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Guide de l'utilisateur

SLUUAA7A – juillet 2013 – révisé en août 2014

Guide de l'utilisateur pour l'évaluation du chargeur de batterie bq25570


Module de récupération d'énergie

Ce guide de l'utilisateur décrit le module d'évaluation (EVM) bq25570, comment effectuer une évaluation autonome
évaluation et comment permettre à l'EVM de s'interfacer avec le système et l'hôte. La sortie du chargeur boost est
configuré pour fournir jusqu'à 4,2 V de tension maximale à sa sortie, VSTOR, à l'aide de résistances externes. Ce
La tension sera appliquée à l'élément de stockage tant que la tension de l'élément de stockage à VBAT est supérieure à
la sous­tension programmée en interne de 2,0 V. Le convertisseur abaisseur intégré fournit jusqu'à 1,8 V et
100 mA à VOUT. L'indicateur VBAT_OK passe à l'état haut lorsque VSTOR augmente jusqu'à 3,0 V et passe à l'état bas.
lorsque VSTOR descend à 2,8 V.

Contenu
1 Introduction ................................................. ..................................................... ....................................... 2
1.1 Fonctionnalités EVM .................................................. ..................................................... .......... ...... 2
1.2 Description générale ................................................ .................................................................. .2
1.3 Considérations relatives à la conception et à l'évaluation .............................................. ....................................... 3
1.4 Schéma EVM .................................................. ..................................................... ........... .... 4
1.5 Connexions E/S EVM .................................................. ..................................................... ........... 5
2 Résumé des spécifications de performances EVM .............................................. ..... ................................ 7
3 Résumé des tests et des mesures ................................................................ ...... ........................................... 7
3.1 Configurations et résultats des tests.................................................. ....................................................... ... 8
4 Nomenclature et disposition des cartes ............................................ ................................................... 17
4.1 Nomenclature .................................................................. ....................................................... ............ .... 17
4.2 Disposition de la carte EVM ............................................ ....................................................... ............ 18
5 Directive de disposition des circuits imprimés .................................................. ..................................................... .......... .... 20

Liste des figures


1 Schéma EVM ............................................................ ..................................................... ......... ............ 4
2 Configuration de test pour mesurer l’efficacité du chargeur Boost ............................................ ................................ 9
3 Efficacité du chargeur par rapport à la tension d'entrée.................................................. ....................................................... 9
4 Efficacité du chargeur par rapport au courant d'entrée ............................................ .. ................................... dix
5 Configuration de test pour mesurer l'efficacité du convertisseur Buck .............................................. .... ...................... onze
6 Efficacité du convertisseur Buck par rapport au courant de sortie ............................................ ..... ........................ onze
7 Configuration de test pour effectuer un transitoire de charge sur la sortie Buck ....................................... .... .............. 12
8 Transitoire de charge de 50 mA sur VOUT .............................................. ..................................................... .. 12
9 Formes d'onde opérationnelles du chargeur pendant un transitoire de charge de 50 mA ........................................ ....... 13
dix Formes d'onde opérationnelles Buck pendant un transitoire de charge de 50 mA ........................................ ........... 14
onze
Configuration de test pour charger un super condensateur à partir de la sortie Buck .................................................. .... .......... 15
12 Charger un Super Cap depuis VOUT ............................................ ................................................... 15
13 Assemblage supérieur du PCB EVM .................................................. ....................................................... ...... ... 18
14 Couche supérieure du PCB EVM ............................................ ................................................... ........ ....... 18
15 Couche inférieure du PCB EVM .................................................. ....................................................... ............ .... 19

Liste des tableaux

1 Connexions d'E/S et configuration pour l'évaluation du bq25570 EVM ....................................... .......... 5


2 Nomenclature ............................................................ ..................................................... ....................... 17

SLUUAA7A – juillet 2013 – révisé en août 2014 Guide de l'utilisateur pour le module d'évaluation du chargeur de batterie bq25570 pour l'énergie 1
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1 Introduction

1.1 Fonctionnalités EVM


• Module d'évaluation pour bq25570 •
Chargeur élévateur de puissance ultra faible et convertisseur abaisseur avec gestion de batterie pour récupérateur d'énergie
applications
• Paramètres programmables par résistance pour la surtension offrant une gestion flexible de la batterie •
Indicateur de sortie push­pull programmable pour l'état de la batterie (VBAT_OK) • Points
de test pour les signaux clés disponibles à des fins de test – branchement facile de la sonde. •
Cavaliers disponibles – paramètres faciles à modifier

1.2 Description générale


Le bq25570 est une solution intégrée de gestion Nano­Power de récupération d'énergie qui convient parfaitement pour répondre
aux besoins particuliers des applications à très faible consommation d'énergie. Le produit est spécifiquement conçu
pour acquérir et gérer efficacement les microwatts (µW) aux miliwatts (mW) de puissance générée à partir d'une variété de
sources CC à haute impédance de sortie (HiZ) comme les générateurs photovoltaïques (solaires) ou thermiques ; ou avec un
redresseur AC/DC, un générateur piézoélectrique. Le bq25570 met en œuvre un convertisseur/chargeur élévateur à
modulation de fréquence d'impulsion (PFM) très efficace, destiné aux produits et systèmes, tels que les réseaux de capteurs
sans fil (WSN) qui ont des exigences strictes en matière de puissance et de fonctionnement. En supposant qu'un élément
de stockage épuisé ait été connecté, le convertisseur/chargeur élévateur DC­DC bq25570 ne nécessite que des microwatts de
puissance pour commencer à fonctionner en mode démarrage à froid. Une fois que la sortie du convertisseur élévateur,
VSTOR, atteint ~ 1,8 V et peut désormais alimenter le convertisseur, le convertisseur élévateur principal peut désormais
extraire plus efficacement l'énergie des récolteurs de sortie basse tension tels que les générateurs thermoélectriques
(TEG) ou les panneaux solaires à une ou deux cellules. Par exemple, en supposant que la source d'entrée HiZ peut fournir
au moins 5 µW typiques et que la charge sur VSTOR (y compris le courant de fuite de l'élément de stockage) est inférieure
à 1 µA de courant de fuite, le convertisseur élévateur peut être démarré avec VIN_DC aussi bas que 330 mV. typique, et
une fois que VSTOR atteint 1,8 V, peut continuer à récolter de l'énergie jusqu'à VIN_DC 120 mV. Le convertisseur
abaisseur PFM intégré est également alimenté par VSTOR et, en supposant qu'une puissance d'entrée suffisante soit
disponible, fournit jusqu'à 100 mA à partir de la broche VOUT. La tension VOUT est programmée en externe pour être légèrement inférieure à la

Les sources HiZ DC ont un point de puissance de sortie maximale (MPP) qui varie en fonction des conditions ambiantes.
Par exemple, le MPP d'un panneau solaire varie en fonction de la quantité de lumière sur le panneau et de la température. Le
MPP est répertorié par le fabricant de la source de récolte en pourcentage de sa tension en circuit ouvert (OC). Par conséquent,
le bq25570 implémente un réseau d'échantillonnage programmable de suivi du point de puissance maximale (MPPT) pour
optimiser le transfert de puissance dans l'appareil. Le bq25570 échantillonne périodiquement la tension d'entrée en circuit
ouvert toutes les 16 secondes en désactivant le convertisseur élévateur pendant 256 ms et stocke le rapport MPP programmé
de la tension OC sur le condensateur de référence externe (C2) sur VREF_SAMP. En règle générale, les cellules solaires
atteignent leur MPP lorsqu'elles sont chargées à environ 70 à 80 % de leur tension OC et leurs TEG à environ 50 %. Pendant
que l'élément de stockage est inférieur à la tension maximale programmée par l'utilisateur (VBAT_OV), le chargeur élévateur
charge la source de récolte jusqu'à ce que VIN_DC atteigne le MPP (tension à VREF_SAMP). Il en résulte que le
chargeur élévateur régule la tension d'entrée du convertisseur jusqu'à ce que la sortie atteigne VBAT_OV, transférant
ainsi la quantité maximale de puissance actuellement disponible selon les conditions ambiantes vers la sortie.

Le seuil de sous­tension de la batterie, VBAT_UV, est vérifié en permanence pour garantir que le FET de la batterie interne,
connectant VSTOR à VBAT, ne s'allume pas tant que VSTOR n'est pas au­dessus du seuil VBAT_UV (2,0 V). Le réglage de
surtension (VBAT_OV) est initialement inférieur à la valeur programmée au démarrage (varie selon les conditions) et est mise
à jour après les premières ~32 ms. Les mises à jour suivantes ont lieu toutes les ~64 ms. Le seuil VBAT_OV définit la tension
maximale sur VSTOR et le convertisseur élévateur arrête de commuter lorsque la tension sur VSTOR atteint le seuil VBAT_OV.
La tension d'entrée en circuit ouvert (VIN_OC) est mesurée toutes les 16 secondes environ afin que le circuit de suivi du point
de puissance maximale (MPPT) échantillonne et maintienne la tension de régulation d'entrée. Cette mise à jour périodique
optimise en permanence la puissance maximale délivrée en fonction des conditions de récolte.

2 Guide de l'utilisateur pour le module d'évaluation du chargeur de batterie bq25570 pour l'énergie SLUUAA7A – juillet 2013 – révisé en août 2014
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Le bq25570 a été conçu avec la flexibilité nécessaire pour prendre en charge une variété d'éléments de stockage d'énergie. La
disponibilité des sources d’où les récolteurs extraient leur énergie peut souvent être sporadique ou variable dans le temps.
Les systèmes auront généralement besoin d'un certain type d'élément de stockage d'énergie, tel qu'une batterie rechargeable,
un supercondensateur ou un condensateur conventionnel. L'élément de stockage garantira qu'une alimentation constante est disponible
en cas de besoin pour les systèmes. En général, l'élément de stockage permet également au système de gérer les courants de
pointe qui ne peuvent pas provenir directement de la source d'entrée. Il est important de se rappeler que les batteries et les
supercondensateurs peuvent présenter des courants de fuite importants qui doivent être pris en compte lors de la détermination de
la charge sur VSTOR.

Pour éviter d'endommager l'élément de stockage d'un client, les tensions maximales et minimales sont surveillées par rapport aux
niveaux de sous­tension programmés en interne (VBAT_UV) et de surtension programmés par l'utilisateur (VBAT_OV).

Pour aider davantage les utilisateurs dans la gestion stricte de leurs budgets énergétiques, le bq25570 active un indicateur de
bonne batterie programmable par l'utilisateur (VBAT_OK), vérifié toutes les 64 ms, pour signaler au microprocesseur lorsque la
tension sur un élément de stockage d'énergie ou un condensateur a dépassé (OK_HYST seuil) ou tombé en dessous (seuil OK_PROG)
d'un niveau critique prédéfini. Pour éviter que le système n'entre dans une condition de sous­tension ou s'il démarre dans un élément
de stockage épuisé, il est fortement recommandé d'isoler la charge du système de VSTOR en 1) réglant VBAT_OK égal au signal
d'activation du convertisseur abaisseur VOUT_EN et 2) en utilisant un NFET pour inversez le signal BAT_OK pour qu'il pilote la porte
du PFET, ce qui isole la charge du système de VSTOR.

Pour plus de détails, consultez la fiche technique du bq25570 (SLUSBH2).

1.3 Considérations relatives à la conception et à l'évaluation

Ce guide de l'utilisateur ne remplace pas la fiche technique. La lecture préalable de la fiche technique aidera à comprendre
les opérations et les caractéristiques de ce circuit intégré. Dans ce document, « batterie » ou « VBAT » sera utilisé mais on pourra y
substituer n'importe quel élément de stockage approprié.

Conseils de conception du système

Par rapport à la conception de systèmes alimentés par un convertisseur AC/DC ou une grande batterie (par exemple, des sources
à faible impédance), la conception de systèmes alimentés par des sources HiZ nécessite que la charge du système par unité de
temps (par exemple, par jour pour un panneau solaire) soit par rapport à la charge attendue pour la même unité de temps.
Souvent, il n’y a pas assez d’énergie collectée en temps réel (par exemple, la nuit pour un panneau solaire) pour faire fonctionner le
système à plein régime. Par conséquent, le circuit de récupération d'énergie collecte plus d'énergie que n'en consomme le
système lorsque les conditions ambiantes le permettent et stocke cette énergie dans un élément de stockage pour une utilisation
ultérieure pour alimenter le système. Voir SLUC461 pour un exemple de feuille de calcul sur la façon de concevoir un véritable système
alimenté par des panneaux solaires en trois
étapes simples : 1. Renvoyer l'alimentation du rail du système au
VSTOR 2. Renvoyer la puissance VSTOR requise à la puissance d'entrée du bq255xx 3.
Calculer le panneau solaire minimum zone de la demande de puissance d’entrée

Comme démontré dans la feuille de calcul, pour tout convertisseur boost, vous devez effectuer un bilan de puissance, POUT / PIN =
(VSTOR × ISTOR) / (VIN × IIN) = η où η est l'efficacité estimée pour une configuration identique ou très similaire afin pour
déterminer la puissance d’entrée minimale nécessaire pour fournir la puissance de sortie souhaitée.

Ce circuit intégré est un chargeur très efficace pour un élément de stockage tel qu'une batterie ou un super condensateur. La principale
différence entre une batterie et un supercondensateur réside dans la courbe de capacité. La batterie a généralement peu ou pas de
capacité en dessous d'une certaine tension, alors que le condensateur a une capacité à des tensions inférieures. Les deux peuvent
avoir des courants de fuite importants qui apparaîtront comme une charge CC sur VSTOR/VBAT.

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1.4 Schéma EVM


La figure 1 est le schéma de cet EVM.
VSTOR
VSTOR

PE4
NIV1
4,2 V (réglage jusqu'à 5,25 V), 100 mA
VSTOR J4

R3 1
VSTOR
4,99 millions
C5 C4 + C10 GND
4,7uF 0,1uF J5

R4 JP1
GND
10M COV_SAMP TP5 VBAT
COV_SAMP VBAT J6

J7 4,2 V (Ajustable jusqu'à 5,25 V)


J1 50% JP4 80%
R5 TP6 VBAT
NIV C6
4,99 millions
J10 GND
100u

JP1
R3­
R5
à
0,1 V­4,0 V J8
VOUT
TP3
LBUCK
NIV J2 PE2
LBOOST
L1 L2 1,8 V (réglage 1,3 V­5,05 V), 50 mA
GND J11
VOUT TP8 GND
22uH 10uH J9
J3 C3 + C9
U1 BQ25570RGR GND
22uF 1

NC
17
J12
GND
21 PTPD

VBAT
18
19VSTOR

LBUCK
TP1

16
LBOOST
20 GND
1 VSS 15 VSS
2 BQ25570RGR 14 VOUT
NIV1 VIN_DC
3 13
+ C8 COV_SAMP COV_SAMP VBAT_OK
C1 C7
4 12
VREF_SAMP VOUT_SET
4,7uF 0,1
uFTP9 5 FR OK_PROG
onze
1
VOUT_FR

VBAT_OV

8VRDIV

J13
OK_HYST

BAT_OK
NC
7
6

dix
9

GND
VRDIV

VRDIV
BAT_OK
R6
JP6
887k
VREF_SAMP TP7 VOUT_FR
JP5
GND VRDIV
R9
R7 4,22 millions
R1
C2 7,5M 6,98 millions
0,01uF
VBAT

VBAT
R8 R10
R2
/FR 5,76 millions 5,36 millions 8,66 millions

GND JP2

VSTOR

VSTOR
VOUT_FR
JP3
GND
1 Non installé

Figure 1. Schéma EVM

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1.5 Connexions E/S EVM

Tableau 1. Connexions d'E/S et configuration pour l'évaluation de l'EVM bq25570


En­têtes et Description Commentaires/Paramètre recommandé
Terminaux

J1–VIN Source d'entrée (+) Si VIN_DC est supérieur à VSTOR et que VSTOR est égal à VBAT_OV, l'entrée VIN_DC est mise à la masse.
J2­VIN/GND à travers une petite résistance pour arrêter la charge ultérieure de la batterie ou du condensateur connecté. Il est essentiel que si ce
Bornier source d'entrée
cas est attendu, l'impédance de la source connectée à VIN_DC soit supérieure à 20 Ω et non à un
J3­GND Retour de la source d’entrée (–) source à faible impédance.
J4­VSTOR Augmenter la sortie du chargeur (+) Entrée du convertisseur Buck

J5­VSTOR/GND Bornier de sortie du chargeur Boost


J6 ­ GND Retour chargeur boost (­)
J7­VBAT Connexion élément de stockage rechargeable (+)
J8­VBAT/GND Bornier pour élément de stockage rechargeable
J9 – GND Retour connexion élément de stockage rechargeable (–)
J10 – VOUT Sortie du convertisseur Buck (+)
J11 ­ VOUT/GND Bornier de sortie du convertisseur Buck
J12­GND Sortie du convertisseur Buck (­)

J13 – BAT_OK Indicateur d'état de la batterie (+/­)


Points de test

TP1 Source d'entrée (+)


PE2 Noeud de commutation du chargeur Boost

TP3 Nœud de commutation du convertisseur Buck

PE4 Boostez la sortie du chargeur, VSTOR (+)


TP5 Connexion élément de stockage rechargeable, BAT_SEC (+)
TP6 Sortie du convertisseur Buck, VOUT (+)
TP7 Nœud VRDIV ATTENTION Fournir un chemin de courant supplémentaire à faible impédance en parallèle avec l'exemple des résistances de , pour

rétroaction, avec une sonde d'oscilloscope de 10 MΩ connectée, dégradera la précision de la régulation.


TP8 Retour de sortie (­)
TP9 Retour d'entrée (­)

Pulls

JP1 – VOC_SAMP VOC_SAMP = résistances externes dimensionnées pour configurer le CI désinstallé (REMARQUE : ne pas installer si le shunt JP4 est installé)
pour réguler le VIN à 75 % de VOC_SAMP.
JP2 ­ /FR /EN = GND active le CI. /EN=VSTOR désactive le CI. /FR=GND

JP3 ­ VOUT_FR VOUT_EN = VSTOR active le convertisseur abaisseur lorsque VOUT_EN = VSTOR (REMARQUE : ne pas installer si le shunt JP6 est installé)
VSTOR est en place VOUT_EN = GND désactive le Buck
convertisseur

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Tableau 1. Connexions d'E/S et configuration pour l'évaluation de l'EVM bq25570 (suite)


En­têtes et Description Commentaires/Paramètre recommandé
Terminaux

JP4­VOC_SAMP VOC_SAMP = 80 % configure le circuit intégré pour réguler le VIN à JP4 = 80 % (REMARQUE : ne pas installer si le shunt JP1 est installé)
80% d'OCV. VOC_SAMP = 50 % configure le circuit intégré pour
réguler le VIN à 50% de l'OCV.
JP5 ­ VREF_SAMP à VREF_SAMP = GND Désinstallé (REMARQUE : fournir un chemin de fuite supplémentaire pour le condensateur VREF_SAMP par exemple,
GND via une sonde d'oscilloscope de 10 MΩ attachée à VREF_SAMP, dégradera la régulation de la tension d'entrée
performance).
JP6 ­ VBAT_OK à BAT_OK=VOUT_EN configure le convertisseur Buck pour qu'il soit désinstallé (REMARQUE : ne pas installer si le shunt JP3 est installé)
VOUT_FR activé uniquement lorsque VSTOR est supérieur à VBAT_OK
seuil par résistances (2,786V sur l'EVM)

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2 Résumé des spécifications de performances EVM


Voir la fiche technique « Conditions de fonctionnement recommandées » pour les ajustements des composants. Pour plus de détails sur le
Paramètres programmables de la résistance, voir la fiche technique du bq25570 (SLUSBH2).

MIN NOM MAX UNITÉ

NIV (DC) Tension d'entrée CC dans VIN_DC 0,13 4,0 V

VIN_Démarrage (DC) Tension de démarrage minimale CC dans l'élément de stockage épuisé, aucune charge attachée 330 mV
à VSTOR ou VOUT et IBATLEAK <= 1uA
VBAT_OV Seuil de surtension de la batterie – les valeurs min et max incluent un point de consigne de +/­ 2 % 4,04 4,18 4,32 V
précision et tolérance de résistance de +/­1 %, mais exclut les effets d'ondulation de sortie
VOUT Tension de sortie du convertisseur Buck pour IVOUT < 95 mA ­ les valeurs min et max incluent 1,75 1,8 1,85 V
une précision de régulation du point de consigne de +/­ 2 % et une tolérance de résistance de +/­ 1 % mais
exclut les effets de l'ondulation de la tension de sortie, de la régulation de ligne et de la régulation de charge

L'indication OK_HYST passe à l'état haut lorsque VSTOR augmente ­ les valeurs min et max 2,70 2,79 2,88 V
incluent une précision du point de consigne de +/­ 2 % et une tolérance de résistance de +/­ 1 %
VBAT_OK
L'indication OK_PROG passe à l'état bas lorsque VSTOR ralentit ­ les valeurs min et max incluent 2,89 2,99 3,09 V
une précision du point de consigne de +/­ 2 % et une tolérance de résistance de +/­ 1 %
MPPT Suivi du point de puissance maximale, résistance programmée % du circuit ouvert 80%
Tension
CBAT Un condensateur céramique à faible fuite de 100 µF est installé sur l'EVM comme 100 µF
capacité de batterie équivalente minimale recommandée.

Voir SLUC484 outil de feuille de calcul pour aider à modifier les MPPT, VBAT_OV, VBAT_OK et VOUT
résistances pour votre application.

PRUDENCE

Si vous changez les résistances de la carte ou le condensateur sur VREF_SAMP (C2), il est
Il est important de se rappeler que le flux de soudure résiduel sur une carte a une résistivité en
la plage 1­20 MΩ. Par conséquent, le flux restant en parallèle avec la modification de 1 à 20 MΩ
Les résistances peuvent entraîner des résistances efficaces inférieures, ce qui produira des différences
seuils de fonctionnement que prévu. De même le flux restant en parallèle avec le
Le condensateur VREF_SAMP fournit un chemin de fuite supplémentaire, ce qui entraîne
le point de consigne de régulation de tension d'entrée chute pendant le cycle MPPT de 16 s.
Il est donc fortement recommandé de nettoyer soigneusement les planches à deux reprises.
une fois après avoir retiré les anciens composants et de nouveau après avoir installé les nouveaux
Composants. Si possible, les planches doivent être nettoyées jusqu'à ce que la solution de lavage
mesure la contamination ionique supérieure à 50 MΩ.

3 Résumé des tests et mesures


Conseils de configuration des tests

Les sources d’énergie à récupération d’énergie sont des sources à haute impédance. Une source­mètre configurée en courant
source avec une conformité de tension réglée à la tension en circuit ouvert de la moissonneuse est le meilleur moyen de simuler le
moissonneuse Lors de la simulation d'un récupérateur d'énergie HiZ avec une alimentation de laboratoire à faible impédance de sortie, il est
nécessaire pour simuler l'impédance de la moissonneuse avec une résistance physique entre l'alimentation, le VPS et le VIN
de la MVE. Lorsque le circuit d'échantillonnage MPPT est actif, VIN = VPS = la tension en circuit ouvert de la moissonneuse
(COV) car il n'y a pas de courant d'entrée pour créer une chute à travers l'impédance simulée (c'est­à­dire ouvert

circuit); par conséquent, VPS doit être réglé sur la tension en circuit ouvert de la moissonneuse prévue. Quand le coup de pouce
Le convertisseur est en marche, il ne consomme que suffisamment de courant jusqu'à ce que la tension à VIN_DC tombe au niveau du MPPT.
tension échantillonnée qui est stockée dans VREF_SAMP.

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La batterie (élément de stockage) peut être remplacée par une batterie simulée. Souvent, les charges électroniques à 4 quadrants
donnent des résultats erratiques avec un « chargeur de batterie » en raison du changement d'état du chargeur (charge rapide jusqu'à
la terminaison et le rafraîchissement) tandis que la charge électronique change de charge pour maintenir la tension de la « batterie ».
La charge et le chargement sont déphasés et créent une grande oscillation de signal due au compteur à 4 quadrants. Un circuit
simple peut être utilisé pour simuler une batterie et fonctionne bien et peut être rapidement ajusté en fonction de la tension. Il se
compose d'une résistance de charge (~ 10 Ω, 2 W) pour abaisser la sortie à une certaine tension de stockage minimale (partie du
courant absorbé par la batterie) et d'une alimentation de laboratoire connectée à la broche BAT via une diode. L'alimentation du
laboratoire augmente la tension de la batterie jusqu'au niveau souhaité. Il peut être nécessaire d'ajouter plus de capacité aux bornes de R1.

D1
C UN
BAT+

R1

GND

3.1 Configurations de test et résultats

3.1.1 Augmenter l'efficacité du chargeur

La configuration de test est illustrée à la figure 2. L'équipement spécifique utilisé pour les résultats des tests dans les figures 3
et 4 est répertorié ci­dessous :
1. VIN_DC a été connecté à une source­mètre Keithley 2420 configurée comme source de courant avec conformité de tension
(pince). réglé sur la tension en circuit ouvert.
2. VSTOR a été connecté à une source­mètre Keithley 2420 configurée comme source de tension réglée sur la tension
VSTOR. Le courant absorbé par le source­mètre était le courant de sortie du chargeur

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SM2
Source (puits)
Mètre
+
­ Configuré
Comme tension
Source

SM1
Source/Puits
Mètre
Configuré
Comme actuel
Source

Figure 2. Configuration de test pour mesurer l'efficacité du chargeur Boost

100

90

80

70 je = 100 A
DANS

60
Efficacité

50
(%)

40

trente

20 VSTOR = 2,0 V

dix VSTOR = 3,0 V


VSTOR = 5,5 V
0
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2 2,2 2,4 2,6 2,8 3

Tension d'entrée (V)

Figure 3. Efficacité du chargeur par rapport à la tension d'entrée

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100

90 NIV = 0,5 V

80

70

Efficacité
60

(%)
50

40
VSTOR = 1,8 V
trente
VSTOR = 3,0 V
VSTOR = 5,5 V
20
0,01 0,1 1 dix 100
Courant d'entrée (mA)

Figure 4. Efficacité du chargeur par rapport au courant d'entrée

Parce que le convertisseur boost régule la tension d'entrée au lieu de la tension de sortie, utilise la commutation PFM,
fonctionne à des courants très faibles et est doté d'un MPPT, l'efficacité ne peut pas être mesurée en utilisant la même configuration de test que celle
pour un convertisseur boost de commutation PWM à fréquence fixe, de régulation de sortie, de puissance plus élevée. Le VSTOR
la sortie doit être maintenue à une tension fixe (en dessous du seuil VBAT_OV) par une source externe capable
de courant absorbé, ce courant absorbé étant le courant de sortie mesuré. En plus de filtrer les salves
du courant dû à la commutation PFM et de la tension d'ondulation sur VIN_DC due à la régulation de la tension d'entrée,
le courantomètre d'entrée série et le voltmètre d'entrée doivent être réglés sur le filtrage, ou la moyenne, ou les deux, ce qui
entraînera des temps de mesure plus longs que d’habitude, mais pas plus longs que le temps d’échantillonnage MPPT de 16 s.
Les mesures pour VIN et IN seront plus précises lorsqu'elles seront prises au milieu du MPPT de 16 s.
période. La télédétection par les sources­mètres est possible mais, du côté de l'entrée, la sortie du source­mètre
La boucle de régulation et la boucle de régulation d'entrée MPPT du chargeur peuvent interférer les unes avec les autres et provoquer le
tension d'entrée pour osciller. L'ajout d'un grand condensateur entre VIN_DC et GND éliminera cette oscillation
mais le courant de fuite du condensateur gonflera la mesure du courant d'entrée et entraînera une efficacité inférieure.

Voir SLUA691 pour une explication détaillée sur la façon de prendre ces mesures et d'autres avec des sources­ mètres.

3.1.2 Efficacité du convertisseur Buck

La configuration de test est illustrée à la figure 5. L'équipement spécifique utilisé pour les résultats des tests à la figure 6 est répertorié
ci­dessous:

1. VSTOR était connecté à une alimentation basse impédance avec un courantomètre en série pour mesurer
actuel. Le courantomètre doit être capable de mesurer des courants dans la plage nA et peut nécessiter un
ajustements de plage afin que la plage soit toujours ≤ 10 X le courant attendu pour une meilleure précision. Le
Le voltmètre mesure la tension d'entrée aussi près que possible de la broche IC VSTOR.

2. VOUT a été connecté à un boîtier de résistance avec un courantomètre en série pour mesurer le courant. (Noter la
le courantomètre doit être capable de mesurer des courants dans la plage nA et peut nécessiter une plage manuelle
ajustements afin que la plage soit toujours ≤ 10 X le courant attendu pour une meilleure précision.) La tension
Le compteur a mesuré la tension VOUT aussi près que possible de la broche IC VOUT

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+ MV1 ­

+ PS1 ­

+
CM1
­

­
MV2
+

+CM2­

Figure 5. Configuration de test pour mesurer l'efficacité du convertisseur Buck

100

90

80
Efficacité

70
(%)

VOUT = 1,8 V, TA = 25 °C

60

VSTOR = 2,1 V
50
VSTOR = 3,6 V
VSTOR = 5,5 V
40
0,001 0,01 0,1 1 dix 100

Courant de sortie (mA)

Figure 6. Efficacité du convertisseur Buck par rapport au courant de sortie

Le convertisseur abaisseur est alimenté par VSTOR ; par conséquent, pour mesurer son efficacité uniquement, VIN_DC devrait
être laissé flottant et l'alimentation d'entrée appliquée à VSTOR. Pour filtrer les sursauts de courant dus au PFM
commutation, le compteur de courant d'entrée série de l'alimentation VSTOR doit être réglé au niveau le plus élevé de
filtrage et/ou moyenne, ce qui entraînera des temps de mesure plus longs que d'habitude.

Alternativement, ces mesures peuvent être prises avec des sources­mètres au lieu d'une alimentation discrète,
boîte de charge de résistance et compteurs. Le source­mètre sur VSTOR est configuré comme source de tension. La source­mètre sur
OUT peut être configurée soit comme une source de courant qui absorbe le courant (c'est­à­dire un courant négatif), soit comme
une source de tension avec une tension d'au moins 100 mV en dessous du point de tension de régulation le plus bas attendu.

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3.1.3 Transitoire de charge du convertisseur Buck

La configuration de test est illustrée à la figure 7. L'équipement spécifique utilisé pour les résultats des tests à la figure 8 est répertorié
ci­dessous:

1. VIN_DC était connecté à une alimentation basse impédance par une résistance série de 100 Ω. JP4 définit le
Tension MPPT à 50 % de VIN_OC.
2. VOUT était connecté à un interrupteur avec une résistance série qui commute dans une résistance de 36 Ω.

3. VBAT a été connecté à une pile bouton de 4,2 V chargée de 3,2 V.


4. VSTOR, VOUT et VIN_DC ont été surveillés par des sondes de tension d'oscilloscope attachées à TP4,
TP6 et TP1 respectivement, et GND. IOUT a été mesuré avec une sonde de courant.

Pile bouton 4,2 V

100

+
2,0 V 36
­

Figure 7. Configuration de test pour effectuer un transitoire de charge sur la sortie Buck

Figure 8. Transitoire de charge de 50 mA sur VOUT

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3.1.4 Fonctionnement du chargeur pendant un transitoire de charge

La configuration de test est illustrée à la figure 7. L'équipement spécifique utilisé pour les résultats des tests de la figure 9 est répertorié
ci­dessous:

1. VIN_DC, VBAT et VOUT sont configurés comme expliqué dans la section 3.1.3.
2. Le courant d'inductance du chargeur élévateur (IL) a été mesuré à l'aide d'une sonde de courant d'oscilloscope aux bornes d'un
boucle de courant qui a été insérée en série avec l'inductance L1.
3. La tension d'ondulation du VSTOR a été mesurée à l'aide d'une sonde de tension d'oscilloscope placée directement aux bornes du
Condensateur VSTOR (C5). Le fil de terre standard de la sonde oscilloscope a été remplacé par un fil très court.
4. Le VIN et la broche LBOOST (nœud de commutation du chargeur boost) ont été mesurés par oscilloscope
sondes de tension connectées à TP1 et TP2.

Figure 9. Formes d'onde opérationnelles du chargeur pendant un transitoire de charge de 50 mA

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3.1.5 Fonctionnement du convertisseur Buck pendant un transitoire de charge

La configuration de test est illustrée à la figure 7. L'équipement spécifique utilisé pour les résultats des tests de la figure 10 est répertorié ci­
dessous :

1. VIN_DC, VBAT et VOUT sont configurés comme expliqué dans la section 3.1.3.
2. Le courant d'inductance du convertisseur abaisseur (IL) a été mesuré à l'aide d'une sonde de courant d'oscilloscope aux bornes
une boucle de courant qui a été insérée en série avec l'inductance L2.
3. La tension d'ondulation du VSTOR a été mesurée à l'aide d'une sonde de tension d'oscilloscope placée directement aux bornes du
condensateur VSTOR (C5). La tension d'ondulation de VOUT a été mesurée à l'aide d'une sonde de tension d'oscilloscope placée
directement aux bornes du condensateur VOUT (C3). Les fils de terre standard des deux sondes ont été remplacés par des fils
très courts.
4. La tension d'ondulation de la broche LBUCK (nœud de commutation du convertisseur abaisseur) a été mesurée par un
sonde de tension de l'oscilloscope connectée au TP3.

Figure 10. Formes d'onde opérationnelles Buck pendant un transitoire de charge de 50 mA

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Chargement d'un super condensateur à partir de la sortie du convertisseur Buck

La configuration de test est illustrée à la figure 11. L'équipement spécifique utilisé pour les résultats des tests de la figure 12 est répertorié ci­
dessous :

1. VIN_DC était connecté à une source­mètre Keithley 2420 configurée comme source de courant de 1,0 mA avec
Conformité à la tension de 1,2 V.
2. VOUT était connecté à un super condensateur de 120 mF. Il n'y avait aucune autre charge sur VSTOR, VBAT ou
VOUT.

3. VIN_DC, VSTOR et VOUT ont été mesurés avec des sondes de tension d'oscilloscope connectées à TP1, TP4
et TP6.

Keithley 2420

IOUT =1,0 mA
COMP=1,2 V
120mF

Figure 11. Configuration de test pour charger un super condensateur à partir de la sortie Buck

Figure 12. Chargement d'un Super Cap depuis VOUT

L'avantage de charger le supercondensateur sur VOUT au lieu de VBAT est un temps de charge plus rapide car le chargeur passe moins
de temps en mode de démarrage à froid moins efficace.

Conseils pour d'autres tests et mesures

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Le courant de repos pendant le fonctionnement principal du boost, qui est essentiellement le courant de la batterie au
IC, est mesuré au niveau de la broche VSTOR. Si une source­mètre n'est pas disponible pour effectuer la mesure, connectez un
Résistance de 100 kΩ au VSTOR et connectez une alimentation 3 V de l'autre extrémité de cette résistance à la terre de
la MVE. Un compteur de 10 MΩ peut être utilisé pour mesurer la chute de tension aux bornes de la résistance et calculer la
actuel. Aucune autre connexion ne doit être établie avec l'EVM et la mesure doit être prise après
les conditions d’état stable sont atteintes (cela peut prendre quelques minutes). La lecture devrait être bien inférieure à 100
n / A.

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4 Nomenclature et disposition des cartes


Cette section contient la nomenclature (BOM) et les dispositions des cartes PCB pour l'EVM bq25570.

4.1 Nomenclature
Le tableau 2 répertorie la nomenclature de l'EVM.

Tableau 2. Nomenclature
Compter RefDes Valeur Description Taille Numéro d'article MFR

1 C1 4,7uF Condensateur, puce céramique, 6,3 V, X7R, 10 % 805 C0805C475K9RACTU Kemet

1 C2** 0,01u** Condensateur, Céramique, 50 V, X7R, 10 % 0603 GRM188R71H103KA01D Murata

1 C3 22uF Condensateur, puce céramique, 6,3 V, X5R, 10 % 805 JMK212BJ226MG­T Taiyo Yuden

2 C4C7 0,1uF Condensateur, puce céramique, 6,3 V, X5R, 10 % 603 06036D104KAT2A AVX

1 C5 4,7uF Condensateur, puce céramique, 10 V, X7R, 10 % 805 LMK212B7475KG­T Taiyo Yuden

1 C6 100uF Condensateur, puce céramique, 6,3 V, X5R, 20 % 1812 GRM43SR60J107ME20L Murata

0 C8­10 DNP Condensateur, électrolytique, Snap Mt., vvV 7343 (D) n/A n/A

9 J1 J3­4 J6­7 J9­10 J12­13 PEC02SAAN Embase, mâle 2 broches, espacement de 100 mil, 0,100 pouces x 2 PEC02SAAN Sullins

4 J2 J5 J8 J11 ED555/2DS Bornier, 2 broches, 6­A, 3,5 mm 0,27 x 0,25 pouce ED555/2DS OST

3 JP1 JP5 JP6 PEC02SAAN Embase, mâle 2 broches, espacement de 100 mil, 0,100 pouces x 2 PEC02SAAN Sullins

3 JP2­4 PEC03SAAN Embase, mâle à 3 broches, espacement de 100 mil, 0,100 pouces x 3 PEC03SAAN Sullins

1 L1 22uH Inductance, CMS, 0,65 A, 360 mΩ 4,0 mm x 4,0 mm x 1,80 mm LPS4018­223M Artisanat en bobines

Inductance CMS, 0,36 A, 410 mΩ 3,8 mm x 3,8 mm x 1,65 mm 744031220

1 L2 10uH Inductance, CMS, 1,4 A, 216 mΩ 2,0 mm x 2,5 mm 2,5 1239AS­H­100N Toko
Inductance SMT, 250 mA, 500 mΩ mm x 2,0 mm x 1,00 mm 2,8 mm 74479888310 Wurth Électronique
Inductance SMT, 500 mA, 390 mΩ x 2,8 mm x 1,35 mm 2,5 mm x 2,0 744029100 Wurth Électronique
Inductance SMT, 500 mA, 500 mΩ mm x 1,2 mm 74479889310 Wurth Électronique

1 R1 7,5 millions Résistance, puce, 1/16 W, 1 % 603 CRCW06037M50FKEA Vishay Dale

1 R10 8,66 millions Résistance, puce, 1/16 W, 1 % 603 CRCW06038M66FKEA Vishay Dale

1 R2 5,76 millions Résistance, puce, 1/16 W, 1 % 603 CRCW06035M76FKEA Vishay Dale

2 R3 R5 4,99 millions Résistance, puce, 1/16 W, 1 % 603 CRCW06034M99FKEA Vishay Dale

1 R4 10M Résistance, puce, 1/16 W, 1 % 603 CRCW060310M0FKEA Vishay Dale

1 R6 887k Résistance, puce, 1/16 W, 1 % 603 CRCW0603887KFKEA Vishay Dale

1 R7 6,98 millions Résistance, puce, 1/16 W, 1 % 603 CRCW06036M98FKEA Vishay Dale

1 R8 5,36 millions Résistance, puce, 1/16 W, 1 % 603 CRCW06035M36FKEA Vishay Dale

1 R9 4,22 millions Résistance, puce, 1/16 W, 1 % 603 CRCW06034M22FKEA Vishay Dale

4 TP1 TP4­6 5002 Point de test, blanc, trou traversant, clé de couleur 0,100 x 0,100 pouces 5002 clé de voûte

0 TP2­3 TP7 DNP Point de test, trou 0,020 0,100 x 0,100 pouces MST MST

2 TP8­9 5001 Point de test, noir, trou traversant, clé de couleur 0,100 x 0,100 pouces 5001 clé de voûte

1 U1 BQ25570RGR IC, chargeur de récolte ultra faible consommation + Buck IC VQFN BQ25570RGR T.I.

4 Shunt, 100 mil, noir 0,1 929950­00 3M

1 ­­ PCB, 2,5212 pouces x 2,6039 pouces PWR206 N'importe lequel

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4.2 Disposition de la carte EVM Les

figures 13 à 15 sont les dispositions de la carte pour cet EVM.

J5 J8
PE4 J4 J6 J9 J7

GND GND
VSTOR
TP1 + TP8 VBAT
TP5
C6
C10

J1 NIV
J12
C8 PE2
C5

+
LBOOST C9
C4 LBUCK
TP3 GND
L1 L2

C1
C7
J2
J11
C3
1

JP4 R3 R10
80% R4
GND U1 R9
J3 JP1
COV_SAMP J10
R5 VOUT
50%
TP9

R2

R1

R6

R7

R8
VREF_SAMP C2
TP6
GND GND TP7
VRDIV
JP2 /FR JP5
GND
BAT_SEC J13
BAT_OK
GND JP6

VOUT_FR BAT_OK
JP3
bq25570EVM­206
VSTOR

2013
PWR206 RÉV A

Figure 13. Assemblage supérieur du PCB EVM

Figure 14. Couche supérieure du PCB EVM

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Figure 15. Couche inférieure du PCB EVM

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5 Directives de configuration du PCB

Comme pour toutes les alimentations à découpage, la configuration du PCB est une étape importante dans la conception, en
particulier pour les courants de crête élevés et les fréquences de commutation élevées. Si la disposition n'est
pas soigneusement effectuée, le convertisseur boost/chargeur et le convertisseur abaisseur pourraient présenter des problèmes
de stabilité ainsi que des problèmes EMI. Par conséquent, utilisez des traces larges et courtes pour le chemin de courant principal
et pour les chemins de terre d'alimentation. Les condensateurs d'entrée et de sortie ainsi que les inductances doivent
être placés aussi près que possible du CI. Pour le convertisseur/chargeur boost, la première priorité sont les condensateurs de
sortie, y compris le condensateur de dérivation de 0,1 uF (CBYP), suivi de CSTOR, qui doit être placé aussi près que possible
entre VSTOR, broche 19, et VSS, broche 1. Ensuite, le condensateur d'entrée, CIN, doit être placé aussi près que possible
entre VIN_DC, broche 2, et VSS, broche 1. La dernière priorité est l'inductance du convertisseur élévateur, L1, qui doit être
placée près de LBOOST, broche 20 et VIN_DC, broche 2. Pour le convertisseur abaisseur, le condensateur de sortie COUT doit
être placé aussi près que possible entre VOUT, broche 14, et VSS, broche 15. L'inductance du convertisseur abaisseur (L2)
doit être placée aussi près que possible entre le nœud de commutation LBUCK. , broche 16 et VOUT, broche 14. Il est préférable
d'utiliser des vias et des traces inférieures pour connecter les inductances à leurs broches respectives au lieu des condensateurs.

Pour minimiser la capture de bruit par les nœuds de réglage de tension à haute impédance (VBAT_OV, OK_PROG, OK_HYST,
VOUT_SET), les résistances externes doivent être placées de manière à ce que les traces reliant les points médians de chaque
diviseur à leurs broches respectives soient aussi courtes que possible. Lors de la configuration des chemins de retour de masse hors
puissance (par exemple à partir de résistances et CREF), il est recommandé d'utiliser également des traces courtes, séparées des traces de
masse d'alimentation et connectées à la broche 15 du VSS. Cela évite les problèmes de déplacement de masse, qui peuvent se produire
en raison de la superposition du courant de terre de puissance et du courant de terre de contrôle. Le PowerPad ne doit pas être
utilisé comme chemin de retour à la terre.

Les broches restantes sont soit des broches NC, qui doivent être connectées au PowerPad comme indiqué ci­dessous, soit des signaux
numériques avec des restrictions de disposition minimales.

Afin de maximiser l'efficacité à faible charge, l'utilisation de résistances de réglage du niveau de tension > 1 MΩ est
recommandée. Cependant, lors de l'assemblage de la carte, des contaminants tels que le flux de soudure et même certains agents de
nettoyage de la carte peuvent laisser des résidus susceptibles de former des résistances parasites à travers les résistances physiques
et/ou d'une extrémité d'une résistance à la terre, en particulier dans des environnements humides à flux d'air rapide. Cela peut entraîner
une modification significative de la régulation de tension et des niveaux de seuil par rapport à ceux attendus par les valeurs de résistance
installées. Par conséquent, il est fortement recommandé de ne placer aucun plan de masse à proximité des résistances de réglage de
tension. De plus, les planches doivent être soigneusement nettoyées, éventuellement retournées au moins une fois pendant le nettoyage,
puis rincées à l'eau déminéralisée jusqu'à ce que la contamination ionique de cette eau soit bien supérieure à 50 MOhm. Si cela n'est pas
réalisable, il est alors recommandé de réduire la somme des résistances de réglage de tension à au moins 5 fois en dessous de la
contamination ionique mesurée.

Historique des révisions

Modifications depuis l'original (juillet 2013) vers une révision ............................................ ..................................................... ........................ Page

• Contenu modifié dans la nomenclature .................................................. ..................................................... ........... .17

REMARQUE : Les numéros de page des révisions précédentes peuvent différer des numéros de page de la version actuelle.

20 Historique des révisions SLUUAA7A – juillet 2013 – révisé en août 2014


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Texas Instruments Incorporated (TI) commercialise, vend et prête toutes les cartes, kits et/ou modules (EVM) d'évaluation conformément à, et l'utilisateur reconnaît, représente et
accepte expressément, et assume l'entière responsabilité et les risques en ce qui concerne ce qui suit : :

1. L'utilisateur accepte et reconnaît que les EVM sont destinés à être manipulés et utilisés à des fins d'évaluation de faisabilité uniquement en laboratoire et/ou
environnements de développement. Nonobstant ce qui précède, dans certains cas, TI met certains EVM à la disposition des utilisateurs qui ne manipulent pas et n'utilisent pas les
EVM uniquement à des fins d'évaluation de faisabilité uniquement dans des environnements de laboratoire et/ou de développement, mais peuvent utiliser des EVM dans un
environnement amateur. Tous les EVM mis à la disposition des utilisateurs amateurs sont certifiés FCC, le cas échéant. Les utilisateurs amateurs reconnaissent, acceptent et doivent
se conformer à tous les termes, conditions, avertissements et restrictions applicables dans ce document et sont soumis aux dispositions de non­responsabilité et d'indemnisation
incluses dans ce document.
2. Sauf indication contraire, les EVM ne sont pas des produits finis et ne sont pas destinés à l'usage des consommateurs. Les EVM sont destinés uniquement à être utilisés par des experts
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électriques.
3. L'utilisateur accepte que les EVM ne soient pas utilisés comme ou incorporés dans tout ou partie d'un produit fini.
4. L'utilisateur accepte et reconnaît que certains EVM ne peuvent pas être conçus ou fabriqués par TI.
5. L'utilisateur doit lire le guide de l'utilisateur et toute autre documentation accompagnant les EVM, y compris, sans limitation, tout avertissement ou
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tensions. Pour plus d'informations sur les programmes environnementaux et/ou de sécurité de TI, veuillez visiter www.ti.com/esh ou contactez TI.

6. L'utilisateur assume toutes les responsabilités, obligations et toute responsabilité correspondante pour une manipulation et une utilisation appropriées et sûres des EVM.
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EVM conçus et tout corps humain sont dotées d'une isolation appropriée et de moyens permettant de limiter en toute sécurité les courants de fuite accessibles afin de minimiser
le risque de choc électrique.

11. L'utilisateur doit prendre des mesures de protection raisonnables pour garantir que son utilisation des EVM n'entraînera aucun dommage matériel, blessure ou décès, même si les
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exigences.

Certaines instructions. L'utilisateur doit utiliser les EVM conformément aux spécifications recommandées par TI et aux considérations environnementales conformément au guide de
l'utilisateur, à la documentation qui l'accompagne et à toute autre exigence applicable. Le dépassement des valeurs nominales spécifiées (y compris, mais sans s'y limiter, la tension
d'entrée et de sortie, le courant, la puissance et les plages environnementales) pour les EVM peut provoquer des dommages matériels, des blessures corporelles, voire la mort. S'il y a
des questions concernant ces valeurs nominales, l'utilisateur doit contacter un représentant TI sur le terrain avant de connecter l'électronique d'interface, y compris la puissance d'entrée et
les charges prévues. Toute charge appliquée en dehors de la plage de sortie spécifiée peut entraîner un fonctionnement involontaire et/ou imprécis et/ou des dommages
permanents possibles à l'EVM et/ou à l'électronique d'interface. Veuillez consulter le guide de l'utilisateur EVM applicable avant de connecter une charge à la sortie EVM. En cas d'incertitude
quant aux spécifications de charge, veuillez contacter un représentant TI sur le terrain. En fonctionnement normal, certains composants du circuit peuvent avoir des températures de boîtier
supérieures à 60 °C tant que l'entrée et la sortie sont maintenues à une température ambiante de fonctionnement normale. Ces composants incluent, sans s'y limiter, les régulateurs linéaires,
les transistors de commutation, les transistors de passage et les résistances de détection de courant qui peuvent être identifiés à l'aide des schémas des EVM situés dans le guide de
l'utilisateur de l'EVM applicable. Lorsque vous placez des sondes de mesure à proximité des EVM pendant le fonctionnement normal, sachez que les EVM peuvent devenir très chauds.
Comme pour tous les outils d'évaluation électronique, seul le personnel qualifié connaissant les mesures et les diagnostics électroniques que l'on trouve normalement dans les
environnements de développement doit utiliser les EVM.

Accord de défense, d’indemnisation et d’exonération de toute responsabilité. L'utilisateur s'engage à défendre, indemniser et dégager TI, ses administrateurs, dirigeants, agents, employés,
représentants, sociétés affiliées, concédants de licence et leurs représentants de toute responsabilité contre toute réclamation, dommage, perte, dépense, coût et responsabilité
(collectivement, " Réclamations") découlant de, ou en relation avec, toute manipulation et/ou utilisation des EVM. L'indemnisation de l'utilisateur s'appliquera que les réclamations
découlent du droit délictuel ou contractuel ou de toute autre théorie juridique, et même si les EVM ne fonctionnent pas comme décrit ou attendu.

Applications critiques pour la sécurité ou la vie. Si l'utilisateur a l'intention d'utiliser des EVM dans des évaluations d'applications critiques pour la sécurité (telles que le maintien de la vie), et
qu'une défaillance d'un produit TI envisagé pour l'achat par l'utilisateur pour une utilisation dans le produit de l'utilisateur est raisonnablement susceptible de provoquer des blessures
graves ou la mort, telles que des appareils. qui sont classés FDA Classe III ou une classification similaire, l'utilisateur doit alors spécifiquement informer TI de cette intention et conclure un
accord d'assurance et d'indemnisation distinct.
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INFORMATIONS SUR LA CONFORMITÉ À LA RÉGLEMENTATION DES RADIOFRÉQUENCES POUR LES MODULES D'ÉVALUATION

Les cartes, kits et/ou modules (EVM) d'évaluation de Texas Instruments Incorporated (TI) et/ou le matériel qui les accompagne qui sont commercialisés, vendus ou prêtés aux
utilisateurs peuvent ou non être soumis aux réglementations sur les fréquences radio dans certains pays.

Déclaration générale pour les EVM n'incluant pas de radio Pour les

EVM n'incluant pas de radio et non soumis aux réglementations de la Federal Communications Commission (FCC) des États­Unis ou d'Industrie Canada (IC), TI prévoit
que les EVM soient utilisés uniquement à des fins de développement technique, de démonstration ou d'évaluation. . Les EVM ne sont pas des produits finis généralement adaptés
à un usage grand public. Les EVM peuvent néanmoins générer, utiliser ou rayonner de l'énergie radiofréquence, mais n'ont pas été testés pour vérifier leur conformité aux limites des
appareils informatiques conformément à la partie 15 de la FCC ou aux règles ICES­003. Le fonctionnement de tels EVM peut provoquer des interférences avec les communications
radio, auquel cas l'utilisateur sera tenu, à ses frais, de prendre toutes les mesures nécessaires pour corriger ces interférences.

Déclaration générale pour les EVM comprenant une radio

Obligations d'utilisation de la puissance/fréquence de l'utilisateur : Pour les EVM comprenant une radio, la radio incluse dans ces EVM est destinée au développement et/ou à un
usage professionnel uniquement dans les limites de fréquence et de puissance légalement attribuées. Toute utilisation de fréquences radio et/ou de disponibilité de puissance dans
de tels EVM et leurs applications de développement doivent être conformes aux lois locales régissant l'attribution du spectre radio et les limites de puissance pour ces EVM. Il est de
la seule responsabilité de l'utilisateur de faire fonctionner cette radio uniquement dans un espace de fréquences légalement acceptable et dans les limites de puissance légalement mandatées.
Toute exception à cette règle est strictement interdite et non autorisée par TI, à moins que l'utilisateur n'ait obtenu les licences d'expérimentation et/ou de développement appropriées
auprès des autorités réglementaires locales, ce qui relève de la seule responsabilité de l'utilisateur, y compris son autorisation acceptable.

Conformité à la Federal Communications Commission des États­Unis

Pour les EVM annotés comme étant conformes à la FCC – FEDERAL COMMUNICATIONS COMMISSION Partie 15

Prudence

Cet appareil est conforme à la partie 15 des règles FCC. Son fonctionnement est soumis aux deux conditions suivantes : (1) cet appareil ne doit pas provoquer d'interférences
nuisibles, et (2) cet appareil doit accepter toute interférence reçue, y compris les interférences susceptibles de provoquer un fonctionnement indésirable.
Des changements ou des modifications pourraient annuler le droit de l'utilisateur à utiliser l'équipement.

Déclaration d'interférence FCC pour les appareils EVM de classe A

Cet équipement a été testé et déclaré conforme aux limites d'un appareil numérique de classe A, conformément à la partie 15 des règles FCC.
Ces limites sont conçues pour fournir une protection raisonnable contre les interférences nuisibles lorsque l'équipement est utilisé dans un environnement commercial. Cet
équipement génère, utilise et peut émettre de l'énergie radiofréquence et, s'il n'est pas installé et utilisé conformément au manuel d'instructions, peut provoquer des interférences
nuisibles aux communications radio. Le fonctionnement de cet équipement dans une zone résidentielle est susceptible de provoquer des interférences nuisibles, auquel cas
l'utilisateur devra corriger les interférences à ses propres frais.

Déclaration d'interférence FCC pour les appareils EVM de classe B

Cet équipement a été testé et déclaré conforme aux limites d'un appareil numérique de classe B, conformément à la partie 15 des règles FCC.
Ces limites sont conçues pour fournir une protection raisonnable contre les interférences nuisibles dans une installation résidentielle. Cet équipement génère, utilise et peut
émettre de l'énergie radiofréquence et, s'il n'est pas installé et utilisé conformément aux instructions, peut provoquer des interférences nuisibles aux communications radio.
Cependant, rien ne garantit que des interférences ne se produiront pas dans une installation particulière. Si cet équipement provoque des interférences nuisibles à la réception radio
ou télévision, ce qui peut être déterminé en éteignant et rallumant l'équipement, l'utilisateur est encouragé à essayer de corriger les interférences par une ou plusieurs des mesures
suivantes : • Réorienter ou déplacer le récepteur. antenne • Augmenter la séparation entre l'équipement et le récepteur. • Connectez
l'équipement à une prise sur un circuit différent de celui
auquel le récepteur est connecté. • Consultez le revendeur ou un technicien radio/
TV expérimenté pour obtenir de l'aide.

Conformité d'Industrie Canada (anglais)

Pour les EVM annotés IC – Conformes à INDUSTRIE CANADA :

Cet appareil numérique de classe A ou B est conforme à la norme canadienne ICES­003.

Les changements ou modifications non expressément approuvés par la partie responsable de la conformité pourraient annuler le droit de l'utilisateur à utiliser l'équipement.

Concernant les EVM incluant les émetteurs radio

Cet appareil est conforme aux normes RSS sans licence d'Industrie Canada. Son fonctionnement est soumis aux deux conditions suivantes : (1) cet appareil ne doit pas provoquer
d'interférences, et (2) cet appareil doit accepter toute interférence, y compris les interférences susceptibles de provoquer un fonctionnement indésirable de l'appareil.

Concernant les EVM comprenant des antennes détachables

Conformément aux réglementations d'Industrie Canada, cet émetteur radio ne peut fonctionner qu'en utilisant une antenne d'un type et d'un gain maximum (ou inférieur)
approuvés pour l'émetteur par Industrie Canada. Pour réduire les interférences radioélectriques potentielles pour d'autres utilisateurs, le type d'antenne et son gain doivent être choisis
de manière à ce que la puissance isotrope rayonnée équivalente (pire) ne soit pas supérieure à celle nécessaire pour une communication réussie.

Cet émetteur radio a été approuvé par Industrie Canada pour fonctionner avec les types d'antenne répertoriés dans le guide de l'utilisateur avec le gain maximum autorisé et
l'impédance d'antenne requise pour chaque type d'antenne indiqué. Les types d'antennes non inclus dans cette liste, ayant un gain supérieur au gain maximum indiqué pour ce
type, sont strictement interdits pour une utilisation avec cet appareil.
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Canada Conformité à Industrie Canada (français)

Cet appareil numérique de la classe A ou B est conforme à la norme NMB­003 du Canada

Les changements ou les modifications pas expressément approuvés par la partie responsable de la conformité ont pu vider l'autorité de
l'utilisateur pour actionner l'équipement.

Concernant les EVM avec appareils radio

Le présent appareil est conforme aux CNR d'Industrie Canada applicables aux appareils radio exemptés de licence. L'exploitation est
autorisée aux deux conditions suivantes : (1) l'appareil ne doit pas produire de brouillage, et (2) l'utilisateur de l'appareil doit accepter tout
brouillage radioélectrique subi, même si le brouillage est susceptible d'en nuire au fonctionnement.
Concernant les EVM avec antennes détachables

Conformément à la réglementation d'Industrie Canada, le présent émetteur radio peut fonctionner avec une antenne d'un type et d'un gain
maximal (ou inférieur) approuvé pour l'émetteur par Industrie Canada. Dans le but de réduire les risques de brouillage radioélectrique à
l'intention des autres utilisateurs, il faut choisir le type d'antenne et son gain de sorte que la puissance isotrope rayonnée équivalente
(pire) ne dépasse pas l'intensité nécessaire à l' établissement d'une communication satisfaisante.

Le présent émetteur radio a été approuvé par Industrie Canada pour fonctionner avec les types d'antenne étendus dans le manuel
d'utilisation et ayant un gain admissible maximal et l'impédance requise pour chaque type d'antenne. Les types d'antenne non inclus dans
cette liste, ou dont le gain est supérieur au gain maximal indiqué, sont strictement interdits pour l'exploitation de l'émetteur.

Adresse postale : Texas Instruments, Post Office Box 655303, Dallas, Texas 75265
Droits d'auteur © 2014, Texas Instruments Incorporated

espaceur

Avis important destiné aux utilisateurs d'EVM considérés comme des « produits à radiofréquence » au Japon

Les EVM entrant au Japon ne sont PAS certifiés par TI comme étant conformes aux règlements techniques de la loi japonaise sur la radio.

Si l'utilisateur utilise des EVM au Japon, la loi japonaise sur la radio exige que l'utilisateur suive les instructions ci­dessous concernant les EVM : 1.
Utilisez les EVM dans une pièce blindée ou dans toute autre installation de test telle que définie dans la notification n° 173 émise par le ministère de l'Intérieur.
Affaires et Communications le 28 mars 2006, sur la base de la sous­section 1.1 de l'article 6 de la règle du ministère pour l'application de la loi sur la radio
du Japon,
2. Utilisez les EVM uniquement après que l'utilisateur a obtenu la licence de station radio de test comme prévu dans la loi japonaise sur la radio en ce qui concerne
les EVM, ou 3. Utilisez les EVM uniquement après que l'utilisateur a obtenu la certification de conformité aux règlements techniques comme prévu dans la loi japonaise sur la
radio en ce qui concerne aux EVM. De plus, ne transférez pas les EVM, à moins que l'utilisateur ne donne le même avis ci­dessus au cessionnaire. Veuillez noter
que si l'utilisateur ne suit pas les instructions ci­dessus, il sera soumis aux sanctions de la loi japonaise sur
la radio. http://www.tij.co.jp

Accueil Le

1.1.

http://www.tij.co.jp
Texas Instruments Japan Limited
(adresse) 24­1, Nishi­Shinjuku 6 chome, Shinjuku­ku, Tokyo, Japon
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AVIS IMPORTANT

Texas Instruments Incorporated et ses filiales (TI) se réservent le droit d'apporter des corrections, améliorations, améliorations et autres
modifications apportées à ses produits et services semi­conducteurs selon JESD46, dernière version, et interrompre tout produit ou service selon JESD48, dernière version
problème. Les acheteurs doivent obtenir les dernières informations pertinentes avant de passer des commandes et doivent vérifier que ces informations sont à jour et
complet. Tous les produits semi­conducteurs (également appelés ici « composants ») sont vendus sous réserve des conditions générales de vente de TI.
fourni au moment de l’accusé de réception de la commande.

TI garantit les performances de ses composants selon les spécifications applicables au moment de la vente, conformément à la garantie selon les termes de TI.
et conditions de vente de produits semi­conducteurs. Les tests et autres techniques de contrôle qualité sont utilisés dans la mesure où TI le juge nécessaire.
pour soutenir cette garantie. Sauf lorsque la loi applicable l'exige, le test de tous les paramètres de chaque composant n'est pas nécessairement
effectué.

TI n'assume aucune responsabilité pour les applications d'assistance ou la conception des produits des Acheteurs. Les acheteurs sont responsables de leurs produits et
applications utilisant des composants TI. Pour minimiser les risques associés aux produits et applications des acheteurs, ceux­ci doivent fournir
des mesures de protection adéquates en matière de conception et de fonctionnement.

TI ne garantit ni ne déclare qu'une licence, expresse ou implicite, est accordée en vertu d'un droit de brevet, d'un droit d'auteur, d'un droit de travail sur un masque ou d'un droit d'auteur.
tout autre droit de propriété intellectuelle relatif à toute combinaison, machine ou processus dans lequel les composants ou services de TI sont utilisés. Information
publié par TI concernant des produits ou services tiers ne constitue pas une licence d'utilisation de ces produits ou services ni une garantie ou
son approbation. L'utilisation de ces informations peut nécessiter une licence d'un tiers en vertu des brevets ou autres propriétés intellectuelles du
tiers, ou une licence de TI sous les brevets ou autres propriétés intellectuelles de TI.

La reproduction de parties significatives des informations TI dans les manuels ou fiches techniques TI n'est autorisée que si la reproduction est sans modification.
et est accompagné de toutes les garanties, conditions, limitations et avis associés. TI n'est pas responsable de ces modifications
Documentation. Les informations de tiers peuvent être soumises à des restrictions supplémentaires.

Revente de composants ou services TI avec des déclarations différentes ou au­delà des paramètres indiqués par TI pour ce composant ou service
annule toutes les garanties expresses et implicites pour le composant ou le service TI associé et constitue une pratique commerciale déloyale et trompeuse.
TI n'est pas responsable de telles déclarations.

L'acheteur reconnaît et accepte qu'il est seul responsable du respect de toutes les exigences légales, réglementaires et liées à la sécurité.
concernant ses produits, et toute utilisation de composants TI dans ses applications, nonobstant toute information ou support lié aux applications
qui peuvent être fournis par TI. L'acheteur déclare et accepte qu'il dispose de toute l'expertise nécessaire pour créer et mettre en œuvre des garanties qui
anticiper les conséquences dangereuses des pannes, surveiller les pannes et leurs conséquences, réduire la probabilité de pannes qui pourraient en résulter
préjudice et prendre les mesures correctives appropriées. L'acheteur indemnisera entièrement TI et ses représentants contre tout dommage résultant de l'utilisation
de tous les composants TI dans les applications critiques pour la sécurité.

Dans certains cas, les composants TI peuvent être promus spécifiquement pour faciliter les applications liées à la sécurité. Avec de tels composants, l'objectif de TI est de
aider les clients à concevoir et à créer leurs propres solutions de produits finaux qui répondent aux normes de sécurité fonctionnelle applicables et
exigences. Néanmoins, ces composants sont soumis à ces conditions.

Aucun composant TI n'est autorisé pour une utilisation dans la classe III de la FDA (ou dans un équipement médical similaire vital), sauf si les agents autorisés des parties
avoir signé un accord spécial régissant spécifiquement cette utilisation.

Seuls les composants TI que TI a spécifiquement désignés comme étant de qualité militaire ou « plastique amélioré » sont conçus et destinés à être utilisés dans
applications ou environnements militaires/aérospatiaux. L'acheteur reconnaît et accepte que toute utilisation militaire ou aérospatiale des composants TI
qui n'ont pas été ainsi désignés est aux seuls risques de l'acheteur, et cet acheteur est seul responsable du respect de toutes les règles légales et
exigences réglementaires liées à une telle utilisation.

TI a spécifiquement désigné certains composants comme répondant aux exigences ISO/TS16949, principalement pour une utilisation automobile. Dans tous les cas d'utilisation de
produits non désignés, TI ne sera pas responsable de tout non­respect de la norme ISO/TS16949.
Des produits Applications
l'audio www.ti.com/audio Automobile et transports www.ti.com/automotive
Amplificateurs amplificateur.ti.com Communications et Télécoms www.ti.com/communications

Convertisseurs de données dataconverter.ti.com Ordinateurs et périphériques www.ti.com/ordinateurs


Produits DLP® www.dlp.com Electronique grand public www.ti.com/consumer­apps
DSP dsp.ti.com Énergie et éclairage www.ti.com/energy
Horloges et minuteries www.ti.com/clocks Industriel www.ti.com/industriel

Interface interface.ti.com Médical www.ti.com/medical

Logique logic.ti.com Sécurité www.ti.com/sécurité

Gestion de l'alimentation power.ti.com Espace, avionique et défense www.ti.com/space­avionics­defense


Microcontrôleurs microcontrôleur.ti.com Vidéo et imagerie www.ti.com/video

RFID www.ti­rfid.com

Processeurs d'applications OMAP www.ti.com/omap Communauté TI E2E e2e.ti.com

Connectivité sans fil www.ti.com/wirelessconnectivity

Adresse postale : Texas Instruments, Post Office Box 655303, Dallas, Texas 75265
Droits d'auteur © 2014, Texas Instruments Incorporated

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