potential VD will “pressure” 
electrons in the n‐type material and holes in the p‐type material to recombine with the ions near the boundary and 
reduce the width of the depletion region. 
 

AAU, FACULTY OF TECHNOLOGY, DEPARTMENT OF ELECTRICAL ENGINEERING, LABORATORY REPORT 3

 1.7 PROCEDURE 
1. The network for the procedure was set up according to ‘Figure 1’. 

2. The oscilloscope was set up in such a way that point F was connected to the vertical scope, and 
the point E to the horizontal scope. 

3. The Leybold AC source was supplied to the circuit. 

4. Then,  the  volts/division  of  the  horizontal  and  the  vertical  scope  were  manipulated  in  the 
following manner. 

¾ H : 1V/Div   V : 20mV/Div 

¾ H : 0. 1V/Div  V : 20mV/Div 

¾ H : 1V/Div  V : 20mV/Div, and Leybold source set to 6Vrms and display was connected to 10Ω 

5. And lastly, the vertical scope of the oscilloscope was connected in parallel to the zener diode, 
hereby displaying its properties and they were recorded. 

6. Then, the voltage variation was recorded at specified currents of: 1.0, 1.6, 0.25, 0.40, 0.60, and 
0.80(A), while making sure that the top limit current of 1A was not surpassed.  

1.8 Calculations  
All of the necessary calculations required can be summarized as follows: 

I = Is(ekv/tk-1)
And note that: static resistance = V/I 

Static resistance (Rs) = 0.2/2mA  

   = 0.1K or 100 Ω 

Dynamic Resistance = ∆V/∆I

= 4-2/20mA-10mA

= 2V/10mA = 0.2K Ω or 200 Ω

AAU, FACULTY OF TECHNOLOGY, DEPARTMENT OF ELECTRICAL ENGINEERING, LABORATORY REPORT 4

 1.9 Results 
After completing setting up the circuit, the voltage measurements at the points specified on the 
procedure  were  measured,  here  is  the  values  obtained  by  measuring  the  voltage  while  varying  the 
current. 

™ Tabulation for Procedure A3, 

Current (mA)  1.0  1.6  2.5  4.0  6.0  10  16  25  40  60  80  100  250  400  600 

Voltage (V)  0.45  0.5  0.52  0.55  0.57  0.59  0.61  0.62  0.64  0.65  0.66  0.68  0.70  0.72  0.75 

™ Tabulation for Procedure A4, 

Voltage  Current 

2V  0µA 

4V  0µA 

6V  0µA 

10V  0µA 

™ Oscilloscope voltage Displays for variable volage per divisions: 

1. For x: 1v/Div, Y:20mV/Div                                             2.   For x: 0.1v/Div, Y:20mV/Div 

3. For x:0. 1v/Div, Y:20mV/Div                                           4.  For x: 1v/Div, Y:20mV/Div.                                                                                   

AAU, FACULTY OF TECHNOLOGY, DEPARTMENT OF ELECTRICAL ENGINEERING, LABORATORY REPORT 5

 1.10 Conclusion 
Upon completion of the laboratory session, many observations were made; these observations have been 
dealt with here under their own subheading. 

Observations made from Analysis of the voltage – current relationships. 

¾ For the Forward biased condition, the voltage and current do indeed relate exponentially to one other 
once the “cut‐in” voltage has been passed.  

¾ And  in  the  reverse  biased  condition,  the  current  flow  will  be  greatly  limited  once  the  stage  of 
“Breakdown” is surpassed. This is represented by an almost straight vertical line in the current‐voltage 
graph in the breakdown region. 

¾ This current relation can be represented by the following formula: 

I = Is(ekv/tk-1)
¾     Changing the voltage per division values of the Cathode Ray Oscilloscope doesn’t affect the breakdown 
or the cut in voltage values, but a change in the appearance of the graph displayed on the oscilloscope 
may change also the slopes of the lines may change, but quantitatively speaking, all of the graphs 
represent the exact same phenomenon. 

Observations made about practical errors 
It is a well known fact that there does not exist a circuit element that functions with a hundred percent 
efficiency. Therefore slight deviations of the measured values from the calculated ones are to be expected under 
any circumstances. However the possible causes for these irregularities include: 

• The DC voltmeter does not give rise to a potential difference with a magnitude that it is programmed to do. 
This is generally due to manufacturing defects, defects from improper usage and gradual wearing off.  

• The leads are not of Zero Resistance; this is because of factors like: Temperature change, corrosion, etc…  

• The  Ammeter  used  was  an  analog  device;  therefore  readings  are  perceptible  to  be  misconstrued.  And  also 
continuous mistreatment of the device leads to incorrect readings in the future. 

                                              
End of Report 

AAU, FACULTY OF TECHNOLOGY, DEPARTMENT OF ELECTRICAL ENGINEERING, LABORATORY REPORT 6